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公开(公告)号：CN103030100B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310007946.6
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于纳米技术领域，特别涉及一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法。本发明采用n型（100）硅片，利用高真空磁控溅射技术在其表面沉积具有网状结构的银膜，然后采用湿法刻蚀技术，在硅表面获得具有减反射特性的亚波长锥形硅纳米线阵列，经测试，其反射率低于1%。本发明首次利用银膜催化刻蚀硅技术，具有无掩模与常温常压的工艺特征，操作简单，重复性与可控性好，为制备具有亚波长尺度的超减反硅表面纳米结构提供了新思路，为设计和构建新型高效硅太阳能电池提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN103318955B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310253775.5
申请日：2013-06-24
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 本发明属于微米材料技术领域，特别涉及一种串状TiO2微米球材料及其制备方法。本发明方法在冰醋酸为溶剂的反应体系中加入钛酸四正丁酯、硝酸银和二氧化钛纳米带进行水热反应，所制备的二氧化钛微米结构由多个层状球串联起来呈现串状结构。此种微米结构形貌均一且有较大的比表面积；由纳米片层结构构成的微米球整齐地包裹到二氧化钛纳米带上，二氧化钛纳米带起到了生长支架的作用。由于二维片层的较大的比表面积和一维纳米带的电子传输特性有效地提高材料的光催化性能；将其应用于染料敏化太阳能电池领域，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力，同时三维微米球将大大降低表面的缺陷，相对于单纯的P25 TiO2更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流。
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公开(公告)号：CN102701275B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210180449.1
申请日：2012-06-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01G23/047 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备TiO2纳米花带的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用商业用的P25型TiO2纳米颗粒，利用水热法合成TiO2纳米带并以之为前驱体，在HCl水溶液中加入钛酸丁酯溶液，并搅拌均匀，再将一定量的TiO2纳米带加入混合溶液中，搅拌均匀；然后将混合溶液转移至反应釜中，160~200℃下反应6~12小时，然后洗涤、干燥处理后得到TiO2纳米花带；再利用银镜反应法对P25、TiO2纳米带和TiO2纳米花带进行掺银处理，得到Ag/P25、Ag/TiO2纳米带及Ag/TiO2纳米花带，光催化降解甲基橙的实验表明，Ag/TiO2纳米花带呈现出最强的光催化活性。
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公开(公告)号：CN102330142B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110261035.7
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN103011133A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310008135.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于碳纳米管制备技术领域的一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。此方法将镀有过渡金属催化剂薄膜的基底在Ar氛围内，放入已升温至某一温度的石英管内，并继续升温至生长温度；向管内通入一定量的H2后，引入碳源气体，通过周期性得增加H2的流量以刻蚀多余的非晶碳，可获得高度大于1mm的碳纳米管阵列。本发明方法不需要快速升温处理，制备工艺简单，保证了设备的连续工作，缩短了升温环节所用时间，有效降低了碳纳米管阵列制备的成本和能耗。同时匀气装置的引入，可以实现同时放入多个样品而不相互影响制备结果，进而减少了反复制备的次数和降低了总的成本和能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428537A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510905445.9
申请日：2015-12-10
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4226 , H01L51/0003
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，特别涉及基于二氧化钛/钙钛矿新型复合纳米结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述太阳电池自下而上依次为：玻璃基底、FTO透明电极、TiO2致密层、复合TiO2纳米晶体的钙钛矿层、空穴传输层、金属电极。本发明方法通过在钙钛矿的前驱体溶液中加入TiO2纳米晶体材料，控制溶液中TiO2在一定浓度下，利用旋涂法低温制备钙钛矿薄膜。本方法制备的复合TiO2纳米晶体的钙钛矿层中，TiO2纳米晶体与钙钛矿之间可形成体接触，提高钙钛矿太阳电池载流子收集效率和光电转换效率；本方法制备的钙钛矿太阳电池稳定性较好、效率较高，避免了制备TiO2介孔结构的繁琐工艺和高温烧结，工艺简单、低温制备、重复性好，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102330142A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110261035.7
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN103241733A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310182429.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于新型材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种适于大面积石墨烯无污染无褶皱的转移方法。本发明无需用PMMA等有机物作为石墨烯的保护层，而是直接用腐蚀液将金属基底去除，得到漂浮在液面上的石墨烯膜。然后将腐蚀液稀释至近乎纯水，再以适合的速度使水面平稳下降；石墨烯在随水面下降的过程中与置于其下方的倾斜目标基底接触，并在水面张力的“拉展”作用下平展地铺在目标基底上，实现了石墨烯无污染无褶皱的转移，此法适用于大面积石墨烯的转移。本发明工艺简单优化，成本低，从根本上抑制了有机物对石墨烯的污染，并且减小了转移过程中对石墨烯的损伤，同时避免了微小“褶皱”的形成。
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公开(公告)号：CN103050378A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210470483.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN102701275A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210180449.1
申请日：2012-06-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01G23/047 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备TiO2纳米花带的方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用商业用的P25型TiO2纳米颗粒，利用水热法合成TiO2纳米带并以之为前驱体，在HCl水溶液中加入钛酸丁酯溶液，并搅拌均匀，再将一定量的TiO2纳米带加入混合溶液中，搅拌均匀；然后将混合溶液转移至反应釜中，160~200℃下反应6~12小时，然后洗涤、干燥处理后得到TiO2纳米花带；再利用银镜反应法对P25、TiO2纳米带和TiO2纳米花带进行掺银处理，得到Ag/P25、Ag/ TiO2纳米带及Ag/ TiO2纳米花带，光催化降解甲基橙的实验表明，Ag/ TiO2纳米花带呈现出最强的光催化活性。
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