公开(公告)号：CN113725599B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202111038764.6

申请日：2021-09-06

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 王晓川 ,  严正罡 ,  吕文中 ,  雷文 ,  梁飞 ,  汪小红 ,  范桂芬 ,  付明

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/48 ,  H01Q15/14 ,  H01Q9/04 ,  H01Q13/08 ,  H01Q1/32

Abstract: 电。该天线结构简单，设计容易，成本低廉，适合本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷 用于毫米波段汽车雷达。达的组合天线，由三层介质材料和四层金属构成。金属层包括辐射层，天线反射层，带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元，网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线。辐射边由渐变微带线代替了传统的同宽度微带线，单元之间的连接段与网格单元辐射边长宽一致，降低了天线设计难度。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元，并通过微带线与网格非辐射边相连，与单元间连接段组成了串联贴片天线，有效利用了天线面积。由于网格单元中间的区域较小，贴片天线产生的谐振模式频率略高于网格天线，因此两种形式的辐射单元形成了组合天线效果，产生的两组谐振模式辐射拓宽了天线工作带宽。天线采用过孔馈电，馈电点关于线阵中心左右对称，过孔穿过天线反射地层上的通孔与带状线馈电

公开(公告)号：CN112299837A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011175349.0

申请日：2020-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  杜康 ,  吕文中 ,  王晓川 ,  汪小红 ,  范桂芬 ,  付明

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，公开了一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法，其中低介微波介质陶瓷材料，其主晶相的化学通式为CaO‑SnO2‑xSiO2‑yGeO2，其中，0≤x≤1.0，0≤y≤1.0，且主晶相为马来石相，该微波介质陶瓷材料为低介微波介质陶瓷材料，相对介电常数εr＝10.37～11.7。本发明通过调控Ca:Sn:Si:Ge的摩尔比1:1:x:y，相应得到的微波介质陶瓷材料，能够在避免Ti元素使用的情况下，获得相对介电常数低至10.37～11.7且谐振频率温度系数τf可自调节的低介微波介质陶瓷材料，有效拓宽了低介电常数微波介质陶瓷材料的选择范围。并且，通过调控SiO2、GeO2的比例，利用离子取代，能够调控微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数τf。

公开(公告)号：CN110563463B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201910927298.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  杜康 ,  吕文中 ,  王晓川 ,  汪小红 ,  范桂芬 ,  付明

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，更具体地，涉及一种低介微波介质陶瓷及其LTCC材料。将化学通式为Ca2RE8Si6O26(RE＝Nd,Sm,Er)的化合物用于制备微波介质陶瓷材料，并进一步制备LTCC材料。该陶瓷具有低相对介电常数(εr＝13.4～14.0)、优异的品质因数(Q×f＝16300～18600GHz)和较宽的烧结温度(1350℃～1400℃)，同时该微波介质陶瓷具有负的谐振频率温度系数(‑38.1ppm/℃≤τf≤‑17.8ppm/℃)。该微波介质陶瓷的烧结温度在添加一定量的烧结助剂CaO‑La2O3‑B2O3‑SiO2玻璃后能降至950℃以下，能作为一种LTCC材料来使用。

公开(公告)号：CN107154531B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201710290471.4

申请日：2017-04-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王晓川 ,  于晨武 ,  楼熠辉 ,  吕文中 ,  范桂芬

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明公开了一种基片集成腔体毫米波阵列天线，包括天线阵列、功分模块以及外部转接模块。由外部转接模块将电磁波从金属波导引入功分模块，功分模块将电磁波分为多路电磁波输出，电磁波进入天线单元的基片集成腔体中，通过扩大基片集成腔体辐射口径在基片集成腔体中产生高次模谐振，提高毫米波阵列天线的增益，并由寄生结构调整基片集成腔体内的电磁波中高次模场分布，使得基片集成腔体内的电磁波中高次模的辐射方向变为向着基片集成腔体法线方向，实现天线阵列正常工作。另外，寄生结构采用呈类工字型金属片，能够提高金属片上电流长度，增大天线阵列的带宽。

公开(公告)号：CN109534789B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201811296117.3

申请日：2018-11-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 楼熠辉 ,  吕文中 ,  范桂芬 ,  雷文 ,  王飞

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/628 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  C04B35/22 ,  C04B35/495 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介质滤波器的制备方法，包括以下步骤：(1)对微波介质陶瓷粉进行表面处理，并配制光敏树脂，接着两者混合得到陶瓷浆料；(2)建立CAD模型，并将陶瓷浆料放入光固化3D打印机的料槽中；(3)利用光固化3D打印机进行增材制造成型得到陶瓷介质滤波器生坯；(4)对生坯进行排胶处理及烧结处理得到陶瓷介质器件胚体；(5)在陶瓷介质器件胚体上制备电极，即可得到陶瓷介质滤波器。本发明通过使用增材制造工艺，能够有效克服现有介质滤波器所存在的加工困难、产量低、精度低、性能不稳定、生产周期长的缺点，尤其适用于实现复杂结构陶瓷介质滤波器的制备。

公开(公告)号：CN106609020B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510691311.1

申请日：2015-10-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁飞 ,  张路 ,  吕文中 ,  范桂芬 ,  王晓川

IPC: C08L27/18 ,  C08K9/10 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明公开了一种聚四氟乙烯基复合材料，包括聚四氟乙烯以及分散于其中的Ag@TiO2，所述Ag@TiO2为TiO2包覆纳米银颗粒的核壳结构颗粒，其中，所述纳米银颗粒与所述TiO2的摩尔比为1:10～1:4，所述TiO2为金红石型，所述Ag@TiO2在所述复合材料中的体积分数为30％～70％，其粒径小于600nm。本发明还公开了该复合材料的制备方法与应用。本发明通过在聚四氟乙烯中填充Ag@TiO2，制备了一种具有较高的相对介电常数的复合材料，同时通过调节Ag@TiO2在材料中的比例，可以根据需求优化材料的介电性能，具有广泛的工程实用性。

公开(公告)号：CN106609020A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510691311.1

申请日：2015-10-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁飞 ,  张路 ,  吕文中 ,  范桂芬 ,  王晓川

IPC: C08L27/18 ,  C08K9/10 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明公开了一种聚四氟乙烯基复合材料，包括聚四氟乙烯以及分散于其中的Ag@TiO2，所述Ag@TiO2为TiO2包覆纳米银颗粒的核壳结构颗粒，其中，所述纳米银颗粒与所述TiO2的摩尔比为1:10～1:4，所述TiO2为金红石型，所述Ag@TiO2在所述复合材料中的体积分数为30％～70％，其粒径小于600nm。本发明还公开了该复合材料的制备方法与应用。本发明通过在聚四氟乙烯中填充Ag@TiO2，制备了一种具有较高的相对介电常数的复合材料，同时通过调节Ag@TiO2在材料中的比例，可以根据需求优化材料的介电性能，具有广泛的工程实用性。

公开(公告)号：CN104953281A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510276142.5

申请日：2015-05-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王晓川 ,  吕文中 ,  雷文 ,  范桂芬 ,  汪小红 ,  梁飞 ,  付明

IPC: H01Q1/50 ,  H01Q13/08

Abstract: 一种频率可调的介质谐振器天线，属于频率可调天线技术领域。包括介质谐振器(1)、金属底座(2)、矩形通孔(3)、金属波导(4)、同轴传输线(5)、金属滑块(6)、绝缘连杆(7)和直线伸缩驱动单元(8)。本发明采用可调缝隙结构实现的频率可调介质谐振器天线，结构简单易于实现，且辐射特性稳定。相比其它方式实现的频率可调介质谐振器天线，本发明的天线谐振频率调谐范围宽，辐射效率高，所有调谐机构均放置于天线辐射的阴影区内，对天线辐射特性影响小，方向图在可调范围内畸变小，同时具有较高的增益。

公开(公告)号：CN102850050B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210320535.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范桂芬 ,  吕文中 ,  王允祺 ,  王晓川 ,  汪小红

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结压电陶瓷材料，用化学通式Pb(0.995-a-b-3c/2)BaaSrbFec(Zn1/3Nb2/3)xZryTi(1-x-y)O3+u％Li2CO3+v％M2O3+w％ZnO表示压电陶瓷材料的组成，式中M为三价金属元素，Ba、Sr、Fe、(Zn1/3Nb2/3)及Zr的摩尔比为a∶b∶c∶x∶y，其中，0≤a≤0.05；0≤b≤0.03；0≤c≤0.01；0.25≤x≤0.35；0.30≤y≤0.40；Pb(0.995-a-b-3c/2)BaaSrbFec(Zn1/3Nb2/3)xZryTi(1-x-y)O3为基体陶瓷粉体，u％表示Li2CO3占基体陶瓷粉体的重量百分比，v％表示M2O3占基体陶瓷粉体的重量百分比，w％表示ZnO占基体陶瓷粉体的重量百分比，0＜u≤1，0＜v≤2，0＜w≤0.2。本发明通过添加组合氧化物掺杂剂，可以将陶瓷的烧结温度从1200℃降至900℃，并能获得大的压电常数(d33≥450pC/N)、大的机电耦合系数(kp≥0.60)、高居里点(Tc＞350℃)及适中的介电常数(εr＝2000～3500)，满足叠层压电驱动器对陶瓷材料的应用要求。

公开(公告)号：CN103553604A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310481759.1

申请日：2013-10-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕文中 ,  罗希 ,  范桂芬

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明公开了一种同轴介质滤波器坯体的成型方法，步骤为：先制备陶瓷基膜片，并进行裁剪；再将器件结构从与叠膜方向的垂直平面按照膜片厚度分解为一组平面图形，在切裁剪后的膜片上进行图形转移；然后将图形转移后的陶瓷膜片按顺序叠片，直到膜层总厚度达到预定的器件厚度，经过加温加压使分层膜片成为定型后的陶瓷生坯；最后对定型后的陶瓷生坯体进行排胶及烧结，得到所需的陶瓷器件坯体。本发明的工艺为解决复杂陶瓷器件因难以成型而应用受限的问题，绕开传统方法所遵循的整体成型辅助后期加工的思路，避免其产生的产量低、操作性差、灵活性低、滤波器坯体破碎率高、耦合结构偏移失控、通带滤波能力下降等问题，可有效实现结构复杂的陶瓷元器件坯体制备。