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公开(公告)号：CN112331739A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910718853.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L33/42
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，更具体地，涉及一种低功函导电复合电极、其制备和应用。将含有氨基的聚合物与金属离子和金属纳米线先后发生配位共混，获得本发明低功函导电透明复合电极。本发明基于常见的可降低电极功函数的聚合物材料，引入金属离子以及金属纳米线，聚合物分子中的氨基同时与金属离子和金属纳米线发生配位作用，得到所述的低功函导电透明复合电极。所得到的复合电极，粗糙度低，功函数低于4.35eV，方块电阻在30欧姆时电极的透光率高于85％，在不增加阴极界面修饰材料时，也能够很好的作为阴极适用于不同光电器件中。
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公开(公告)号：CN103955919B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410141691.7
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T7/33
Abstract: 本发明公开了一种SIFT特征向量梯度直方图多通道更新电路，使用16个八维四更新的直方图组来取代1个128维16更新的直方图，每一个八维四更新的直方图代表同一空间位置的NBO方向维度的子特征值向量。所述电路包括：第一三线性插值模块、第二三线性插值模块、方向地址仲裁模块、第一至第十六四通道更新仲裁模块、第一至第十六八维四通道更新直方图模块。本发明的电路硬件面积开销仅占传统128维16更新的直方图电路面积开销的28%。从硬件开销方面，本电路优势明显；并且在SMIC0.18um的工艺下，本发明的最高工作频率为130MHz，传统128维16更新的直方图电路最高工作频率为100MHz。
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公开(公告)号：CN103542940B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310443095.X
申请日：2013-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种基于波矢测量的红外成像探测芯片，包括面阵红外折射微透镜、面阵非制冷红外探测器和驱控预处理模块；其中，面阵非制冷红外探测器位于所述面阵红外折射微透镜的焦面处，被划分成多个阵列分布的子面阵非制冷红外探测器，每个子面阵非制冷红外探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元；面阵红外折射微透镜包括多个阵列分布的单元红外折射微透镜，每单元红外折射微透镜与一个子面阵非制冷红外探测器对应。本发明的红外成像探测芯片可测量的红外波矢方向的变动范围大，测量精度高，结构紧凑，环境适应性好，易与常规红外光学系统、电子和机械装置匹配耦合。
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公开(公告)号：CN104537605A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410849110.5
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T1/20
Abstract: 本发明公开了一种用于红外图像处理的可配置多功能数据路径结构,属于图像处理技术领域。本发明可配置多功能数据路径结构包括控制参数寄存器、中心控制逻辑、模板参数寄存器组、总线接口、差分运算单元、延迟线组、像素选择阵列、标量函数运算单元、缩减函数运算单元、输出生成单元以及阈值分割单元。本发明在数据路径结构中实现最大程度的硬件资源的复用，可配置的特性使得用最少资源增加了硬件的灵活性和应用范围，同时应用流水线的结构使得数据路径的计算能力大大提升。
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公开(公告)号：CN104505117A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410851866.3
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突，使存储器能够完全随机实时地进行访问。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102968776B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210453680.3
申请日：2012-11-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T5/50
Abstract: 本发明公开了一种线性与非线性滤波器相结合的非均匀性校正方法，在对线性校正图像进行空间平滑滤波得到真实场景的估计图像时，如果非均匀性水平较高，使用模板为11x11的均值滤波，否则，使用模板为5x5的非线性平滑滤波，在实现边缘保持滤波的同时，计算校正参数的自适应迭代步长，进行异常像素（坏元、冲激噪声）检测与替换，以滤波输出图像作为对真实场景的估计图像，利用变化参考图像实现变化检测，只有当校正图像与变化参考图像的差异大于变化阈值时才对非均匀性校正系数进行迭代更新。本发明既具有线性平滑滤波器平滑作用大、收敛速度快的优点，又具有非线性平滑滤波的边缘保持特性，而且计算复杂度较低，适合硬件电路实现。
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公开(公告)号：CN104505117B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410851866.3
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突，使存储器能够完全随机实时地进行访问。
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公开(公告)号：CN103489477B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310398912.4
申请日：2013-09-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/4125
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。
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公开(公告)号：CN103531596B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310433458.1
申请日：2013-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/14 , H01L27/148
Abstract: 本发明公开了一种基于单眼套叠的全色复眼成像探测芯片，其特征在于，包括面阵折射微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块；面阵全色探测器被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器；面阵折射微透镜包括多个阵列分布的单元折射微透镜，每单元折射微透镜与一个子面阵全色探测器对应；驱控预处理模块将各子面阵全色探测器中相同位置的光敏元的电信号归属到一个单眼的成像操作，通过对面阵全色探测器的光电信号进行量化、解算和校准处理，得到基于观察视角或目标姿态的序列高像质图像数据。本发明的全色复眼探测芯片可捕获目标多视角/多姿态图像，实现高空间分辨率与高角分辨率的兼容，测量精度高，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN103542940A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310443095.X
申请日：2013-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种基于波矢测量的红外成像探测芯片，包括面阵红外折射微透镜、面阵非制冷红外探测器和驱控预处理模块；其中，面阵非制冷红外探测器位于所述面阵红外折射微透镜的焦面处，被划分成多个阵列分布的子面阵非制冷红外探测器，每个子面阵非制冷红外探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元；面阵红外折射微透镜包括多个阵列分布的单元红外折射微透镜，每单元红外折射微透镜与一个子面阵非制冷红外探测器对应。本发明的红外成像探测芯片可测量的红外波矢方向的变动范围大，测量精度高，结构紧凑，环境适应性好，易与常规红外光学系统、电子和机械装置匹配耦合。
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