公开(公告)号：CN115713052A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211414356.0

申请日：2022-11-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘政林 ,  潘玉茜 ,  于润泽 ,  黎振豪 ,  汪钊旭

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/27 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统，属于存储器技术领域。方法包括：S1，在不同目标操作下，分别计算各闪存芯片样本的可靠性特征参数在执行该目标操作前后的变化量，再根据其分布划分动作；S2，接收使用待测闪存芯片的存储系统发送的闪存可靠性状态；S3，基于当前的预测策略，预测所述闪存可靠性状态对应的动作；S4，比较上一轮预测动作与实际动作，得到回报值，并基于所述回报值更新所述预测策略；其中，所述实际动作与所述存储系统执行所述待执行操作后得到的可靠性特征参数的变化量对应；S5，重复执行S2至S4，直至达到停止条件。从而，本发明不需要庞大的训练数据预先训练就能够进行闪存可靠性特征参数预测。

公开(公告)号：CN110851079A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911027908.0

申请日：2019-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘政林 ,  潘玉茜 ,  李腾飞 ,  林羽盛

IPC: G06F3/06

Abstract: 本发明公开了一种自适应的存储装置损耗均衡方法及装置，属于计算机技术领域，包括：(1)通过存储单元质量模型对非易失性存储器质量评估，并建立质量评估表；(2)若质量评估表中质量最优的存储单元与质量最劣的存储单元之间的量化质量差满足阈值条件，重新设置存储单元使用优先级；(3)接收数据命令后，采用使用优先级最高的存储单元擦写，并更新存储单元对应的质量评估表和特征数据；(4)满足预设条件的存储单元，将特征数据输入存储单元质量模型更新存储单元对应的质量评估表；不满足预设条件的存储单元，转至步骤(2)；(5)直至存储设备正常使用。本发明充分考虑了存储单元的擦写次数，延长了存储设备可靠工作的时间。

公开(公告)号：CN110837477A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910950724.5

申请日：2019-10-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘政林 ,  潘玉茜 ,  王志强 ,  齐明阳

IPC: G06F12/02

Abstract: 本发明公开一种基于寿命预测的存储系统损耗均衡方法及装置，包括：对存储系统的各个存储单元进行寿命预测，预测得到各个存储单元的剩余使用次数；当存储单元进行一次读或写操作后，其剩余使用次数减1；确定各个单元的剩余使用次数中的最大值和最小值，将最大值减最小值得到最大差值；若剩余使用次数的最大差值大于预设损耗均衡阈值，则将剩余使用次数最大值对应存储单元中的数据拷贝到剩余使用次数最小值对应的存储单元；并将剩余使用次数最大值对应存储单元中的数据擦除，并将该剩余使用次数最大值对应存储单元用于热数据存储，对存储系统进行损耗均衡。本发明真实反映存储单元可使用状态，提高存储单元后期的利用率，延长存储系统的使用寿命。

公开(公告)号：CN108363639A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810125124.0

申请日：2018-02-07

Applicant: 武汉忆数存储技术有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 刘政林 ,  王宇 ,  潘玉茜 ,  李四林

IPC: G06F11/10

Abstract: 本发明涉及一种参数可配置的动态BCH纠错方法及装置，其中方法包括，根据Flash页容量大小、冗余区空间以及错误率要求，选择合适的纠错码码长分组方案；根据Flash的比特错误率变化曲线设置与短码方案和长码方案的级别相对应的纠错能力调整阈值；Flash系统固件实时获取P/E周期数，并根据所述P/E周期数与所述纠错能力调整阈值的大小，选取合适的纠错模式级别，以实现BCH纠错参数的动态配置。区别于一种固定参数的BCH纠错方案，参数可配的BCH纠错模块可以适用于多种页容量大小的Flash芯片，因此不必在更换Flash的同时再去设计相应的纠错模块，提高整个Flash控制器的兼容性。同时固件可根据不同Page具体的P/E周期数，结合其实际出错比例，在保证可靠性的前提下尽可能提高Flash读写性能。