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公开(公告)号:CN118335446A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410624294.9
申请日:2024-05-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域,具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲匀场磁体。通过本申请,线圈内表面轴向上被制成一个圆弧状的内凹面,所述内凹面相对于中间径向平面对称。在磁场达到峰值时,尽管导体已经发生很大的变形,但内表面仍然能够保持明显的凹面形状。由于线圈内表面是内凹面,在趋肤效应和电磁扩散效应的作用下,电流密度将会尽可能多地集中在导体内表面的上下棱处,对线圈中心点形成等效亥姆霍兹双线圈效应,显著提高磁场均匀度。本发明在不改变电源容量和电源电压的条件下,相比传统单匝线圈磁体有效提高磁场均匀度,并有效增加均匀磁场的空间体积,且能够以较为简单的工艺,达到提高破坏性脉冲磁体磁场均匀程度。
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公开(公告)号:CN117637309A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311784566.3
申请日:2023-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁体线圈的轴向减压结构和具有该减压结构的磁体,属于磁体结构优化技术领域。包括:第一端部磁体、第二端部磁体和固定组件;所述第一端部磁体和第二端部磁体分别固定放置在磁体线圈轴向两端,且与磁体线圈存在轴向间隙,用于在端部磁体通电时,与通电的磁体线圈之间形成相互的磁场吸引力;固定组件,用于固定第一端部磁体和第二端部磁体,使端部磁体保持与磁体线圈之间的轴向间隙。本发明通过磁体线圈轴向两端的端部磁体在通电时与通电磁体线圈之间产生的相互磁场吸引力,减小磁体线圈的轴向压应力,提升高场磁体的使用寿命。
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公开(公告)号:CN115692013A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202211426668.3
申请日:2022-11-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F41/06 , H01F41/094
Abstract: 本发明公开了一种高场脉冲磁体的轴向加固装置,属于脉冲强磁场技术领域;该加固装置包括端部组件和内固定组件;其中,端部组件包括两个平行的端板,其与脉冲磁体线圈径向平面平行,分别布置在脉冲磁体线圈两端;内固定组件与端部组件的端板垂直,其主体布置在端部组件的两个端板之间,位于磁体线圈内部会出现线圈层间自由分离的界面位置。在磁体线圈绕制或装配到预定步骤后,布置内固定组件,将端部组件的两个端板夹紧,为端板提供额外轴向预紧力;本发明能有效减小磁体线圈绕制或装配过程中因线圈所受环向预紧力导致的线圈匝间轴向间隙,进而减小了磁体放电时磁体端部线圈与端板之间的轴向间隙,提高了磁体使用寿命。
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