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公开(公告)号：CN104505117B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410851866.3
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突，使存储器能够完全随机实时地进行访问。
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公开(公告)号：CN103489477B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310398912.4
申请日：2013-09-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/4125
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。
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公开(公告)号：CN103531596B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310433458.1
申请日：2013-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/14 , H01L27/148
Abstract: 本发明公开了一种基于单眼套叠的全色复眼成像探测芯片，其特征在于，包括面阵折射微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块；面阵全色探测器被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器；面阵折射微透镜包括多个阵列分布的单元折射微透镜，每单元折射微透镜与一个子面阵全色探测器对应；驱控预处理模块将各子面阵全色探测器中相同位置的光敏元的电信号归属到一个单眼的成像操作，通过对面阵全色探测器的光电信号进行量化、解算和校准处理，得到基于观察视角或目标姿态的序列高像质图像数据。本发明的全色复眼探测芯片可捕获目标多视角/多姿态图像，实现高空间分辨率与高角分辨率的兼容，测量精度高，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN103542940A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310443095.X
申请日：2013-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种基于波矢测量的红外成像探测芯片，包括面阵红外折射微透镜、面阵非制冷红外探测器和驱控预处理模块；其中，面阵非制冷红外探测器位于所述面阵红外折射微透镜的焦面处，被划分成多个阵列分布的子面阵非制冷红外探测器，每个子面阵非制冷红外探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元；面阵红外折射微透镜包括多个阵列分布的单元红外折射微透镜，每单元红外折射微透镜与一个子面阵非制冷红外探测器对应。本发明的红外成像探测芯片可测量的红外波矢方向的变动范围大，测量精度高，结构紧凑，环境适应性好，易与常规红外光学系统、电子和机械装置匹配耦合。
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公开(公告)号：CN103531596A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310433458.1
申请日：2013-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/14 , H01L27/148
Abstract: 本发明公开了一种基于单眼套叠的全色复眼成像探测芯片，其特征在于，包括面阵折射微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块；面阵全色探测器被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器；面阵折射微透镜包括多个阵列分布的单元折射微透镜，每单元折射微透镜与一个子面阵全色探测器对应；驱控预处理模块将各子面阵全色探测器中相同位置的光敏元的电信号归属到一个单眼的成像操作，通过对面阵全色探测器的光电信号进行量化、解算和校准处理，得到基于观察视角或目标姿态的序列高像质图像数据。本发明的全色复眼探测芯片可捕获目标多视角/多姿态图像，实现高空间分辨率与高角分辨率的兼容，测量精度高，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102306142A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110231430.0
申请日：2011-08-11
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02D10/13
Abstract: 本发明公开了一种FFT倒序操作存储器数据调度方法及电路，使用两块N/2深度单端口存储器进行数据调度，充分发挥单端口存储器的面积和功耗优势，有效减少了片上存储器面积；采用统一的数据暂停信号和读后便写的读写策略，使得该设计能够等待外部数据的暂停，而不丢失数据和影响读写时序；采用固定规则的N个时钟数据延迟，有效避免了使用较大FIFO存储器实现最短延迟时间的检测逻辑。本发明具有灵活的可配置性和可扩展性，最大程度地避免了不同点数对于存储器容量和控制逻辑的依赖；与现有的倒序操作方法相比，本发明占用的资源少，可配置灵活性好，能够处理带中断暂停的连续数据流。
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公开(公告)号：CN102208005A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110142679.4
申请日：2011-05-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06G7/19
Abstract: 2-D卷积计算在图像处理领域中有着广泛的应用，本发明公开了一种2-D卷积器，通过将2-D卷积计算分解为多1-D卷积计算窗口并行计算以及采用图像数据以行或列主导Zigzag扫描格式输入的策略，减少了片上存储器的容量，降低了片上资源开销；并且2-D卷积器能接受行或列主导Zigzag扫描格式这两种不同图像数据输入格式的特点，使得本2-D卷积器适用于不同的应用系统；通过调整中间结果暂存单元各双端口SRAM的深度W，在片上存储器容量和外部带宽之间做出较好的折中，带来系统设计的灵活性。与现有的2-D卷积器相比，本发明占用的硬件资源少，吞吐率可以满足大多数图像处理系统的实时性要求，可用于实现低成本嵌入式系统中2-D卷积计算。本发明属于超大规模集成电路结构设计领域。
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公开(公告)号：CN103955919A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410141691.7
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种SIFT特征向量梯度直方图多通道更新电路，使用16个八维四更新的直方图组来取代1个128维16更新的直方图，每一个八维四更新的直方图代表同一空间位置的NBO方向维度的子特征值向量。所述电路包括：第一三线性插值模块、第二三线性插值模块、方向地址仲裁模块、第一至第十六四通道更新仲裁模块、第一至第十六八维四通道更新直方图模块。本发明的电路硬件面积开销仅占传统128维16更新的直方图电路面积开销的28%。从硬件开销方面，本电路优势明显；并且在SMIC0.18um的工艺下，本发明的最高工作频率为130MHz，传统128维16更新的直方图电路最高工作频率为100MHz。
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公开(公告)号：CN103489477A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310398912.4
申请日：2013-09-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/4125
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。
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公开(公告)号：CN103474092A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310397216.1
申请日：2013-09-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C11/4125
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余和双路循环反馈技术实现抗单粒子翻转效应加固，具有较好的抗辐射特性，且电路结构简单，单元面积小。
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