公开(公告)号：CN202275026U

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201120401933.3

申请日：2011-10-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  刘胜 ,  胡畅 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海

IPC: G01N3/10

Abstract: 焊球强度测试装置，属于位移和气体压强测试装置，解决现有接触式测量方法需要制造加工更小的测量元件并保证其强度的问题。本实用新型包括气源、增压泵、左支架、丝杆、喷嘴、喷嘴载台、光栅尺位移传感器、元件载台、右支架、底座和光栅尺支架；本实用新型空气或氮气通过喷嘴输出，对焊球施加作用力，与接触式的测量装置相比，喷嘴的口径可以大于焊球直径，不需要制造加工与焊球尺寸相近并且高强度的探针或者切刀，在实际测量中也避免了测试工具的损耗和误差，喷嘴输出压力可以设置，测量的灵活性和测量范围较大，可以有效保护测量仪器并保证测量结果的准确；适用于微电子封装器件强度测试。

公开(公告)号：CN202332838U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120454618.7

申请日：2011-11-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  刘胜

IPC: H01L23/538

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命。