公开(公告)号：CN114536975A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210190282.0

申请日：2022-02-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈建魁 ,  李永良 ,  尹周平 ,  张森

IPC: B41J2/01 ,  B41J29/393

Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印中墨滴落点定位精度检测方法及装置，属于喷墨打印误差检测技术领域。方法包括：计算喷头上各喷孔投影至打印方向时的落点位置，其中，喷头上各喷孔按照M行N列的形式排列分布；根据各所述落点位置设计全喷孔参与的试打印点阵图案，并进行打印；获取打印结果，并计算每个墨滴对应的落点偏差值，得到各喷孔喷射的墨滴落点偏差集；若所述墨滴落点偏差集分散情况大于预设阈值，则剔除对应的喷孔；基于剩余喷孔对应的墨滴落点偏差集，得到喷头整体偏置补偿值，完成墨滴落点定位精度检测。本发明可检测喷墨打印过程中墨滴落点定位精度，尤其适用于喷墨打印制造高分辨率显示器件领域。

公开(公告)号：CN108193271B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201711466810.6

申请日：2017-12-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 郑志平 ,  傅邱云 ,  周东祥 ,  罗为 ,  陈成 ,  张明智 ,  张森

IPC: C30B29/12 ,  C30B28/06 ,  C30B13/14 ,  C30B13/28

Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620‑650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。

公开(公告)号：CN104495753B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410695912.5

申请日：2014-11-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈超 ,  姚洪 ,  徐凯 ,  张森 ,  胡晓炜 ,  肖黎 ,  罗光前

IPC: C01B5/00

Abstract: 本发明公开了一种控制流量的水蒸气发生方法及装置，通过氢气与金属氧化物颗粒在高温条件下反应生成水蒸气，其中金属氧化物颗粒中的金属阳离子的氧化性强于氢离子。由于高温条件下氢气与金属氧化物颗粒的反应速率很快，且反应属于不可逆反应，氢气可被完全氧化，能连续产生浓度接近100％的高纯水蒸气；且水蒸气的流量完全受氢气的流量控制。由于氢气的流量控制精度很高，因此比起传统液态水发生水蒸气的发生方法，本发明对水蒸气流量的控制精度大大提高；另外，反应的氢气与生成的水蒸气的摩尔比为1:1，反应过程中没有气体体积流量变化，可确保水蒸气的压力稳定。因此本发明具有水蒸气输出压力和流量稳定、流量控制精度高的优点。

公开(公告)号：CN104495753A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410695912.5

申请日：2014-11-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈超 ,  姚洪 ,  徐凯 ,  张森 ,  胡晓炜 ,  肖黎 ,  罗光前

IPC: C01B5/00

CPC classification number: C01B5/00

Abstract: 本发明公开了一种控制流量的水蒸气发生方法及装置，通过氢气与金属氧化物颗粒在高温条件下反应生成水蒸气，其中金属氧化物颗粒中的金属阳离子的氧化性强于氢离子。由于高温条件下氢气与金属氧化物颗粒的反应速率很快，且反应属于不可逆反应，氢气可被完全氧化，能连续产生浓度接近100％的高纯水蒸气；且水蒸气的流量完全受氢气的流量控制。由于氢气的流量控制精度很高，因此比起传统液态水发生水蒸气的发生方法，本发明对水蒸气流量的控制精度大大提高；另外，反应的氢气与生成的水蒸气的摩尔比为1:1，反应过程中没有气体体积流量变化，可确保水蒸气的压力稳定。因此本发明具有水蒸气输出压力和流量稳定、流量控制精度高的优点。