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公开(公告)号：CN113517397B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110639876.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器，包括：制备下电极；在下电极上沉积阻变材料层；在阻变材料层上沉积上电极：采用磁控溅射方式沉积上电极，通过控制溅射功率以控制上电极金属粒子具备合适的动能，并控制上电极和阻变材料层所处区域的真空度，以使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积上电极；或选用相比阻变材料层金属元素活性高的材料作为上电极的金属材料，使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积出上电极。本发明提高了双极选通器件的性能。
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公开(公告)号：CN113517397A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110639876.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器，包括：制备下电极；在下电极上沉积阻变材料层；在阻变材料层上沉积上电极：采用磁控溅射方式沉积上电极，通过控制溅射功率以控制上电极金属粒子具备合适的动能，并控制上电极和阻变材料层所处区域的真空度，以使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积上电极；或选用相比阻变材料层金属元素活性高的材料作为上电极的金属材料，使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积出上电极。本发明提高了双极选通器件的性能。
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公开(公告)号：CN110210613A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910433249.4
申请日：2019-05-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于脉冲神经网络技术领域，公开一种基于强化学习的脉冲神经网络模拟电路；包括：输入层神经元，隐藏层神经元，输出神经元和突触；输入层神经元通过突触与隐藏层神经元连接，隐藏层神经元通过突触与所述输出神经元连接；突触用于根据权重值将前级神经元的第一脉冲信号进行调节后传递给后级神经元，还用于接收后级神经元输出的第二脉冲信号，并根据第一脉冲信号和第二脉冲信号之间的时间差以及奖励信号对所述权重值进行更新。本发明基于强化学习，搭建脉冲神经网络电路，实现XOR分类功能。与传统的脉冲神经网络相比，具有更快的训练速度和更高的准确率。
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公开(公告)号：CN117077753B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310884779.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种类脑智能驾驶控制模型升级方法及类脑智能驾驶方法，属于自动驾驶技术领域，升级方法包括：当训练驾驶新任务时，执行：步骤S1：获取已有的类脑智能驾驶控制模型，模型包括任务决策神经网络和任务融合神经网络；步骤S2：在任务决策神经网络的隐藏层新增神经元和突触、在输出层新增新任务的决策，上一层新增的神经元在输出方向只与下一层新增的神经元连接、每一层新增的神经元在输入方向与上一层每个神经元连接；步骤S3：固定更新后的任务决策神经网络中原有的突触权重，输入训练数据进行训练。通过上述方法，尽可能的复用旧任务学习到的特征等知识，增强新任务的泛化性，减少新任务的训练代价。
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公开(公告)号：CN114724595B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210272801.8
申请日：2022-03-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C5/02 , G11C5/06 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种卷积运算加速器及卷积运算方法，属于微电子器件领域；其中，每条字线电极将矩阵排列的非易失性存储单元中的一列连接起来，每条位线电极倾斜地将矩阵排列的非易失性存储单元连接起来；每条字线的输入数据可以和上下两层卷积核单元进行乘加操作，实现卷积核单元在二维输入中y方向上的天然滑动；倾斜的位线和卷积核在每层非易失性存储阵列中的多次复制可以使一个输入数据和相同卷积核单元中不同位置的卷积核数据进行乘法运算，实现卷积核单元在二维输入中x方向上的天然滑动，可以在不将二维输入展开为一维的情况下一次性并行完成卷积计算，运算速度快，并行程度及阵列单元的利用率均较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115266813A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210636343.1
申请日：2022-06-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种热泳驱动的纳米孔测序装置，属于生物医学工程技术领域。本发明将二维材料堆叠层布置在存储有不同温度溶液的两个腔室之间，并设置有孔隙能够使分子或离子通过；该二维材料堆叠层包括多层堆叠的隔热系数热导率低于26.2W/m*K的二维材料；本发明为现有纳米孔测序器件引入了基于温度梯度的热泳控制方法，有助于解决现有架构下各类目标分析物过孔过快、形态控制难、特征单一等问题。利用不同种类纳米颗粒(或分子)具有的不同热泳系数可实现待检测颗粒(或分子)的判别和分离。此外，对于DNA检测，还可通过控制溶液温度使DNA链展开，减小自杂化的概率，有利于DNA分子穿过纳米孔时的碱基测序。
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公开(公告)号：CN110991610B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201911191018.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种概率神经元电路、概率神经网络拓扑结构及其应用，概率神经元电路包括积分电容、非固定阈值易失性器件和负载电阻；积分电容的一端外接突触电阻及连接非固定阈值易失性器件的一端，易失性器件的另一端连接负载电阻的一端。网络拓扑结构包括多个输入神经元电路、多个概率神经元电路和侧向抑制神经元电路；每个概率神经元电路用于基于其非固定激发阈值及各输入神经元电路发放的电信号进行随机激发；抑制神经元电路用于当接收到前n个概率神经元电路激发的信号时，抑制后续其它概率神经元电路的激发。本发明在神经元电路中引入非固定阈值易失性器件，极大拓展了神经元电路的应用，特别的可用于解决非确定性问题，且具有可靠的解决结果。
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公开(公告)号：CN113408719A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110732894.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种基于非熔融态相变器件的多级联想记忆电路，属于人工神经网络领域，包括：N+1个输入节点，分别用于接收非条件刺激信号和各级条件刺激信号；N(N+1)/2个互连模块，任意两个输入节点之间连接有一互连模块，以对各输入节点接收到的信号进行两两耦合，每一互连模块包括两条反向并联的支路，每一支路包括串联的非熔融态相变器件和二极管；每一输入节点还依次连接有电阻突触和输出神经元模块，用于对该输入节点中耦合后的信号进行积分，并根据积分结果与神经元阈值电压之间的大小分别输出非条件反应信号和各级刺激反应信号。结构简单、无需复杂外围控制电路且能够模拟经典条件反射中多级条件反射的获取和消退过程。
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公开(公告)号：CN110826709B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910994255.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法，包括三维相变存储器、输入控制模块、置态模块、输出控制模块；通过采用三维相变存储器进行3D卷积运算，其同一位线上的相变单元构成相变单元阵列，对应一个卷积核；基于三维相变存储器的多层堆叠结构，将三维相变存储器的上、下层电极作为信息输入端，经过各自的相变单元阵列后进行卷积，所得卷积结果以电流形式在中层电极上进行叠加，得到上、下层电极输入信息的卷积计算结果之和，一步完成3D卷积运算。运算速度较快，运算功耗也小。另外，三维相变存储器包含立体结构的存储器阵列，占地面积小，集成度高，可以在更小的占地面积下大大提高了3D卷积运算速度。
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公开(公告)号：CN110165049A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910341820.X
申请日：2019-04-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微纳电子技术领域，具体公开了一种基于纳流体的界面型忆阻器及其制备与应用，该界面型忆阻器包括纳米沟道，分别用于容纳第一液体、第二液体的液体沟道；第一液体与第二液体之间存在电导率上的差异，且二者互不相溶，同时，仅有第一液体能够使该纳米沟道对第一液体产生离子选择作用；通过向纳米沟道施加电压，在电场驱动下使纳米沟道内液体界面发生移动使纳米沟道电阻发生变化，或者通过读取电流对应纳米沟道的电阻值，可分别实现忆阻器的写、读功能。本发明利用第一液体、第二液体在纳米沟道中形成的纳流体，利用电场驱动两种不同电导率且互不相溶的溶液在纳米沟道移动，实现电阻变化，构建得到了基于纳流体的界面型忆阻器。
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