一种基片集成腔体超表面天线
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118137116A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410112606.8

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明公开了一种基片集成腔体超表面天线。该天线包括:层叠放置的上层介质基板和下层介质基板;上层介质基板包括由金属通孔围成的基片集成腔体和其中心位置的超表面结构,超表面结构包括若干周期性间隔排列的矩形金属贴片;下层介质基板包括由金属通孔围成的基片集成波导,基片集成波导对基片集成腔体和超表面结构进行馈电;在低频下,超表面结构作为主辐射体,工作在基模模式下;在高频下,基片集成腔体作为主辐射体,工作在高次模模式下,超表面结构改变腔体的高次模分布,使其最大辐射方向沿基片集成腔体的法线方向;其中,两种工作模式对应的谐振频率不重合。通过将这两种辐射模式结合,拓展了天线的综合带宽,实现宽带高增益天线设计。

    一种N型硅太阳能电池的P型发射区银铝电极浆料用无机玻璃粘结剂

    公开(公告)号:CN113362981B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202110659303.4

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的P型发射区银铝电极浆料用无机玻璃粘结剂,属于光伏发电太阳能电池技术领域。该无机玻璃粘结剂为钒酸盐玻璃,其主要材料为V2O5‑B2O3‑ZnO‑Li2O系,按质量百分比,主要成分包括:V2O5占20‑60%,B2O3占10‑40%,ZnO占5‑30%,Li2O占3‑20%。用该玻璃粘结剂制备的银铝浆对N型电池钝化层(Al2O3+SiNx)有良好的腐蚀效果,并且在烧结时,银电极不会破坏电池片的P型发射区,使银电极与硅能形成良好的欧姆接触,接触电阻小于0.5Ω.cm‑2;玻璃熔点为:450‑600℃,与银铝浆的烧结工艺匹配,电极烧结温区宽,满足电池烧结工艺的要求,可实现电池转化效率≥23.5%。

    一种P型发射区欧姆接触银电极浆料

    公开(公告)号:CN113096846A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110312136.6

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种P型发射区欧姆接触银电极浆料,属于光伏发电太阳能电池领域。按质量百分比,包括如下组分:银粉70~90%;玻璃粉1~6%;有机载体相5~20%;添加剂1~5%;所述玻璃粉为Na2O‑TeO2‑PbO‑B2O3体系玻璃材料。选用Na2O‑TeO2‑PbO‑B2O3玻璃制备而成的银电极浆料对N型电池P型发射区表面的减反层和钝化层的腐蚀效果好,可以达到使金属银粉接触P发射区形成欧姆接触的要求。实验结果表明,所测得的银电极接触电阻优于银铝浆形成的接触电阻,同时还避免了漏电问题和线电阻增加的问题。

    一种兼具高热导率和高强度的氮化铝陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN111484333A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201910081721.2

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域,更具体的,涉及一种无压烧结高热导率高强度的氮化铝陶瓷的制备。本发明通过将无压烧结得到的氮化铝烧结体进行氧化处理制备氮化铝陶瓷,适当的氧化处理可以在氮化铝烧结体表面形成厚度适当且致密的氧化层,氧化层的形成可以增加氮化铝基体内的残余压应力,残余应力的改变有助于阻止氮化铝陶瓷内裂纹的扩展并降低氮化铝晶界的接触热阻。本发明所提供的氮化铝陶瓷,在氧化处理后可使其热导率提高至185~210W/(m·K),抗弯强度提高至390~460MPa,介电常数为9~10,介电损耗为0.8×10-3~2.4×10-3,可以满足半导体器件和集成电路等产业的应用要求。

    一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108249902B

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201810125883.7

    申请日:2018-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法,其中微波介质陶瓷包括主晶相,主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y,其中,A为Ba1‑zSrz、Ba1‑zCaz或者Sr1‑zCaz,B为Cu或者Mg,0.5≤x≤2,1≤y≤4,0≤z≤1。微波介质陶瓷的介电常数为4.2~12,微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz~82071GHz。微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为‑60ppm/℃~‑1.2ppm/℃。在制备过程中烧结温度为950℃~1125℃。可以看出,本发明制备时烧结温度的范围较大,制备得到的微波介质陶瓷具有低介、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点。

    一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法

    公开(公告)号:CN104162682B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201410403941.X

    申请日:2014-08-15

    Inventor: 付明 李宏勇 王玥

    Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法,包括以下步骤:将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到A溶液;将瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到B溶液;在搅拌的情况下,将A溶液逐渐滴加到B溶液,反应一段时间;静置,沉淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为粒子表面改性剂,在液相化学还原法下制备得到平均粒径D50为1.0-3.0μm的银粉,并兼顾了银粉的分散性、球形度、结晶性以及振实密度,制备得到的银粉可进一步用于制作高粘度、触变性好、高固含量的正银浆料、制作硅太阳能电池的正面银电极,制备得到的硅太阳能电池转换效率可达到18.78%,具有广阔的应用前景。

    一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法

    公开(公告)号:CN104162682A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201410403941.X

    申请日:2014-08-15

    Inventor: 付明 李宏勇 王玥

    Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法,包括以下步骤:将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到A溶液;将瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到B溶液;在搅拌的情况下,将A溶液逐渐滴加到B溶液,反应一段时间;静置,沉淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为粒子表面改性剂,在液相化学还原法下制备得到平均粒径D50为1.0-3.0μm的银粉,并兼顾了银粉的分散性、球形度、结晶性以及振实密度,制备得到的银粉可进一步用于制作高粘度、触变性好、高固含量的正银浆料、制作硅太阳能电池的正面银电极,制备得到的硅太阳能电池转换效率可达到18.78%,具有广阔的应用前景。

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