一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法

    公开(公告)号:CN104162682B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201410403941.X

    申请日:2014-08-15

    Inventor: 付明 李宏勇 王玥

    Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法,包括以下步骤:将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到A溶液;将瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到B溶液;在搅拌的情况下,将A溶液逐渐滴加到B溶液,反应一段时间;静置,沉淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为粒子表面改性剂,在液相化学还原法下制备得到平均粒径D50为1.0-3.0μm的银粉,并兼顾了银粉的分散性、球形度、结晶性以及振实密度,制备得到的银粉可进一步用于制作高粘度、触变性好、高固含量的正银浆料、制作硅太阳能电池的正面银电极,制备得到的硅太阳能电池转换效率可达到18.78%,具有广阔的应用前景。

    一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法

    公开(公告)号:CN104162682A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201410403941.X

    申请日:2014-08-15

    Inventor: 付明 李宏勇 王玥

    Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法,包括以下步骤:将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到A溶液;将瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到B溶液;在搅拌的情况下,将A溶液逐渐滴加到B溶液,反应一段时间;静置,沉淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为粒子表面改性剂,在液相化学还原法下制备得到平均粒径D50为1.0-3.0μm的银粉,并兼顾了银粉的分散性、球形度、结晶性以及振实密度,制备得到的银粉可进一步用于制作高粘度、触变性好、高固含量的正银浆料、制作硅太阳能电池的正面银电极,制备得到的硅太阳能电池转换效率可达到18.78%,具有广阔的应用前景。

    一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103641477A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310659224.9

    申请日:2013-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法。反铁电陶瓷材料由质量分数为k的四方反铁电相和质量分数为(1-k)的正交反铁电相复合而成;四方反铁电相为(Pb0.87-1.5xBa0.1La0.02Mx)(Zr0.95-ySnyTi0.05)O3,正交反铁电相为(Pb0.97La0.02)(Zr0.95-zSn0.05Tiz)O3,其中,M为Y、Eu和Yb中的一种,x=0~0.015,y=0.25~0.45,z=0.03~0.05,k=40%~60%。制备方法包括如下步骤:(1)制备四方相反铁电陶瓷粉体;(2)制备正交相反铁电陶瓷粉体;(3)将四方相反铁电陶瓷粉体和正交相反铁电陶瓷粉体按质量百分比复合得到反铁电储能陶瓷材料。该反铁电陶瓷材料在保持较高的饱和极化强度的同时,获得较大的铁电-反铁电相变场,从而使储能密度得到大幅提高。

    一种金属腔体毫米波天线
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113161725B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202110266697.7

    申请日:2021-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种金属腔体毫米波天线,其包括,金属盖板,金属盖板上开有四个辐射口;金属腔体,用于接收电磁波产生谐振;四个金属块体,均匀地置于金属腔内,与腔体底面相连接,与上方四个辐射口共用同一个腔体,形成四个辐射单元,每个金属块的上表面有沿X轴方向的电流,形成一个面电流辐射结构;通过在腔体上方添加金属盖板,每个金属块平行于Y轴的两边与辐射口形成辐射双缝,等效为两个磁流辐射结构。四个辐射单元共用同一个腔体和一个馈电耦合缝隙,使天线结构得到简化;天线的厚度小于一个波长,具有低剖面的特性;整个天线为纯金属结构,避免了介质损耗问题,本发明天线具有低剖面、高增益、低损耗和高效率的特性。

    一种用于毫米波汽车雷达的组合天线

    公开(公告)号:CN113725599B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202111038764.6

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 电。该天线结构简单,设计容易,成本低廉,适合本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷 用于毫米波段汽车雷达。达的组合天线,由三层介质材料和四层金属构成。金属层包括辐射层,天线反射层,带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元,网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线。辐射边由渐变微带线代替了传统的同宽度微带线,单元之间的连接段与网格单元辐射边长宽一致,降低了天线设计难度。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元,并通过微带线与网格非辐射边相连,与单元间连接段组成了串联贴片天线,有效利用了天线面积。由于网格单元中间的区域较小,贴片天线产生的谐振模式频率略高于网格天线,因此两种形式的辐射单元形成了组合天线效果,产生的两组谐振模式辐射拓宽了天线工作带宽。天线采用过孔馈电,馈电点关于线阵中心左右对称,过孔穿过天线反射地层上的通孔与带状线馈电

    一种N型硅太阳能电池的P型发射区银铝电极浆料用无机玻璃粘结剂

    公开(公告)号:CN113362981A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110659303.4

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的P型发射区银铝电极浆料用无机玻璃粘结剂,属于光伏发电太阳能电池技术领域。该无机玻璃粘结剂为钒酸盐玻璃,其主要材料为V2O5‑B2O3‑ZnO‑Li2O系,按质量百分比,主要成分包括:V2O5占20‑60%,B2O3占10‑40%,ZnO占5‑30%,Li2O占3‑20%。用该玻璃粘结剂制备的银铝浆对N型电池钝化层(Al2O3+SiNx)有良好的腐蚀效果,并且在烧结时,银电极不会破坏电池片的P型发射区,使银电极与硅能形成良好的欧姆接触,接触电阻小于0.5Ω.cm‑2;玻璃熔点为:450‑600℃,与银铝浆的烧结工艺匹配,电极烧结温区宽,满足电池烧结工艺的要求,可实现电池转化效率≥23.5%。

    一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法

    公开(公告)号:CN112299837A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202011175349.0

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域,公开了一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法,其中低介微波介质陶瓷材料,其主晶相的化学通式为CaO‑SnO2‑xSiO2‑yGeO2,其中,0≤x≤1.0,0≤y≤1.0,且主晶相为马来石相,该微波介质陶瓷材料为低介微波介质陶瓷材料,相对介电常数εr=10.37~11.7。本发明通过调控Ca:Sn:Si:Ge的摩尔比1:1:x:y,相应得到的微波介质陶瓷材料,能够在避免Ti元素使用的情况下,获得相对介电常数低至10.37~11.7且谐振频率温度系数τf可自调节的低介微波介质陶瓷材料,有效拓宽了低介电常数微波介质陶瓷材料的选择范围。并且,通过调控SiO2、GeO2的比例,利用离子取代,能够调控微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数τf。

    一种低介微波介质陶瓷材料及其LTCC材料

    公开(公告)号:CN110563463B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201910927298.3

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域,更具体地,涉及一种低介微波介质陶瓷及其LTCC材料。将化学通式为Ca2RE8Si6O26(RE=Nd,Sm,Er)的化合物用于制备微波介质陶瓷材料,并进一步制备LTCC材料。该陶瓷具有低相对介电常数(εr=13.4~14.0)、优异的品质因数(Q×f=16300~18600GHz)和较宽的烧结温度(1350℃~1400℃),同时该微波介质陶瓷具有负的谐振频率温度系数(‑38.1ppm/℃≤τf≤‑17.8ppm/℃)。该微波介质陶瓷的烧结温度在添加一定量的烧结助剂CaO‑La2O3‑B2O3‑SiO2玻璃后能降至950℃以下,能作为一种LTCC材料来使用。

    一种频率可调的介质谐振器天线

    公开(公告)号:CN104953281A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510276142.5

    申请日:2015-05-27

    Abstract: 一种频率可调的介质谐振器天线,属于频率可调天线技术领域。包括介质谐振器(1)、金属底座(2)、矩形通孔(3)、金属波导(4)、同轴传输线(5)、金属滑块(6)、绝缘连杆(7)和直线伸缩驱动单元(8)。本发明采用可调缝隙结构实现的频率可调介质谐振器天线,结构简单易于实现,且辐射特性稳定。相比其它方式实现的频率可调介质谐振器天线,本发明的天线谐振频率调谐范围宽,辐射效率高,所有调谐机构均放置于天线辐射的阴影区内,对天线辐射特性影响小,方向图在可调范围内畸变小,同时具有较高的增益。

    一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法

    公开(公告)号:CN103146101B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201310060312.7

    申请日:2013-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法。在PVDF材料制备中加入热膨胀系数远大于PVDF的微球膨胀剂,当温度从室温升至PVDF的熔融温度时,微球急剧膨胀,微球的体积较室温情况下增大约10~20倍。此后对PVDF进行降温,从熔融温度降温至室温的过程中,PVDF逐渐凝固结晶。在这一过程中,微球急剧收缩,使PVDF在凝固过程中体内形成均匀的张应力,张应力可提高PVDF中β相的结晶度。利用该方法制备的PVDF,其β相结晶度明显提高,材料热释电性能优于普通方法制备的PVDF材料。本发明制备的PVDF有机铁电材料具有较高的β相结晶度、自发极化率和良好的热释电性能,符合铁电有机材料使用要求。

Patent Agency Ranking