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公开(公告)号：CN116304859A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310090150.5
申请日：2023-02-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F18/241 , G06F18/214 , G06N3/094 , G06N3/084 , G06N3/0895 , G21B1/05
Abstract: 本发明公开了一种基于领域泛化的跨装置托卡马克等离子体破裂预测方法，属于磁约束核聚变领域，包括：构建多台托卡马克联合放电数据集；以所述数据集为训练样本对基于领域泛化的破裂预测模型进行训练；所述基于领域泛化的破裂预测模型包括特征提取器、域判别器及分类器；所述特征提取器输出的特征向量为所述域判别器及所述分类器的输入；在训练过程中，以最大化损失为目标，采用对抗学习对所述域判别器进行训练，以最小化分类损失为目标对所述分类器进行训练，最终使特征提取器提取的特征既是领域无关的，又包含破裂前兆特征，训练好的特征提取器能够外推到其它托卡马克装置上进行破裂预测，提升了可迁移性，并能使其应用在大型商用聚变反应堆上。
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公开(公告)号：CN106604427A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610943617.6
申请日：2016-11-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05B3/40
Abstract: 本发明公开了一种石墨电阻。所述石墨电阻包括平行设置的石墨棒阵列，所述石墨棒阵列包括第一石墨棒、第二石墨棒、…、以及第N石墨棒；第i－1石墨棒与第i石墨棒相邻设置，且在同端以导电装置相连，使得第一石墨棒、第二石墨棒、…、以及第N石墨棒依序串联，且每根石墨棒及与其相邻的石墨棒的电流方向均不同，N为石墨棒的根数，i为1～N－1的任意整数。本发明利用串联的石墨棒作为电阻，以减小电阻的整体体积，同时减少寄生电感值。
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公开(公告)号：CN102708931A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210139435.5
申请日：2012-05-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/05
CPC classification number: Y02E30/126
Abstract: 本发明公开了一种强磁场下电子束注入约束的方法及其装置。该方法在磁场中外加一个电场，该电场在沿磁场方向上形成电势阱位形，在垂直于磁场方向形成漂移电场，在所述电势阱中，电子束受到电场力分量的作用沿磁力线方向做往复运动，并在垂直磁力线方向上以电场漂移速度横越磁力线。该装置包括负极板，正极板，阴极，以及第一、第二阱极板。本发明方法通过电势阱的约束，使电子束在平行磁场的方向被有效地约束住，以电场漂移速度横越磁场。本发明装置当阴极产生电子束后，电子束在平行于磁场的方向被很好的约束，并横越磁力线，而不会沿着磁力线漂走，同时也不会影响原来的磁场位形，并且注入的效率非常高，工艺的实现也简单易行。
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公开(公告)号：CN106602890B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201611163656.0
申请日：2016-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M5/458 , H02M7/5387 , H02M1/32
Abstract: 本发明公开了一种分级变频式多路串联谐振逆变电源，包括整流变压器、三相全桥相控整流器、LC滤波器、H桥逆变器、匹配变压器、负载线圈和n个并联连接的分级变频单元，每个分级变频单元包括电荷泄放器、谐振电容器和切换开关，电荷泄放器与所述谐振电容器并联连接后，一端通过切换开关与所述匹配变压器连接，另一端与负载线圈连接。本发明通过投切不同的分级变频单元和匹配对应的H桥逆变器驱动频率，实现电源的分级变频运行；可在极短时间内泄放谐振电容器中的残存电荷，及时消除切换开关承受的直流偏压，防止切换开关过压烧毁；切换开关采用同步触发策略和同步切换策略控制，控制策略简单，保证电源输出电流频率的无缝切换，电流谐波畸变小。
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公开(公告)号：CN106604427B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201610943617.6
申请日：2016-11-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05B3/40
Abstract: 本发明公开了一种石墨电阻。所述石墨电阻包括平行设置的石墨棒阵列，所述石墨棒阵列包括第一石墨棒、第二石墨棒、…、以及第N石墨棒；第i－1石墨棒与第i石墨棒相邻设置，且在同端以导电装置相连，使得第一石墨棒、第二石墨棒、…、以及第N石墨棒依序串联，且每根石墨棒及与其相邻的石墨棒的电流方向均不同，N为石墨棒的根数，i为1～N－1的任意整数。本发明利用串联的石墨棒作为电阻，以减小电阻的整体体积，同时减少寄生电感值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106898385A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710126308.4
申请日：2017-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/15
CPC classification number: G21B1/15
Abstract: 本发明公开了一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和方法；装置包括分段的负极板、正极板和电子枪；负极板与正极板相对并与磁场方向平行放置；电子枪位于极板边缘且平行于极板。本发明采用电子枪，能发射出大量高速运动的电子束；电场由通电极板产生，电场方向与磁场方向垂直；电子枪位于极板边缘且与极板平行，电子枪能发射出大量高速运动的电子束。这些电子束经过分段的电场区域时产生电漂移运动。在极板出口收集电子束，根据收集电子束大小，反馈调整电子枪发射面角度与发射功率。本发明通过分段的电场，克服单一极板产生恒定电场的不足。通过构造合理的电场位形，能使电子束沿着合理的轨迹不打到极板，大大提高注入效率。
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公开(公告)号：CN103050794B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210551933.0
申请日：2012-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01R9/05
Abstract: 本发明公开了一种单芯线同轴线转接头，包括依次串接在同轴线上的第一绝缘法兰、第一导体法兰、第一导体连接板、第二绝缘法兰、第二导体连接板、第二导体法兰和第三绝缘法兰；第一导体连接板的连接臂和第二导体连接板的连接臂分别位于第二绝缘法兰相对的两侧；同轴线的外编织导体的铜丝束周向分散并被第一导体法兰和第一导体连接板对压夹紧；同轴线的中心导体的铜丝束周向分散并被第二导体法兰和第二导体连接板对压夹紧；工作时，电流从同轴线的外编织导体流入，通过第一导体连接板将电流传导至一根单芯线；电流经负载后由另一根单芯线将所述电流传导至第二导体连接板，并经同轴线的中心导体流回电源。
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公开(公告)号：CN116166943A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310090787.4
申请日：2023-02-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F18/21 , G06F18/25 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/0442
Abstract: 本发明公开了一种可迁移的托卡马克等离子体特征提取器及应用，属于磁约束核聚变领域，包括一维卷积神经网络组、拼接模块及长短期记忆神经网络层；一维卷积神经网络组包括依次串联连接的平行卷积一维层、批归一化层、激活函数层和平行一维池化层。本发明通过一维卷积神经网络组提取所有托卡马克异构数据不同的高频特征和空间特征，将低频特征与卷积得到的高频特征和空间特征拼接后输入至长短期记忆神经网络层提取时序特征，最终得到融合了高频特征、低频特征、时间和空间特征的特征向量，该特征向量能够更好的支撑核聚变相关的任务，同时，本发明具有更好的泛化能力，可外推至其它托卡马克装置，能够应对不同诊断对应的物理现象上时间尺度的差异。
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公开(公告)号：CN112397206A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011376152.3
申请日：2020-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种场反等离子体磁压缩装置及方法，属于磁约束核聚变领域，装置包括真空腔室、环绕真空腔室的压缩线圈、电源模块；电源模块中的第一供电模块通过压缩线圈在真空腔室中产生第一压缩磁场；当第一压缩磁场上升到最大值时，第二供电模块接入并通过压缩线圈在真空腔室中产生第二压缩磁场，使得真空腔室中的磁场持续上升，以对真空腔室中的场反等离子体进行级联磁压缩。将等离子体快速加热至高温状态后，接通另一供电模块保证线圈电流继续上升，从而保持一定的加热功率以抵消等离子体中的输运和辐射损失，并且大幅延长等离子体寿命和聚变反应时间；线圈电流升至最大值时可将线圈磁能回馈至电网或电源模块，实现能量回收，提高压缩效率。
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公开(公告)号：CN106898385B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710126308.4
申请日：2017-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/15
Abstract: 本发明公开了一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和方法；装置包括分段的负极板、正极板和电子枪；负极板与正极板相对并与磁场方向平行放置；电子枪位于极板边缘且平行于极板。本发明采用电子枪，能发射出大量高速运动的电子束；电场由通电极板产生，电场方向与磁场方向垂直；电子枪位于极板边缘且与极板平行，电子枪能发射出大量高速运动的电子束。这些电子束经过分段的电场区域时产生电漂移运动。在极板出口收集电子束，根据收集电子束大小，反馈调整电子枪发射面角度与发射功率。本发明通过分段的电场，克服单一极板产生恒定电场的不足。通过构造合理的电场位形，能使电子束沿着合理的轨迹不打到极板，大大提高注入效率。
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