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公开(公告)号:CN112694335A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011603006.X
申请日:2020-12-29
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , H01L23/24 , H01L23/18
Abstract: 本发明涉及一种三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法,包括如下步骤:将聚碳硅烷、硅粉、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合后进行湿法球磨,制备流延浆料;将流延浆料进行流延成型,干燥,制备流延坯;在流延坯中通过化学气相渗透过程填充金刚石,制备三维连续结构金刚石‑碳化硅基板。通过以聚碳硅烷为陶瓷前驱体,流延成型法制备薄板状多孔碳化硅,化学气相渗透法在多孔碳化硅上沉积致密的金刚石,达到了致密化的目的。本发明中的三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法,不仅克服了硅蒸汽渗透法导致的基体中大量硅残余与金刚石易石墨化的问题,还有利于提高复合材料热导率。
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公开(公告)号:CN111470866A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010283572.0
申请日:2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/52 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种金刚石-碳化硅复合材料及其制备方法、电子设备,制备方法包括以下步骤:将金刚石、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合,制备流延浆料;对所述流延浆料进行流延成型处理,制备金刚石预成体;对所述金刚石预成体进行化学气相渗透碳化硅处理,得到金刚石-碳化硅基板;对所述金刚石-碳化硅基板进行热压烧结处理。该金刚石-碳化硅复合材料仅含有金刚石和碳化硅两种物相,具有致密度高及热导率高的优点,是现有的氮化铝基板较好的替代产品;且该方法具有工艺简单,生产周期短,自动化程度高,适合大规模工业生产的优势。
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