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公开(公告)号：CN1234017C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于：由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成，各芯片的磁场敏感方向相互垂直；磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成；磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度，同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN1433093A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02100349.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5－30at％原子百分比氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10－1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料，也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料，也可以是微晶玻璃，也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料，还可以是硅、砷化镓等半导体材料；磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4％的各向异性磁电阻变化率，并且具有高的磁场灵敏度。
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公开(公告)号：CN1356531A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于:磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成,磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米－1毫米;磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成;本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性,减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN101363903A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810222312.1
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器，属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成，在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线，铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间，内径d小于外径D，环宽范围在5纳米到1微米之间，纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下，其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化，制作非常简单，输出信号大，响应快速，特别适合于检测磁场变化的阈值，在磁场转变点的磁场灵敏度极高，可达2－10％/Oe或更高，同时该传感器还可作为磁存储单元。
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公开(公告)号：CN1245608C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于：磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成，磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米-1毫米；磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成；本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，减少其信号处理电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1356559A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于:由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成,各芯片的磁场敏感方向相互垂直;磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成;磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度,同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN102352586A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110231969.6
申请日：2011-08-14
Applicant: 北京科技大学 , 北京天海科科技发展有限公司 , 北京天海新亿科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种物联网铁轨参数测量系统，包括铁轨轨道参数检测装置、至少一个网络传输模块和以计算机为网络终端的轨道参数检测数据库显示系统。其中所述铁轨测量系统还包括电子轨距尺，轨检小车式轨道检查仪或轨道测量仪；网络传输模块用于将所述轨道参数检测装置得到的测量结果通过无线通讯和GPRS/Internet/Intranet/3G网络技术送至铁路系统数据管理中心的数据库显示系统。还公开了一种电子轨距尺，包括用于铁轨参数进行测量的第一模块以及用于操作所述第一模块和显示所述第一模块测量结果的第二模块，其特征在于所述第一模块和第二模块是物理分离的，其间通过有线或者无线方式耦合进行相互信号传输。在所述第二模块中加入无线网络通讯方式，构成物联网式电子轨距尺。
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公开(公告)号：CN100457633C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610011277.X
申请日：2006-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G1/02
Abstract: 本发明提供了一种采用液相法生长铁磁性金属纳米颗粒过程中控制颗粒粒径的方法，属于磁性纳米材料技术领域。工艺步骤为：采用液相法，将反应物分成A、B两部分，A置于反应区，而与A不互溶的溶液E置于非反应区，反应区与非反应区将自动分层。在水平施加交变电场和垂直施加静电场和梯度磁场后，加入B开始生成磁性纳米颗粒，其在交变电场作用下振荡，由于垂直方向上方向相反的库仑力和磁力作用，颗粒粒径小时被束缚在反应区中，当粒径超过临界尺度时，磁力吸引颗粒迅速脱离反应区进入非反应区，从而达到控制颗粒粒径的目的。本发明方法的优点是：可以精确地控制磁性纳米颗粒的粒径；适合在科学研究和工业生产中精确控制磁性纳米颗粒粒径的大小。
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公开(公告)号：CN2641647Y
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03200903.8
申请日：2003-01-14
Applicant: 北京科技大学 , 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京中科科仪技术发展有限责任公司
Abstract: 本实用新型提供了一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验装置。由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。衬底上将预先制备有电流输入电极和电压输出电极，二者的相对位置是：电流输入电极在外侧，电压输出电极在内侧。优点是：清楚地反映薄膜生长过程的动态特性，价格低廉、操作简单。
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公开(公告)号：CN2630798Y
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03236973.5
申请日：2003-01-30
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/243
Abstract: 本实用新型提供了一种采用自旋阀或金属多层膜巨磁电阻薄膜为敏感材料，由巨磁电阻敏感元件芯片(1)、多极充磁的塑料粘接永磁体磁鼓(2)、信号处理电路的线路板(3)及连接固定机械结构(4)构成。将巨磁电阻敏感元件芯片与磁鼓保持一定间隙、沿圆型磁鼓的径向安装。随着磁鼓的转动，巨磁电阻敏感元件芯片感受到磁鼓具有的磁场强弱的变化，并转变成电桥输出电压的变化。经过信号处理，变成高低电位变化的矩形方波脉冲输出信号，构成轴输出、孔输出和与电动机一体化的磁编码器。其优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，信噪比大，易于后续电信号处理和低成本化。
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