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公开(公告)号：CN101363903B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810222312.1
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器，属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成，在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线，铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间，内径d小于外径D，环宽范围在5纳米到1微米之间，纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下，其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化，制作非常简单，输出信号大，响应快速，特别适合于检测磁场变化的阈值，在磁场转变点的磁场灵敏度极高，可达2-10％/Oe或更高，同时该传感器还可作为磁存储单元。
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公开(公告)号：CN101123046B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710120357.3
申请日：2007-08-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种磁敏传感器综合演示实验仪，属于仪器仪表领域。特别涉及磁敏传感器与电动机结合揭示电动机运动状态模拟与数字开环检测和闭环控制特性研究型教学演示仪器。演示仪由机箱，角度传感器测量系统、位移测试系统、电机闭环测试系统，安装测试仪表、操控键盘、切换开关和接线插孔的前面板，带有单片机处理电路的配线线路板构成。本仪器能给出角度传感器转轴转动时的相应角度标准示数，能准确实现位移测量，可以观察演示电机转动如何转变成直线位移的过程。通过任意选择替换不同检测原理测速传感器的备品，能观察不同敏感元件检出信号特性以及成品齿轮测速传感器的检测特性。能检出与电机转速成正比的模拟量输出电压信号特性；能检测电机通电电流大小以及研究功率闭环控制时给出反馈电压信号。
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公开(公告)号：CN1234017C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于：由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成，各芯片的磁场敏感方向相互垂直；磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成；磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度，同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN1356531A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于:磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成,磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米－1毫米;磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成;本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性,减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN101363903A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810222312.1
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器，属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成，在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线，铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间，内径d小于外径D，环宽范围在5纳米到1微米之间，纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下，其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化，制作非常简单，输出信号大，响应快速，特别适合于检测磁场变化的阈值，在磁场转变点的磁场灵敏度极高，可达2－10％/Oe或更高，同时该传感器还可作为磁存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101123046A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710120357.3
申请日：2007-08-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种磁敏传感器综合演示实验仪，属于仪器仪表领域。特别涉及磁敏传感器与电动机结合揭示电动机运动状态模拟与数字开环检测和闭环控制特性研究型教学演示仪器。演示仪由机箱，角度传感器测量系统、位移测试系统、电机闭环测试系统，安装测试仪表、操控键盘、切换开关和接线插孔的前面板，带有单片机处理电路的配线线路板构成。本仪器能给出角度传感器转轴转动时的相应角度标准示数，能准确实现位移测量，可以观察演示电机转动如何转变成直线位移的过程。通过任意选择替换不同检测原理测速传感器的备品，能观察不同敏感元件检出信号特性以及成品齿轮测速传感器的检测特性。能检出与电机转速成正比的模拟量输出电压信号特性；能检测电机通电电流大小以及研究功率闭环控制时给出反馈电压信号。
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公开(公告)号：CN1245608C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于：磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成，磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米-1毫米；磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成；本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN1356559A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于:由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成,各芯片的磁场敏感方向相互垂直;磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成;磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度,同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN2641647Y
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03200903.8
申请日：2003-01-14
Applicant: 北京科技大学 , 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京中科科仪技术发展有限责任公司
Abstract: 本实用新型提供了一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验装置。由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。衬底上将预先制备有电流输入电极和电压输出电极，二者的相对位置是：电流输入电极在外侧，电压输出电极在内侧。优点是：清楚地反映薄膜生长过程的动态特性，价格低廉、操作简单。
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公开(公告)号：CN201259748Y
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200820109619.6
申请日：2008-08-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: G09B23/18
Abstract: 一种磁场特性、磁敏元件综合教学实验仪器，属于仪器仪表领域。其特征是整个实验仪由主实验箱(1)、专用弱磁检测亥姆霍兹线圈检测台(2)、机箱仪表前面板(7)、信号联结侧面板(8)、仪表箱内配线线路板(9)组成；主实验箱(1)包括电磁铁强磁场特性感应敏感元件特性研究部分(3)和磁路特性研究两部分；磁路特性研究部分包括磁集束特性研究部分(4)、U型磁路特性研究部分(5)、E型磁路特性研究部分(6)。本实用新型将当代科学研究的前沿技术转化为基础教学中的研究性实验，为实验者提供进行磁场特性分析、磁路特性分析、磁集束特性分析和多种磁敏感元件特性分析方面的学习型与研究型实验。
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