公开(公告)号：CN106783551A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710039132.9

申请日：2017-01-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘三姐 ,  郑新和 ,  彭铭曾 ,  侯彩霞 ,  王瑾 ,  何荧峰 ,  李美玲

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02376 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板，在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层，在所述掩膜层上用T‑ALD方法选择性生长用于极性变换的AlN，T‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形，能制备均匀性好、厚度可以精确控制的AlN薄膜，剥离掩膜层图案化AlN，省去了传统图案化工艺的刻蚀步骤，避免了刻蚀对器件结构的损害，最后在裸露的N‑极性GaN模板和图案化的AlN上使用HVPE方法进行厚膜GaN生长，有望得到厚度达1mm的极性交替的GaN结构，以满足高功率器件对厚膜交替极性GaN的要求。

公开(公告)号：CN106505408A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610936664.8

申请日：2016-11-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 王瑾 ,  郑新和 ,  刘三姐 ,  侯彩霞 ,  何荧峰 ,  李美玲

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P-GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO2；然后剥离光刻胶，使全部被刻蚀露出的表面与SiO2层之间都镀上一层Al薄层；最后，重复以上标准光刻步骤进行N型区域开窗以及镀扩展电极等工艺操作。该方法可以有效修复因刻蚀引入的表面损伤和刻蚀之后表面附着的O元素对于电子和空穴复合的影响，氧化形成的氧化层还能保护P-GaN部分，有效提高激光器性能与寿命。

公开(公告)号：CN102664107B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201210177761.5

申请日：2012-05-31

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 孔祥华 ,  李美玲 ,  王晓峰 ,  尤政 ,  宋长霖 ,  刘茂林

IPC: H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 一种纳米二氧化锰电极的制备方法，属于一步成型制备电极材料领域。具体步骤为：（1）使用丙酮、5%的盐酸对泡沫镍进行表面预处理。（2）以锰的可溶性盐为主盐，NaNO3为添加剂，室温下配制电沉积液，并使用氨水逐滴调节pH值至6.5~7.0。（3）以泡沫镍为基体，石墨板为对电极采用两电极体系恒流脉冲沉积制备二氧化锰电极（4）80℃干燥得到纳米线二氧化锰电极。所获得的纳米线二氧化锰用作超级电容器电极时CV曲线具有明显的氧化/还原峰；由于其具有较大的表面积，提高了二氧化锰活性物质的利用率，因此纳米线二氧化锰电极具有较高的比容和良好的超级电容特性。