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公开(公告)号：CN113155872B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110382984.4
申请日：2021-04-09
IPC: G01N23/046 , G01N23/18
Abstract: 本发明公开了一种连铸坯内部质量无损定量检测方法，属于连铸坯质量检测技术领域。包括：从连铸坯待检区域如沿内弧到外弧切取一组合适尺寸试样，根据试样尺寸和检测分辨率选用一定能量X射线对钢样进行断层扫描；通过计算机三维重构软件对扫描数据进行分割、重构，得到试样中内部缺陷的三维形貌、体积和空间分布等信息；根据缺陷的体积和圆球度确认缺陷种类，进而获得不同种类内部缺陷在连铸坯中的变化，实现连铸坯内部质量无损定量评估。该方案对所检测试样表面质量没有要求，无需对钢样进行预处理，同时检测时不会破坏试样，可快速无损定量地检测到连铸坯不同种类内部缺陷的三维形貌、圆球度、体积和空间位置分布以及连铸坯体积致密度变化。
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公开(公告)号：CN113106199B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110333553.9
申请日：2021-03-29
Abstract: 一种降低硅锰脱氧钢氧化铝夹杂物的方法及装置，涉及钢铁冶金炼钢领域，包括以下步骤：S1：在转炉吹氧脱碳过程中，通过吹氧降低转炉终点钢水中碳的质量百分含量，控制钢水温度，提高转炉出钢下渣量；S2：在精炼过程中，转炉出钢过程中向钢水中加入脱氧剂；转炉出钢后通过使用低铝合金合金化，并向钢包中加入石英砂，对钢包进行软吹搅拌和静置操作；S3：在连铸过程中，对钢包进行留钢操作，向中间包吹氩并保护浇铸。该方法通过转炉终点低碳出钢提升钢水和精炼渣氧化性，出钢过程中脱氧合金加入控制、精炼渣成分控制、钢包吹氩控制、连铸保护浇铸，降低夹杂物中的氧化铝含量和夹杂物总量，提升夹杂物的变形能力，降低夹杂物的断丝率。
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公开(公告)号：CN107557854B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201710826240.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种晶体硅可控化生长及提纯的方法,属于冶金提纯及晶体生长交叉技术领域。该方法构建具有三明治结构“冶金硅‑溶剂金属‑籽晶”的样品原料，放置于具有温度梯度的热场中进行加热、保温，待保温结束后快速淬火冷却至室温，最终分离得到生长速度可控、品质(纯度、杂质分布)可控、晶体取向可控的块状晶体硅，并将冶金硅源、硅合金及籽晶回收重复利用。本发明主要通过添加冶金硅源以促进晶体硅稳定生长，提高生长速率；添加籽晶衬底以有效调控生长硅晶体取向；其次通过添加低熔点溶剂金属与冶金硅形成合金熔体，有效降低晶体硅生长温度，降低能耗，降低生长硅中杂质含量，提高提纯效果。本发明生长提纯晶体硅满足太阳能级硅的要求，节能降耗环保，生产效率高。
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公开(公告)号：CN112794364B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110038280.5
申请日：2021-01-12
IPC: C01G31/02
Abstract: 本发明公开了一种两级熔融结晶分离五氧化二钒的方法，属于化工、材料技术领域。本发明将冶金级五氧化二钒在高压环境下先加热至熔融状态，并在高压环境下分别进行一级结晶和一级过滤得到一级结晶产物和一级过滤液，之后将上述一级过滤液进行二级结晶和二级过滤得到二级结晶产物和二级过滤液，最后将上述二级过滤液冷却后得到低熔点五氧化二钒；使用冶金级五氧化二钒为原料进行两级熔融结晶精炼，整个过程不使用其他熔剂，避免了其他熔剂造成的二次污染；分阶段去除五氧化二钒中的高熔点和低熔点杂质，达到了高效、清洁、节能提纯的目的；高压环境下进行一级结晶和一级过滤提高五氧化二钒的纯度及收得率。
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公开(公告)号：CN113252642A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110483962.7
申请日：2021-04-30
Abstract: 本发明属于钢铁冶金检测领域，涉及一种钢中非金属夹杂物成分快速测定装置及测定方法。该装置包括：用于对测试样品进行加热，实现快速熔化，使夹杂物上浮速率提升的测定炉体，用于快速确定钢样表面夹杂物成分的成分采集单元，用于提供保护性气体防止熔化过程发生二次氧化，同时可快速冷却的供气单元，用于对凝固后的样品表面进行成像，并记录图像信息的数据采集单元。本发明的有益效果是：装置的结构简单，利用有效频率感应加热产生的电磁力搅动也低，升温均匀，提升钢中非金属夹杂物向样品表面的上浮速率，实现样品快速冷却至室温，防止钢样凝固和冷却过程中夹杂物发生转变，快速确定钢样表面夹杂物成分，缩短测试时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112877746A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110038282.4
申请日：2021-01-12
Abstract: 本发明公开了一种制备高纯镥铝石榴石前驱体的方法，属于高纯镥铝石榴石制备技术领域。本发明选用高纯镥铝合金作为阳极板，经过电辅助转化和外场作用，同时用多孔膜过滤阳极杂质，得到镥铝氢氧化物沉淀，再将其先后经过滤、洗涤和干燥处理得到高纯镥铝石榴石前驱体；多孔膜可避免阳极杂质对电解产物镥铝氢氧化物的污染，外场不仅促进Al3+、Lu3+穿过多孔膜，提高电解速率和效率，还可以而控制镥铝氢氧化物从阴极脱落的时机，防止其长大，确保尺寸的均一性，实现对生成的镥铝石榴石前驱体粉体粒度的控制；生产过程中产生的阳极泥可制备镥铝合金副产品，阴极产生氢气副产品，均可以增加技术的经济性。
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公开(公告)号：CN112877718A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110038285.8
申请日：2021-01-12
IPC: C25B1/20 , C25B11/046 , C25B9/19 , C25B15/00
Abstract: 本发明公开了一种制备高纯镁铝尖晶石前驱体的方法，属于高纯镁铝尖晶石制备技术领域。本发明选用高纯铝镁合金作为阳极板，经过电辅助转化和外场作用，同时用多孔膜过滤阳极杂质，得到镁铝氢氧化物沉淀，再将其先后经过滤、洗涤和干燥处理得到高纯镁铝尖晶石前驱体；多孔膜可避免阳极杂质对电解产物镁铝氢氧化物的污染，外场不仅促进Al3+、Mg2+穿过多孔膜，提高电解速率和效率，还可以而控制镁铝氢氧化物从阴极脱落的时机，防止其长大，确保尺寸的均一性，实现对生成的镁铝尖晶石前驱体粉体粒度的控制；生产过程中产生的阳极泥可制备铝镁合金副产品，阴极产生氢气副产品，均可以增加技术的经济性。
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公开(公告)号：CN107557854A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710826240.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种晶体硅可控化生长及提纯的方法,属于冶金提纯及晶体生长交叉技术领域。该方法构建具有三明治结构“冶金硅-溶剂金属-籽晶”的样品原料，放置于具有温度梯度的热场中进行加热、保温，待保温结束后快速淬火冷却至室温，最终分离得到生长速度可控、品质(纯度、杂质分布)可控、晶体取向可控的块状晶体硅，并将冶金硅源、硅合金及籽晶回收重复利用。本发明主要通过添加冶金硅源以促进晶体硅稳定生长，提高生长速率；添加籽晶衬底以有效调控生长硅晶体取向；其次通过添加低熔点溶剂金属与冶金硅形成合金熔体，有效降低晶体硅生长温度，降低能耗，降低生长硅中杂质含量，提高提纯效果。本发明生长提纯晶体硅满足太阳能级硅的要求，节能降耗环保，生产效率高。
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公开(公告)号：CN119861087A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510249891.2
申请日：2025-03-04
Applicant: 北京科技大学 , 北方工业大学 , 首钢股份公司迁安钢铁公司
Abstract: 本发明公开了一种连铸坯半宏观偏析斑点三维表征方法及系统，所述方法包括：步骤S1、对连铸坯试样进行多层刨磨和酸洗腐蚀得到连铸坯半宏观偏析斑点；步骤S2、使用光学显微镜获取所述连铸坯半宏观偏析斑点的彩色照片，对所述照片进行预处理，得到半宏观偏析斑点的二维形貌并进行存储；步骤S3、将存储的半宏观偏析斑点的二维形貌数据重构，得到连铸坯半宏观偏析斑点的三维表征。本发明通过连铸坯试样刨磨和酸洗腐蚀，采用光镜检测获得半宏观偏析斑点二维分布特征。将试样进行多层刨磨和酸洗腐蚀，获得试样不同深度位置处半宏观偏析斑点演变特征。通过半宏观偏析斑点灰度值化处理和数据重构，表征半宏观偏析斑点的三维分布特征。
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公开(公告)号：CN113172207A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110382983.X
申请日：2021-04-09
Abstract: 本发明公开了一种基于电流变化的结晶器内钢液表面流场测量装置，属于钢铁冶金炼钢技术领域。本发明的一种基于电流变化的结晶器内钢液表面流场测量装置，包括插钉、电流表、电源和插钉固定板，插钉垂直固定于插钉固定板，通过导线分别将插钉、电流表、电源和结晶器铜板串联连接，电压表与插钉并联连接；使得钢液、结晶器铜板、电阻和电流表闭环回路，通过测量回路电流变化从而测算出插入钢液插钉的深度，进而实现对结晶器内钢水液面波动及流场的测量；此外，为保证测量的准确性，插钉中还安装了加热部件，使用时提前将冷的插钉加热至钢液温度，减小因温度场变化引起流场的改变，提高了测量的准确性。
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