基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法

    公开(公告)号:CN114038934A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111123932.1

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 本发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,步骤包括:对碳化硅单晶片掺杂得到铝氮共掺杂碳化硅;通过阳极电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅;取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上,分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅;在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极;二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。本发明提供的基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,制作简单、紫外光检测率高、能够适应高温环境且高温环境服役时间较长。

    基于N3-离子掺杂制备CA6基耐火原料的方法

    公开(公告)号:CN111908929B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202010578051.8

    申请日:2020-06-23

    Abstract: 本发明公开了基于氮离子(N3‑)掺杂制备抗渣性能优异的六铝酸钙(CA6)基耐火原料的方法,其方法包括:将氧化铝粉和氧化钙粉高温热处理去除表面吸附水、结合水;将金属铝粉、氧化铝粉和氧化钙粉放入高能球磨机中球磨,获得混合粉末;将所述混合粉末破碎筛分后,经机压成型获得生坯;将所述生坯放入高温气氛炉中,在N2气氛下,对所述生坯进行埋碳烧结,获得N3‑离子掺杂的CA6材料。本发明通过引入N3‑离子调整CA6的晶体结构,可以在不破坏CA6晶型的基础上,提高CA6晶胞c轴的长度,能使其材料厚度相比更厚,致密度大大提升并且抗渣侵蚀性能优异。同时,在制备N3‑离子掺杂的CA6耐火原料的过程中,确定了掺N发生位点。

    同时检测多巴胺、尿酸和抗坏血酸的氮化钛纳米线/纳米管阵列一体化电极的制备方法

    公开(公告)号:CN112198203A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202010970532.3

    申请日:2020-09-16

    Abstract: 本发明提供了一种同时检测多巴胺、尿酸和抗坏血酸的氮化钛纳米线/纳米管阵列一体化电极的制备方法,步骤包括:在预处理后的钛片侧面和背面进行封装;以封装后的钛片阳极氧化;对阳极氧化后的钛片清洗干燥;对清洗干燥后的钛片退火处理,在钛片表面形成锐钛矿型TiO2;对退火处理后的钛片在NH3气氛下热处理,得到氮化钛纳米线/纳米管阵列一体化电极。本发明提供的同时检测多巴胺、尿酸和抗坏血酸的氮化钛纳米线/纳米管阵列一体化电极的制备方法,材料容易获得、工艺简单可控,不仅可对多巴胺和尿酸分别检测出较低的检测限,还可对多巴胺、尿酸和抗坏血酸同时检测而展现出良好的分辨能力。

    大尺寸碳硅化铝的制法及基于大尺寸碳硅化铝添加提升镁碳砖高温性能的方法

    公开(公告)号:CN112159230A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202010976939.7

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 本发明提供了一种大尺寸碳硅化铝的制备方法,其步骤包括:将氧化铝、二氧化硅和炭黑按比混合后加入无水乙醇进行球磨,球磨完成后取出混合料干燥;将烘干后的混合料放入石墨坩埚中,再置于管式炉中,在流量为0.2‑0.6L/min的氩气气氛中、以1700‑1900℃的烧结温度焙烧4‑8h,最后随炉冷却得到尺寸为100μm的六方片状的大尺寸碳硅化铝。本发明还提供了一种基于大尺寸碳硅化铝添加提升镁碳砖高温性能的方法。本发明提供的一种大尺寸碳硅化铝的制备方法,制得的碳硅化铝的尺寸可达100μm,本发明提供的一种基于大尺寸碳硅化铝添加提升镁碳砖高温性能的方法,制得的镁碳砖的高温性能得到显著提高。

    一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN114334631A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111415718.3

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法,通过将硼铝共掺杂到碳化硅中,能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时,也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度,从而进一步优化了其光响应能力,提高了视觉传感的灵敏度;此外,通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中,能够增加碳化硅的结构不对称性,从而提升了其压电系数,增加其压电响应能力,进而提高了触觉传感的灵敏度;基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理,可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构,使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之,本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。

    一种六铝酸钙复相材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111574214B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202010254679.2

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 本发明公开了一种六铝酸钙复相材料及其制备方法,其方法包括:将铝粉、氧化铝粉和氧化钙粉放入高能球磨机中球磨,获得混合粉末;将所述混合粉末与结合剂混合后,经机压成型获得生坯;将所述生坯放入高温气氛炉中,在氮气气氛下,对所述生坯进行埋碳烧结,获得含六铝酸钙/氮氧化铝的六铝酸钙复相材料。本发明通过引入AlON来改善六铝酸钙材料的性能,可以在保证六铝酸钙材料化学稳定性的基础上,能使其材料致密度和抗渣侵蚀能力大大提升。同时,在制备六铝酸钙复相耐火材料的过程中,通过将铝粉直接氮化生成氮化铝作为氮源,并通过一部分铝粉充当还原剂,保证六铝酸钙AlON复相材料的纯度。

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