公开(公告)号：CN211112208U

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201922054359.8

申请日：2019-11-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  王雄彪 ,  杨皓 ,  王可心 ,  曹风 ,  武钦慈 ,  刘忠范

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本实用新型提供一种用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具，包括空心支架和刚性狭缝，所述刚性狭缝由平行设置的两块矩形板限定、且所述刚性狭缝水平放置在所述空心支架上方。本实用新型的载具，由空心支架支撑刚性狭缝组成，放置在CVD炉的冷端的等离子体区域，石墨烯生长衬底平行穿过所述刚性狭缝，利用刚性狭缝的上矩形板可以有效地对冷端产生的非碳沉积物进行遮挡，提高石墨烯薄膜质量。石墨烯生长衬底水平通过刚性狭缝，可以防止生长衬底发生偏移或倾斜，得到表面生长均匀的高质量石墨烯薄膜产品。该载具结构简单，操作方便，适用于不同尺寸大小的CVD装备，解决现有石墨烯制备过程中由于衬底污染导致的石墨烯薄膜质量差的问题。

公开(公告)号：CN210973246U

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201922030564.0

申请日：2019-11-22

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  王可心 ,  杨皓 ,  曹风 ,  王雄彪 ,  武钦慈 ,  刘忠范

IPC: B65H23/038 ,  B65H23/02

Abstract: 本公开涉及卷绕装置技术领域，提出了一种卷绕纠偏机构及具有其的卷对卷CVD设备，卷绕纠偏机构位于卷对卷CVD设备的加热区之后，用于将位置发生偏移的金属箔材调整至原始位置，卷绕纠偏机构包括纠偏轴和固定轴，纠偏轴用于设置在卷对卷CVD设备的真空腔内；固定轴用于设置在真空腔内，金属箔材经过加热区之后依次绕过纠偏轴、固定轴以及卷对卷CVD设备的收料轴；其中，金属箔材搭设在纠偏轴上，纠偏轴可摆动地设置，以驱动金属箔材移动。通过纠偏轴带动位置发生偏移的金属箔材移动，即金属箔材受到的作用力方向会发生变化，在收料轴的拉动作用下，位置发生偏移的金属箔材会逐渐恢复到原始位置。

公开(公告)号：CN213925012U

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202022782869.X

申请日：2020-11-26

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  王雄彪 ,  杨皓 ,  曹风 ,  武钦慈 ,  刘忠范

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  C23C16/26

Abstract: 本公开提供一种PECVD系统，包括具有线圈区和加热生长区的管式炉，加热生长区设置于线圈区的后端，其中PECVD系统还包括等离子体限域装置，所述等离子体限域装置包括管堵，管堵设置于管式炉内并位于线圈区的前端。该等离体子限域装置可以对PECVD系统中的等离子体进行有效限域，从而大幅度提高等离子体的利用率，提升产品质量，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN109537043A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811618825.4

申请日：2018-12-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  杨皓 ,  邓兵 ,  郑黎明

IPC: C30B1/06 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法。本发明使用一种简单易行、技术门槛低的动态退火方法，且使用工业界丰富的廉价易得的未除去残余应力的多晶铜箔，并在简单控制气氛和表面状态的条件下快速高效地制备出晶面取向可控的单晶铜箔。本发明应用于单晶铜箔制备领域。

公开(公告)号：CN109537043B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201811618825.4

申请日：2018-12-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  杨皓 ,  邓兵 ,  郑黎明

IPC: C30B1/06 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法。本发明使用一种简单易行、技术门槛低的动态退火方法，且使用工业界丰富的廉价易得的未除去残余应力的多晶铜箔，并在简单控制气氛和表面状态的条件下快速高效地制备出晶面取向可控的单晶铜箔。本发明应用于单晶铜箔制备领域。