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公开(公告)号:CN116988159A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202310974832.2
申请日:2023-08-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种反铁磁拓扑半金属材料EuSb2单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶的晶胞参数为:a=4.7680Å,b=4.2990Å,c=8.97Å,α=γ=90°,β=103.01°。采用助熔剂法,选用的是Tl‑Sn作助熔剂,Tl和Sn元素的加入有助于使所述单晶中Eu、Sb两种元素更快更均匀的融合在一起,从而更好的成核结晶。所述材料为反铁磁材料,磁转变的奈尔温度为22.3K。
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公开(公告)号:CN116876082A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202311039325.6
申请日:2023-08-17
Applicant: 北京理工大学 , 晶工新材料(扬中)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种层状反铁磁材料Mn1.83Bi1.17Te4单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶的结构为:空间群为R#imgabs0#m,a=4.22Å、b=4.22Å、c=40.48Å。Mn1.83Bi1.17Te4单晶属于三元层状磁性材料,可为层状磁性材料的发展提供载体。Mn1.83Bi1.17Te4单晶材料是在Bi3Te4的基础上掺杂了一定量的Mn,基于Mn原子替换Bi3Te4中同一相同位置的Bi后形成的MnBi2Te4是一种层状拓扑反铁磁材料。
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公开(公告)号:CN116837464A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202311039448.X
申请日:2023-08-17
Applicant: 北京理工大学 , 晶工新材料(扬中)有限公司
Abstract: 本发明涉及Kagome材料RMn6Sn6单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。R为Zr或Hf,其中,ZrMn6Sn6的单晶结构为:P6/mmm空间群,a=5.410Å,b=5.410Å,c=8.982Å,α=90°,β=90°,γ=120°;HfMn6Sn6单晶结构为:P6/mmm空间群,a=5.399Å,b=5.399Å,c=8.973Å,α=90°,β=90°,γ=120°。所述单晶是高温反铁磁材料,相比于传统的铁磁材料构成的磁性隧道结,反铁磁材料因具有近乎为零的杂散磁场、高自旋动力学频率等优点。
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公开(公告)号:CN113311038A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110554208.8
申请日:2021-05-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/48 , G01N27/26 , G01N27/02
Abstract: 本发明涉及一种DNA生物传感器的分子识别部分、其制备和应用,属于拓扑材料和生物传感器领域。所述分子识别部分包括BiSbTeSe2层和金纳米颗粒层,所述BiSbTeSe2层的表面镀有金纳米颗粒层,金纳米颗粒层上组装有作为探针的巯基修饰的单链DNA;所述分子识别部分通过采用离子溅射的方法在BiSbTeSe2层上镀上一层金纳米颗粒层,然后将巯基修饰的单链DNA与制备好的镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层进行自组装而得到;将所述分子识别部分用于DNA生物传感器中,采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测,具有检测范围宽,且检测极限低的优点。
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