一种反铁磁拓扑半金属材料EuSb2单晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN116988159A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310974832.2

    申请日:2023-08-04

    Abstract: 本发明涉及一种反铁磁拓扑半金属材料EuSb2单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶的晶胞参数为:a=4.7680Å,b=4.2990Å,c=8.97Å,α=γ=90°,β=103.01°。采用助熔剂法,选用的是Tl‑Sn作助熔剂,Tl和Sn元素的加入有助于使所述单晶中Eu、Sb两种元素更快更均匀的融合在一起,从而更好的成核结晶。所述材料为反铁磁材料,磁转变的奈尔温度为22.3K。

    一种DNA生物传感器的分子识别部分、其制备和应用

    公开(公告)号:CN113311038A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202110554208.8

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 本发明涉及一种DNA生物传感器的分子识别部分、其制备和应用,属于拓扑材料和生物传感器领域。所述分子识别部分包括BiSbTeSe2层和金纳米颗粒层,所述BiSbTeSe2层的表面镀有金纳米颗粒层,金纳米颗粒层上组装有作为探针的巯基修饰的单链DNA;所述分子识别部分通过采用离子溅射的方法在BiSbTeSe2层上镀上一层金纳米颗粒层,然后将巯基修饰的单链DNA与制备好的镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层进行自组装而得到;将所述分子识别部分用于DNA生物传感器中,采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测,具有检测范围宽,且检测极限低的优点。

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