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公开(公告)号:CN113185277A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110515203.4
申请日:2021-05-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种高热稳定性陶瓷材料及其制备方法和应用,属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明基于高熵陶瓷的熵稳定效应,在LaMgAl11O19中引入La半径差异较大的重稀土元素(Tb、Dy、Ho和Er),可以进一步增大晶格畸变程度,在实现陶瓷高熵化得到最大构型熵的基础上,进一步提高体系的熵值,使体系热稳定性最大化,从而得到高热稳定性陶瓷材料。本发明通过两段升温并且每段升温速率逐渐减慢以及两段降温并且每段降温速率逐渐加快的方式进行烧结,所制备的陶瓷材料物相纯净,而且在高温下进行长时间热处理后相结构仍保持稳定,无第二相产生,表面无微裂纹,具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN111807840A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN202010694595.0
申请日:2020-07-17
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种喷涂用球形高发射率粉体的制备方法,属于高发射率粉体制备技术领域。通过将干燥原料混均,然后以2~5℃/min升温至1300~1500℃,保温,得到钙钛矿型高发射率粉体;然后将钙钛矿型高发射率粉体、球磨分散剂和粘结剂放入搅拌球磨机中球磨,得到浆料;将浆料通过喷雾造粒得到球形团聚粉体;然后煅烧,随炉冷却后过筛,得到粒径30~80μm的团聚粉体,即为一种喷涂用球形高发射率粉体。所述方法制得的粉体几乎无杂相,适用于高温有氧环境,且所述粉体发射率较高,全波段发射率可达0.92以上;所述粉体球形度高、流动性好且粒径分布均匀;制备安全性高、工艺简便、成本低廉且可批量工业化生产。
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公开(公告)号:CN102515717B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201110436282.6
申请日:2011-12-22
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷复合材料及其制备方法,所述材料为A2B2O7-C陶瓷复合材料,A为Sc、Y、La、Nd、Eu、Gd、Dy、Er、Yb或Lu,B为Zr、Hf、Ce或Ti,C为SiO2、SiC、MoSi2或PMMA;C的体积分数>0%且≤15%,粒径为1~35μm;该材料光子热导率低且高温化学性质稳定。所述方法为将纯度≥99%的ZrOCl2·8H2O和稀土氧化物用化学共沉淀法制得A2B2O7粉体;将纯度≥99%的C掺入A2B2O7粉体混合得到A2B2O7-C复合粉体;将A2B2O7-C复合粉体在1200~1600℃,惰性气体下烧结20~60min,得到所述材料;工艺简单,适宜工业推广。
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公开(公告)号:CN102515717A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201110436282.6
申请日:2011-12-22
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷复合材料及其制备方法,所述材料为A2B2O7-C陶瓷复合材料,A为Sc、Y、La、Nd、Eu、Gd、Dy、Er、Yb或Lu,B为Zr、Hf、Ce或Ti,C为SiO2、SiC、MoSi2或PMMA;C的体积分数>0%且≤15%,粒径为1~35μm;该材料光子热导率低且高温化学性质稳定。所述方法为将纯度≥99%的ZrOCl2·8H2O和稀土氧化物用化学共沉淀法制得A2B2O7粉体;将纯度≥99%的C掺入A2B2O7粉体混合得到A2B2O7-C复合粉体;将A2B2O7-C复合粉体在1200~1600℃,惰性气体下烧结20~60min,得到所述材料;工艺简单,适宜工业推广。
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公开(公告)号:CN116693298B
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202310735655.2
申请日:2023-06-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于高熵硼化物技术领域,具体涉及一种高熵硼化物涂层的制备方法。本发明提供了一种高熵硼化物涂层的制备方法,包括以下步骤:将高熵硼化物、分散剂和粘结剂混合,得到的浆料进行喷雾造粒,得到球形料;将所述球形料依次进行第一烧结和第二烧结,得到高熵硼化物微球;以所述高熵硼化物微球为涂料,在基体上进行喷涂,得到所述高熵硼化物涂层。本发明得到的高熵硼化物涂层具有较高的致密性。
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公开(公告)号:CN118703926A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410745105.3
申请日:2024-06-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: C23C4/10 , C23C4/134 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高熵涂层技术领域,具体涉及一种含硅高熵硼化物涂层及其制备方法和应用。本发明提供的含硅高熵硼化物涂层体系中,金属氧化物构成骨架,Nb2O5和Ta2O5作为主要液相填充骨架,构成致密氧化层;进一步的通过添加SiC,能够有效提高高熵硼化物的涂层性能以及抗氧化烧蚀性能,主要由于添加SiC后产生SiO2,能够构成致密的氧化层,同时与金属氧化物协同抗氧化,加入SiC后形成了SiO2、硼硅酸盐和o‑ZrSiO4,三者均能作为液相填充孔洞,其中SiO2还具有独特的钉扎作用。因此加入SiC后形成的氧化层致密性更好,从而提高材料的抗氧化烧蚀性能。
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公开(公告)号:CN118359203A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410517645.6
申请日:2024-04-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B35/04 , C01B32/956 , C01F17/229 , C01F17/10 , C09D7/62
Abstract: 本发明提供了一种Pr6O11核壳结构ZrB2/SiC复合粉体及其制备方法和应用、热防护涂层,属于抗氧化耐蚀涂层技术领域。本发明提供了一种Pr6O11核壳结构ZrB2/SiC复合粉体,以ZrB2/SiC粉体为芯材,以Pr6O11为壳材。本发明通过包覆稀土Pr6O11对ZrB2/SiC粉体进行改性,形成Pr6O11核壳结构,一方面可以最大程度降低ZrB2/SiC粉体在喷涂过程中的氧化问题,另一方面利用Pr6O11较低的熔点,实现喷涂过程对涂层孔隙等缺陷的进一步填充,提高涂层的致密度,进而有效提升涂层的超高温抗氧化烧蚀性能。
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公开(公告)号:CN116410021B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202310404479.4
申请日:2023-04-17
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于陶瓷材料防护技术领域,提供了一种在陶瓷基复合材料表面制备防护涂层的方法。本发明在陶瓷基复合材料首先沉积梯度膜层,更好地解决了由于防护涂层热膨胀系数与陶瓷基复合材料不匹配、结合力差的难题;而且,梯度膜层中的SiC具有优异的高温导热性。然后,在梯度膜层上刻蚀微结构,大大提高了梯度膜层的表面积,从而增加了范德华力作用面积,进一步提高了基体和防护涂层之间的结合力;而且,微结构在刻蚀制备过程中会释放应力,减少基体微裂纹产生的概率;另外,微结构可以提高导热性,降低了热应力集中。同时,本发明在制备防护涂层前,采用磁控溅射进行同质陶瓷界面层处理,增大了界面浸润性,提高了基体和防护涂层之间的结合力。
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公开(公告)号:CN117303908A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311355059.8
申请日:2022-08-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种四元高熵金属二硼化物及其制备方法和应用,属于超高温陶瓷材料技术领域。采用本发明制备方法制备得到的四元高熵金属二硼化物的化学式为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Sc0.2Tm0.2)B2。所述四元高熵金属二硼化物除了具有较高的硬度和强度外,由于Tm原子的加入,导致共价键的减弱改善了高熵金属二硼化物的脆性,显著提高了金属硼化物的断裂韧性(8.25MPa·m1/2),比HfB2、ZrB2、NbB2等传统金属二硼化物高出约83%。因此,本发明的制备方法可以显著改善金属二硼化物的韧性,且制备方法简单,适合工业推广应用。
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公开(公告)号:CN117089267A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202310859836.6
申请日:2023-07-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种通过构造仿鸟巢的骨架结构强化的超疏水涂层及其制备方法,属于超疏水涂层技术领域。所述超疏水涂层是由SiC晶须在基底表面自发堆垛形成的鸟巢状骨架结构以及填充在鸟巢状骨架结构空隙中的疏水性纳米颗粒组成的复合涂层,利用鸟巢状骨架结构的力学稳定性来保护填充在其内部的疏水性纳米颗粒,从而有效提高超疏水涂层的力学稳定性;另外,采用喷涂的方式制备鸟巢状骨架结构,采用浸涂或者真空灌注的方式实现疏水性纳米颗粒的填充,制备工艺过程简单,容易操作,能大面积制备,制备成本低,而且制备所采用的原料无毒、无害、对环境友好,有利于促进超疏水涂层的工业化发展。
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