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公开(公告)号：CN116410021A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310404479.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于陶瓷材料防护技术领域，提供了一种在陶瓷基复合材料表面制备防护涂层的方法。本发明在陶瓷基复合材料首先沉积梯度膜层，更好地解决了由于防护涂层热膨胀系数与陶瓷基复合材料不匹配、结合力差的难题；而且，梯度膜层中的SiC具有优异的高温导热性。然后，在梯度膜层上刻蚀微结构，大大提高了梯度膜层的表面积，从而增加了范德华力作用面积，进一步提高了基体和防护涂层之间的结合力；而且，微结构在刻蚀制备过程中会释放应力，减少基体微裂纹产生的概率；另外，微结构可以提高导热性，降低了热应力集中。同时，本发明在制备防护涂层前，采用磁控溅射进行同质陶瓷界面层处理，增大了界面浸润性，提高了基体和防护涂层之间的结合力。
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公开(公告)号：CN113760956A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111060226.7
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F16/242 , G06F16/248 , G06F16/25 , G06F3/0482 , G06F3/0484 , G06F8/76 , G01M15/02 , G05B23/02
Abstract: 本发明公开了一种基于ASAP标准的通用发动机标定系统，包括：A2L文件生成插件，用于读取.MAP文件中的不同变量，将不同的所述变量写入A2L文件中，PC端标定监控软件，解析A2L文件中的监控变量的基本信息和属性信息，对发动机数据进行实时监控和在线标定，还用于控制上位机和下位机的连通和关断，ECU端标定软件，根据PC端标定监控软件的监控周期上传监控参数数值至PC端标定监控软件。本发明能够根据需求灵活选择变量进行监控和标定并且存储监控标定数据以便处理分析。
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公开(公告)号：CN114507074B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210244010.4
申请日：2022-03-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种高熵过渡‑稀土金属二硼化物陶瓷材料及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域。本发明提供了一种高熵过渡‑稀土金属二硼化物陶瓷材料，化学式为：(HfaZrbTacNbdREe)B2，其中，RE为Lu、Tm、Er、Ho和Dy中的一种且a+b+c+d+e＝1。本发明通过高熵相稳定性的特点，构建过渡金属二硼化物和稀土金属二硼化物的高熵单相结构，有效强化了晶体结构的稳定性，从而提高了高熵陶瓷的力学性能。实验结果表明，本发明提供的高熵过渡‑稀土金属二硼化物陶瓷材料的体积模量为252～260GPa，剪切模量为223～228GPa，杨氏模量为516～530GPa，硬度为37～38.5GPa。
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公开(公告)号：CN114074244A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010820331.5
申请日：2020-08-14
Applicant: 山西庞泉重型机械制造有限公司 , 北京理工大学
IPC: B23P6/00
Abstract: 本发明涉及一种液压支架表面局部损伤修复的方法，属于表面处理技术领域。该方法是先采用不锈钢对液压支架的受损区域进行补焊处理，然后除去补焊区域以及未受损区域厚度为0.01～0.05mm的表层，再进行电镀处理，在表面形成一层厚度不小于除去的表层厚度的铬层，完成对液压支架表面局部损伤的修复。本发明所述方法对补焊区域以及未受损区域进行整体电镀铬，改善了未受损区域铬层与补焊区域铬层的界面结合，而且增加了工件表面铬层的厚度，有效改善了工件表面的耐腐蚀和耐磨性能。
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公开(公告)号：CN112194506A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010871399.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/628 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种利用氧乙炔燃流制备氧化物原位包覆ZrB2‑SiC团聚粉体的方法，属于复合粉体材料技术领域。先采用喷雾造粒获得ZrB2‑SiC团聚粉体，然后采用感应等离子球化工艺获得球化ZrB2‑SiC团聚粉体，再经过氧乙炔燃流氧化处理使球化ZrB2‑SiC团聚粉体在其表面自氧化形成氧化物壳层，得到具有明显核壳结构的氧化物包覆ZrB2‑SiC团聚粉体。采用本发明所述方法获得的氧化物包覆ZrB2‑SiC团聚粉体球形度高以及致密度良好，满足等离子喷涂对于粉体的要求；同时，在等离子喷涂过程中，氧化物包覆层能抑制SiC的挥发，降低SiC的损失，而且氧化物的熔点低于ZrB2，粉体可以熔融的更加充分，进一步填充涂层中片层搭接造成的间隙、空位等缺陷，提高涂层的致密性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116693298B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310735655.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种高熵硼化物涂层的制备方法。本发明提供了一种高熵硼化物涂层的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物、分散剂和粘结剂混合，得到的浆料进行喷雾造粒，得到球形料；将所述球形料依次进行第一烧结和第二烧结，得到高熵硼化物微球；以所述高熵硼化物微球为涂料，在基体上进行喷涂，得到所述高熵硼化物涂层。本发明得到的高熵硼化物涂层具有较高的致密性。
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公开(公告)号：CN116410021B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310404479.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于陶瓷材料防护技术领域，提供了一种在陶瓷基复合材料表面制备防护涂层的方法。本发明在陶瓷基复合材料首先沉积梯度膜层，更好地解决了由于防护涂层热膨胀系数与陶瓷基复合材料不匹配、结合力差的难题；而且，梯度膜层中的SiC具有优异的高温导热性。然后，在梯度膜层上刻蚀微结构，大大提高了梯度膜层的表面积，从而增加了范德华力作用面积，进一步提高了基体和防护涂层之间的结合力；而且，微结构在刻蚀制备过程中会释放应力，减少基体微裂纹产生的概率；另外，微结构可以提高导热性，降低了热应力集中。同时，本发明在制备防护涂层前，采用磁控溅射进行同质陶瓷界面层处理，增大了界面浸润性，提高了基体和防护涂层之间的结合力。
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公开(公告)号：CN117303908A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311355059.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种四元高熵金属二硼化物及其制备方法和应用，属于超高温陶瓷材料技术领域。采用本发明制备方法制备得到的四元高熵金属二硼化物的化学式为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Sc0.2Tm0.2)B2。所述四元高熵金属二硼化物除了具有较高的硬度和强度外，由于Tm原子的加入，导致共价键的减弱改善了高熵金属二硼化物的脆性，显著提高了金属硼化物的断裂韧性(8.25MPa·m1/2)，比HfB2、ZrB2、NbB2等传统金属二硼化物高出约83％。因此，本发明的制备方法可以显著改善金属二硼化物的韧性，且制备方法简单，适合工业推广应用。
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公开(公告)号：CN116693298A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310735655.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种高熵硼化物涂层的制备方法。本发明提供了一种高熵硼化物涂层的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物、分散剂和粘结剂混合，得到的浆料进行喷雾造粒，得到球形料；将所述球形料依次进行第一烧结和第二烧结，得到高熵硼化物微球；以所述高熵硼化物微球为涂料，在基体上进行喷涂，得到所述高熵硼化物涂层。本发明得到的高熵硼化物涂层具有较高的致密性。
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公开(公告)号：CN116675540A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310731318.6
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种改性高熵硼化物及其制备方法和应用。本发明提供了一种改性高熵硼化物的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物和碳化硅进行混合，得到的混合料进行烧结，得到所述改性高熵硼化物。本发明通过添加SiC与高熵硼化物进行共熔共晶，进一步弥补了硼化物在高温下因硼元素蒸发损失、无法形成致密的保护性氧化层的缺点。在烧蚀的过程中，添加SiC后形成的硼硅酸盐基玻璃保护层成为更有效的钝化层，阻止氧气向硼化物的进一步扩散，使硼化物的抗氧化烧蚀性能大大提高。
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