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公开(公告)号：CN117544139A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311305379.2
申请日：2023-10-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种抖频电路和芯片，属于电子技术领域。抖频电路包括：低频振荡器；数字计数器与低频振荡器的输出端电连接，用于基于低频振荡器的输出脉冲数量产生延迟控制信号；高频振荡器与数字计数器的输出端电连接，用于基于延迟控制信号控制高频振荡器的输出信号的延迟时间，以使输出信号实现抖频。相比现有抖频电路通过控制环形振荡器的供电电压控制抖频信号的输出范围的方式，容易受到半导体工艺影响，导致抖频输出频率范围难以精确控制。本发明通过采用数字计数器进行数字步进式控制，实现控制高频振荡器的输出信号的延迟时间，以使输出信号实现抖频，从而实现抖频输出频率范围的精确控制。
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公开(公告)号：CN116880654A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310694091.2
申请日：2023-06-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片。所述电路包括：采样电路，用于对轨到轨运放的输入级中的NPN输入管与PNP输入管的输入偏置电流进行采样；控制电路，用于控制在第一共模输入电平范围内导通所述NPN输入管的输入偏置电流并截止所述PNP输入管的输入偏置电流，以及控制在第二共模输入电平范围内截止所述NPN输入管的输入偏置电流并导通所述PNP输入管的输入偏置电流；以及镜像电路，用于提供所述NPN输入管的输入偏置电流的NPN镜像电流与所述PNP输入管的输入偏置电流的PNP镜像电，并输出所述NPN镜像电流与所述PNP镜像电流的叠加电流。本发明通过分段补偿来适应不同共模输入范围产生的输入偏置电流变化。
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公开(公告)号：CN115603587B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN116405031A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310226260.X
申请日：2023-03-03
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 复旦大学
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，公开一种模数转换器及芯片，所述模数转换器包括：第一、第二无源开关电容积分器；两个电容性模数转换阵列；控制逻辑电路，用于在所述阵列中的电容复位时，闭合第一无源开关电容积分器中的第一、第二开关组以输出第一残差电压，以及闭合第二无源开关电容积分器中的第三、第四开关组以使输出第二残差电压；以及双差分输入比较器，用于接收第一残差电压与当前预设周期的输入电压之和作为第一差分输入信号，接收第二残差电压作为第二差分输入信号，以及输出比较结果，所述控制逻辑电路还用于根据比较结果，输出多个开关控制信号至电容性模数转换阵列，以输出当前预设周期的数字数据，由此可有效抑制信号带内的量化噪声。
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公开(公告)号：CN111190111B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010036970.2
申请日：2020-01-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/367 , G01R31/387
摘要： 本发明实施例提供一种电化学储能电池荷电状态估算方法、装置及系统，属于深度学习技术领域。所述方法包括：电池端获取储能电池系统的实时运行参数以及设定时间内的SOC标定数据；分别根据预设的神经网络模型以及常规SOC估算方法，利用实时运行参数，得到本地SOC估算值；将SOC标定数据、实时运行参数以及本地SOC估算值上传云端服务器，以便云端服务器根据上述数据和初始神经网络模型，得到电池端神经网络模型；电池端分别根据电池端神经网络模型以及常规SOC估算方法，利用当前的实时运行参数，得到当前SOC估算值，并将上述两种数据上传云端服务器，以便利用更新后的电池端神经网络模型得到SOC估算值。本发明实施例适用于储能电池系统的SOC估算。
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公开(公告)号：CN115754459A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211297399.5
申请日：2022-10-21
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R21/06
摘要： 本发明实施例提供一种功耗测量装置，属于测量装置技术领域。所述装置包括：转换模块、采样模块、信号放大模块和处理模块；所述转换模块串联在待测电路中，用于将所述待测电路输出的交流电流转换为直流电流；所述采样模块与所述转换模块相连，用于将所述转换模块输出的直流电流转换成直流电压；所述信号放大模块与所述采样模块相连，用于放大所述采样模块两端的直流电压；所述处理模块与所述信号放大模块连接，用于根据所述直流电压和所述信号放大模块的参数，计算所述待测电路的待测功耗。通过所述功耗测量装置可以实现交变电压输入、直流输入和直流负压输入等多场合的功耗测量。
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公开(公告)号：CN115622373A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211326696.8
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种驱动电路、双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述驱动电路包括：第一功率器件、第二功率器件、第一子驱动电路、第二子驱动电路和前馈电路；其中，所述第一子驱动电路用于驱动所述第一功率器件，所述第二子驱动电路用于驱动所述第二功率器件；所述前馈电路用于在所述第一功率器件和第二功率器件关断时提供充放电通路。本公开的技术方案，通过为第一功率器件和第二功率器件分别设置独立的驱动电路，并增设了前馈电路，在大幅降低串通电流的同时减少了导通延迟时间，避免了电源线或地线上的大噪声可能造成的功率器件的误开启，降低了电路的功耗，并提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN115603586A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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公开(公告)号：CN115165148A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210806682.X
申请日：2022-07-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京邮电大学
摘要： 本公开涉及硬件测试技术领域，具体涉及公开了一种连接器的温升测量系统、方法、装置、电子设备及介质，该系统包括：连接器组件，包括公端连接器和母端连接器，公端连接器的公端外导体上开设第一通孔，母端连接器的母端外导体上开设第二通孔，当公端连接器和母端连接器连接后，公端外导体与母端外导体接触，公端连接器的公端内导体和母端连接器的母端内导体接触，第一通孔和第二通孔连通；测温探头，穿过第一通孔和第二通孔接触公端内导体和母端内导体之间的连接处，用于测量公端内导体和母端内导体之间的连接处的温度。该技术方案可以简单方便地测量到连接器组件在工作状态时的内导体接触处的温度，用于测试连接器组件内导体接触处的温升。
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公开(公告)号：CN110504185B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910798587.8
申请日：2019-08-27
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种ESD保护单元的测试及加固方法，ESD保护单元设置在待测试芯片中，包括：对待测试芯片施加ESD放电应力；对待测试芯片的管脚进行监测，根据监测结果判断是否为ESD失效；若判断结果为ESD失效，则对待测试芯片进行开封，通过结构分析确定待测试芯片的ESD保护单元中的失效点；对ESD保护单元中的失效点进行加固仿真测试；在测试结果满足要求时，对待测试芯片进行加固；对加固后的芯片重新施加ESD放电应力，并进行监测，直至结果判断为ESD有效为止。本实施例提供的ESD保护单元的测试及加固方法，通过EDA软件对ESD保护单元进行仿真测试，保证芯片通过ESD设计要求并在正常工作状态下具备较高的鲁棒性。
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