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公开(公告)号：CN116191048B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310464495.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种电磁环境测量天线，属于无线电监测工作领域。所述电磁环境测量天线包括：介质基板、馈电结构和多个超表面单元；多个超表面单元呈阵列式布置在所述介质基板的上表面形成超表面单元阵列；所述馈电结构设置在所述介质基板的下表面；所述馈电结构包括T型金属贴片和开设在所述T型金属贴片上的T型环缝；所述T型环缝由横向第一开口和纵向第二开口构成；所述超表面单元阵列的中心点与第一开口的中心点重合。本发明提供的电磁环境测量天线有异于传统的喇叭天线和抛面天线，不仅具有双频带特性，具有较宽的带宽，更重要的是其馈电结构小，传输效率高，且天线整体结构呈现出规则的立体状态，低剖面，整体尺寸小，节省了机箱的空间。
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公开(公告)号：CN114720739A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210561153.8
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开一种传输线尺寸的确定方法、系统与脉冲电场发生器，所述方法包括：根据测量的脉冲电场波形的特征参数值及待测设备的尺寸，确定具有特定结构的传输线的尺寸；根据传输线的尺寸及脉冲电场波形的特征参数值，确定脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗；根据脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗，建立脉冲电场发生器的等效电路模型；及根据等效电路模型的输出结果与脉冲电场波形，优化传输线的尺寸。本发明可根据变电站的隔离开关等一次设备操作所产生的脉冲电场波形设计具有特定结构的传输线的尺寸，由所设计的传输线构成的脉冲电场发生器可灵活再现脉冲电场波形，并且该再现系统具有占地面积可控、成本低等优势。
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公开(公告)号：CN116973829A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311205203.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种芯片引脚注入波形标定方法及装置，属于芯片电磁兼容测试领域。所述方法包括：获取被测芯片引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量获取第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算芯片引脚的注入波形。通过获取的信号衰减曲线和具有相同频率的第一波形计算得到芯片引脚的注入波形，实现芯片引脚注入波形的标定，从而实现对芯片引脚干扰能量的精确注入，从而进一步用于不同特征的干扰波形对芯片引脚的失效研究中，获取芯片敏感的干扰波形。
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公开(公告)号：CN116946079A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310700176.7
申请日：2023-06-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及变电站二次设备监测领域，公开了一种变电站复杂环境下的二次设备可靠性监测装置，包括底座、支撑机构、监测件以及控制组件，支撑机构包括安装于底座的横向两侧的支撑杆、辅助杆、伸缩驱动件，控制组件能够检测底座是否处于横向倾斜状态，当底座处于横向倾斜状态时，控制组件控制伸缩驱动件驱动相对高度较低的一侧的支撑杆围绕纵向方向的轴线转动，并且辅助杆相对于支撑杆向下伸出以支撑承载面，从而驱动底座返回横向平衡状态。通过上述技术方案，控制组件可以检测底座是否处于倾斜状态，当底座倾斜时可以控制支撑杆向外转动并伸出辅助杆，以支撑地面而获得反作用力，通过反作用力使得底座返回平衡状态，保障了巡检装置的安全运行。
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公开(公告)号：CN116930594A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN116298653A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310586457.4
申请日：2023-05-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法，属于电磁干扰技术领域。瞬态电磁干扰注入装置包括：控制设备、有界波模拟器以及干扰信号耦合线；所述控制设备与所述有界波模拟器连接，用于控制所述有界波模拟器产生模拟电磁场；所述干扰信号耦合线设置在所述有界波模拟器的两极板的平行板段之间，且平行于所述有界波模拟器的平行板段产生的电场，用于将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号。该瞬态电磁干扰注入装置采用有界波模拟器作为干扰源，采用干扰信号耦合线将感应到的电磁场耦合成电磁干扰信号，以传导的形式将瞬态电磁干扰注入到待测设备的端口，能更接近设备实际应用过程中面临的严酷电磁环境。
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