一种吸波材料辐射影响仿真方法和系统

    公开(公告)号:CN106646035A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201611066834.8

    申请日:2016-11-25

    CPC classification number: G01R31/001

    Abstract: 本申请公开了一种吸波材料辐射影响仿真方法和系统,解决现有技术对吸波材料建模计算困难的问题。所述方法包括以下步骤:在所述电磁兼容暗室内建立辐射源和接收天线;在辐射源关于每个铺设有吸波材料的内表面的镜像位置,分别建立一个等效辐射源,等效辐射源的强度为所述辐射源强度与所述吸波材料反射损耗的乘积;在未铺设吸波材料的内表面为良导体、去除铺设有吸波材料内表面、保留等效辐射源的条件下计算所述吸收天线接收到的辐射场强度,作为仿真场强度。本申请实施例还提供一种吸波材料辐射影响仿真系统,用于仿真电磁兼容暗室,所述仿真系统包含:仿真源、仿真接收天线、等效源、良导体板。本申请降低计算资源需求,提高运算效率。

    用于电磁兼容试验的辐射发射测量天线的现场校准方法

    公开(公告)号:CN103605102B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201310618504.5

    申请日:2013-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于电磁兼容试验的辐射发射测量天线的现场校准方法,包括如下步骤:测量得到参考天线的天线系数;测量得到电磁波信号的功率的第一标准值;测量得到电磁波信号的功率的第一测量值;计算第一标准值与第一测量值的差值得到参考天线与传递天线之间的插入损耗;测量得到电磁波信号的功率的第二标准值;测量得到电磁波信号的功率的第二测量值;计算第二标准值与第二测量值的差值得到待校准天线与传递天线之间的插入损耗;由参考天线的天线系数、参考天线与传递天线之间的插入损耗、以及待校准天线与传递天线之间的插入损耗计算得到待校准天线的天线系数。所述现场校准方法适用于30MHz‑1GHz频段的辐射发射测量天线的校准。

    一种用于校准电磁兼容测量用单极天线的T型网络装置

    公开(公告)号:CN103618141A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201310646488.0

    申请日:2013-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种用于校准电磁兼容测量用单极天线的T型网络装置,包括屏蔽盒主体,所述屏蔽盒主体内设有阶梯结构,所述阶梯结构上固定设置有T型网络电路板,所述T型网络电路板上设有信号源接口,频谱仪接口和被测天线接口,所述屏蔽盒主体的顶部固定设置有屏蔽盒顶盖,所述屏蔽盒主体的前侧面上和后侧面上分别固定设置有同轴SMA接头,所述屏蔽盒主体的左侧面上固定设置有绝缘隔离支撑,所述绝缘隔离支撑设有开口,天线基座连接头的连接端穿过绝缘隔离支撑的开口与T型网络电路板电连接;两个SMA接头中的一个SMA接头与所述信号源接口电连接,另一个SMA接头与所述频谱仪接口电连接;所述天线基座连接头的连接端与被测天线接口电连接。

    一种脉冲电流的校准方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103116081A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201210593067.1

    申请日:2012-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲电流的校准方法,该校准方法包括如下步骤:脉冲电流源(1)输出的脉冲电流经衰减器(2)、示波器(3)、地和匹配电阻(4)形成闭合的电流回路;通过衰减器(2)使示波器(3)的输入电压衰减;通过示波器(3)显示的波形与所述脉冲电流的对应关系获得所述脉冲电流的特征参数。通过调节衰减器(2)的衰减比能够调节示波器(3)显示的波形与所述脉冲电流的对应关系。所述校准方法能够校准脉冲电流源产生的脉冲电流,获得脉冲电流的脉冲幅度、脉冲上升时间、脉冲下降时间和脉冲宽度等特征参数。

    一种脉冲电压转换为脉冲电流的方法

    公开(公告)号:CN103105549A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201210593430.X

    申请日:2012-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种脉冲电压转换为脉冲电流的方法,该方法包括如下步骤:脉冲电压源输出脉冲电压,探头(1)接收来自脉冲电压源的脉冲电压;线圈(12)和中心导体(2)构成一个互感器,其中线圈(12)用作该互感器的初级线圈,中心导体(2)用作该互感器的次级线圈;通过线圈(12)与中心导体(2)之间的互感作用使得中心导体(2)中感应产生脉冲电流。所述方法能够将脉冲电压源产生的脉冲电压转换为脉冲电流。所述方法适用于电磁兼容传导敏感度研究,且简便易行。

    连续波模拟器的脉冲调制开关比测量方法、系统及设备

    公开(公告)号:CN116148531A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211737334.8

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明属于脉冲调制开关比的测量领域,具体涉及了一种CS114连续波模拟器的脉冲调制开关比测量方法、系统及设备,旨在解决现有技术测量不足,无法实现脉冲调制开关快速反复开启和关断时开关比测量的问题。本发明包括:设定CS114连续波模拟器参数,并通过示波器通道1和通道2分别获取CS114连续波模拟器脉冲调制输出高电平有效值和低电平有效值;基于所述高电平有效值和低电平有效值,计算CS114连续波模拟器的脉冲调制开关比,完成CS114连续波模拟器所有频率点的脉冲调制开关比测量。本发明可实现对CS114连续波模拟器快速开启和关断的脉冲调制开关比测量。

    沉积静电放电电压脉冲校准装置、方法、电子设备

    公开(公告)号:CN116047389A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211741065.2

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本说明书公开了一种沉积静电放电电压脉冲校准装置、方法、电子设备,涉及电磁兼容领域,旨在为了解决常规静电放电模拟器校准方法无法适用于沉积静电试验设备的问题。本发明装置包括高压分压器、数字电压表;高压分压器包括串行连接的高压臂、低压臂;高压臂的输入端与放电棒尖锥结构的尖端电连接,低压臂的输出端接地;构成高压臂、低压臂的电阻外部均裹覆有屏蔽层;高压分压器的输入电阻大于沉积静电模拟器的最大放电电压与预设灵敏度电流的比值;数字电压表连接于低压臂的设定部位,用于获取沉积静电放电电压脉冲分压后的电压值。本发明可以准确有效的获取沉积静电模拟器在放电棒尖锥结构尖端的电压,从而得到准确有效的电压校准量。

    一种时域脉冲电连接器屏蔽效能测试系统及测试方法

    公开(公告)号:CN114384330A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111662781.7

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种时域脉冲电连接器屏蔽效能测试系统及测试方法,所述测试系统包括:时域脉冲发生器、三同轴装置、第一隔离衰减器、第二隔离衰减器和示波器;所述时域脉冲发生器用于产生一个脉冲信号;所述时域脉冲发生器、所述第一隔离衰减器、所述第二隔离衰减器和所述示波器依次顺序连接;所述三同轴装置可拆卸的连接在所述第一隔离衰减器和所述第二隔离衰减器之间,所述三同轴装置用于测量所述第一隔离衰减器和所述第二隔离衰减器之间的被测电连接器的屏蔽效能,本发明解决了通过使用脉冲信号进行电连接器屏蔽效能的测量,通过一次脉冲发射即可完成全频段的测量,本方案不仅测量条件和测量结果更加贴近实际使用情况,而且操作简便,工作效率高。

    一种吸波材料辐射影响仿真方法和系统

    公开(公告)号:CN106646035B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201611066834.8

    申请日:2016-11-25

    Abstract: 本申请公开了一种吸波材料辐射影响仿真方法和系统,解决现有技术对吸波材料建模计算困难的问题。所述方法包括以下步骤:在所述电磁兼容暗室内建立辐射源和接收天线;在辐射源关于每个铺设有吸波材料的内表面的镜像位置,分别建立一个等效辐射源,等效辐射源的强度为所述辐射源强度与所述吸波材料反射损耗的乘积;在未铺设吸波材料的内表面为良导体、去除铺设有吸波材料内表面、保留等效辐射源的条件下计算所述接收天线接收到的辐射场强度,作为仿真场强度。本申请实施例还提供一种吸波材料辐射影响仿真系统,用于仿真电磁兼容暗室,所述仿真系统包含:仿真源、仿真接收天线、等效源、良导体板。本申请降低计算资源需求,提高运算效率。

    一种场传感器校准系统和方法

    公开(公告)号:CN105527598B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201510956142.X

    申请日:2015-12-17

    Abstract: 本发明提出一种场传感器校准系统和方法,解决校准区域小、场传感器对场分布影响大的问题。本发明的场传感器校准系统包含单锥体和平面体,构成一单锥体天线。所述单锥体从顶面至底面逐渐变细,侧面的旋转曲线形状为指数曲线。本发明的场传感器校准方法首先设置一单锥体天线,从顶面至底面逐渐变细,使得场传感器校准可使用的空间区域变大;在单锥体天线辐射的范围内定义一立方体校准区域,在该立方体的顶点及各边中点设置参考点,分别计算并比较有、无场传感器的情况下各参考点电场强度,得到场传感器对校准区域内部场分布的影响。本发明单锥体天线阻抗变换方法是指数变换形式,提高了场传感器的校准精度。

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