一种GaN HEMT器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115498034A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211118526.0

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中,包括缓冲层;在缓冲层上方形成的GaN沟道层;在GaN沟道层上方形成的势垒层;在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极;第一钝化层,其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中;以及栅极场板,其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方,该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构,直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小,能够平均峰值电场;同时也可以最大面积上抑制虚栅形成,有利于器件更稳定工作;而且可以有效提升场板金属的制程良率,也可以降低贵金属的使用量,降低生产成本。

    一种洁净室电脑台架
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220631427U

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202321925614.1

    申请日:2023-07-20

    Abstract: 本实用新型公开了一种洁净室电脑台架,包括:显示器支架、横梁、支架腿、安装底板、键盘支架、鼠标支架,显示器支架为一对L型结构,用于固定显示器;显示器支架装配在横梁上,横梁上设置有卡槽,显示器支架的一对L型结构能够在卡槽上左右滑动;横梁的底部以相对于垂直方向10‑25度的倾角焊接在支架腿上,从而使装配在横梁上的一对L型结构在垂直方向上有10‑25度倾角;支架腿垂直焊接在安装底板上,安装底板安装在洁净室地板上;键盘支架焊接在支架腿上,用于放置键盘,键盘支架的外侧向上折起;鼠标支架焊接在键盘支架下方的支架腿上,用于放置鼠标。本实用新型占用空间小且结构合理、使用便利。

Patent Agency Ranking