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公开(公告)号：CN109708760A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811629737.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高时间分辨的光谱检测设备及应用，其中，光谱检测设备包括光谱仪，以及与所述光谱仪电连接的单光子计数器；所述光谱仪包括：光信号采集模块、分光模块和信号增强模块；所述单光子计数器用于获得所述脉冲光源一个脉冲内的的光谱信号。本发明的光谱检测设备是一种结合了放大器与鉴别器的装置，集成了时钟和数据分析功能，能够跟踪脉冲放电等离子体演化过程的光谱信号，理论时间分辨率可达2 ns，可研究普通光谱仪无法检测的等离子体瞬态过程。
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公开(公告)号：CN105239048B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510650195.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶和电子阻挡屏极，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺设于外壳的中空的内腔中，且不与外壳导通，电子阻挡屏极由导电材料制备，同样设置于外壳的中空内腔中，并且电子阻挡屏极为片状，垂直安装于磁控靶的两端；电子阻挡屏极与磁控靶导通，或者电子阻挡屏极与磁控靶不导通，电子阻挡屏极单独连接负电压。本申请的金属等离子体源，在磁控靶两端增加电子阻挡屏极，将逃逸的电子反射回金属等离子体源内部，起到降低放电起辉条件目的；反射的电子增强了溅射粒子碰撞，增强其离化率，增加了靶材表面电子分布的均匀性，提高了靶材溅射均匀性，进而提高靶材利用率。
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公开(公告)号：CN105018891B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510313511.3
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体外罩设网状导电栅，负高压不连接在架体和工件上，而是连接在网状导电栅上，实现离子加速，避免了高压电源输出总功率对处理工件数量的限制，杜绝了工件打火问题；同时，也不存在因工件之间的距离太近造成等离子体鞘层重叠，影响离子加速过程的问题。本申请的工件架，解决了等离子体基离子注入与沉积产业化过程中的三个重要技术问题，特别适合于大规模的批量工件镀膜生产。
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公开(公告)号：CN204849014U
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201520393666.8
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架和装置。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体外罩设网状导电栅，负高压不连接在架体和工件上，而是连接在网状导电栅上，实现离子加速，避免了高压电源输出总功率对处理工件数量的限制，杜绝了工件打火问题；同时，也不存在因工件之间的距离太近造成等离子体鞘层重叠，影响离子加速过程的问题。本申请的工件架，解决了等离子体基离子注入与沉积产业化过程中的三个重要技术问题，特别适合于大规模的批量工件镀膜生产。
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