-
公开(公告)号：CN100535944C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710123090.3
申请日：2007-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于计算机图形学领域，涉及一种用于视觉凸壳绘制的高光区域选取的方法及其装置。针对视觉凸壳绘制过程中图像高光区域选取方法的不足，本发明提出了一种高光区域识别提取方法。它能够自动判别图像中的高光亮斑并进行归类，最终得到一系列包围高光区域的矩形子图像。该方法主要分为以下三个步骤：识别图像中的高光种子点；对高光部位进行填充；提取高光亮斑子图像。本发明进一步提供了相应的硬件装置。本发明的优点在于对输入图像没有特殊的要求，对各种材质的物体均可适用；高光的识别、提取是全自动的；计算简便，可以快速地提取出包含高光亮斑的子图像，为视觉凸壳绘制中的高光消除计算提供条件。
-
公开(公告)号：CN101067870A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710123089.0
申请日：2007-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于计算机图形学领域，涉及一种用于视觉凸壳绘制的高光亮斑消除方法及其装置。该方法借助视觉凸壳绘制中的图像采集装置标定信息及图像序列的冗余信息，消除图像中的高光亮斑，最终得到无高光的图像序列。该方法的主要步骤包括：提取高光亮斑子图像；在其他参考图像中寻找对应子图像；对高光亮斑子图像进行重采样。进一步还对重采样后的子图像进行无缝化处理。本发明还提供了相应的硬件装置。本发明的优点在于利用了视觉凸壳绘制中提供的信息，计算简便高效，并且对输入图像序列没有特殊要求。去除高光后的图像序列可直接应用于视觉凸壳的绘制过程中，得到高真实感的无高光合成图像。
-
公开(公告)号：CN119833302A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411622693.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京大学 , 东莞金坤新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及磁性复合材料体系技术领域，尤其涉及一种多层石墨烯在磁性复合材料体系中取向排列的控制方法和检测方法。本发明提供了一种多层石墨烯在磁性复合材料体系中取向排列的控制方法，包括以下步骤：将多层石墨烯、磁粉和环氧树脂粘结剂混合，得到复合浆料；将所述复合浆料置于模具中压平后，施加单一方向的磁场，固化，得到含取向排列的多层石墨烯的磁性复合材料；所述模具的内部为圆柱形。与此同时还设计了配套的多层石墨烯取向度的检测方法。所述控制方法利用多层石墨烯的各向异性抗磁性，通过施加磁场的方法，将多层石墨烯在磁性复合材料中片层或竖直取向，以实现磁、导热、力学等物理性质的各向异性，创造出高性能磁性复合材料。
-
公开(公告)号：CN108831928A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810634017.0
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体材料负电容场效应晶体管及其制备方法，采用二维合金半导体材料HfZrSe2作为沟道材料，使之表面在空气中氧化生成HfZrO2，再通过退火得到具有铁电性的HfZrO2介质层，并在其上方淀积一层高k栅介质层，形成混合结构的栅介质。这样的器件结构不仅可以获得良好的栅介质和沟道二维半导体材料界面，减小界面态对亚阈特性的恶化，有利于获得超陡的亚阈斜率，同时，上层的高k栅介质能够保护下方的铁电特性的HfZrO2介质，使其和空气隔绝，使得器件的稳定性大大提高。本发明器件制备工艺简单，可实现大规模生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807553A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810634014.7
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法。两种功函数不同的半导体材料垂直堆叠时，电子会从费米能级较高的二维半导体材料向费米能级较低的材料进行转移，从而对费米能级较低的半导体材料产生N型掺杂，对费米能级较高的半导体材料产生P型掺杂。本发明利用这种掺杂方法在二维半导体材料中形成同质的突变PN结，同时不会在禁带中引入带尾，对于电子器件应用具有十分重要的意义；且该掺杂方法不存在由于离子碰撞产生的晶格损伤，同时稳定性大幅提升，制备工艺简单，易于推广到大规模生产。
-
公开(公告)号：CN100535943C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710123089.0
申请日：2007-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于计算机图形学领域，涉及一种用于视觉凸壳绘制的高光亮斑消除方法及其装置。该方法借助视觉凸壳绘制中的图像采集装置标定信息及图像序列的冗余信息，消除图像中的高光亮斑，最终得到无高光的图像序列。该方法的主要步骤包括：提取高光亮斑子图像；在其他参考图像中寻找对应子图像；对高光亮斑子图像进行重采样。进一步还对重采样后的子图像进行无缝化处理。本发明还提供了相应的硬件装置。本发明的优点在于利用了视觉凸壳绘制中提供的信息，计算简便高效，并且对输入图像序列没有特殊要求。去除高光后的图像序列可直接应用于视觉凸壳的绘制过程中，得到高真实感的无高光合成图像。
-
公开(公告)号：CN108565288B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810634016.6
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无法进入沟道当中，可以获得超低泄漏电流。在施加栅压的过程中，势垒逐渐降低，源区位于能量窗口内的载流子可以通过窗口进入沟道，被漏端收集形成电流，可以获得小于60mV/dec的亚阈值斜率。当器件处于开态时，栅压可以调控二维半导体材料之间的能带对准方式，降低源区和超晶格之间势垒高度，相比传统的三维半导体材料构成的超晶格陡亚阈器件来讲，可以获得更高的开态电流。该器件制备工艺简单，具备大规模生产能力。
-
公开(公告)号：CN108565288A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810634016.6
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的陡亚阈器件及其制备方法，在器件源区和沟道区之间插入由两种不同电子亲和势的纳米厚度的二维半导体材料重复堆垛形成的超晶格结构，构成能量窗口。当器件处于关态时，高于能量窗口的载流子被截断，无法进入沟道当中，可以获得超低泄漏电流。在施加栅压的过程中，势垒逐渐降低，源区位于能量窗口内的载流子可以通过窗口进入沟道，被漏端收集形成电流，可以获得小于60mV/dec的亚阈值斜率。当器件处于开态时，栅压可以调控二维半导体材料之间的能带对准方式，降低源区和超晶格之间势垒高度，相比传统的三维半导体材料构成的超晶格陡亚阈器件来讲，可以获得更高的开态电流。该器件制备工艺简单，具备大规模生产能力。
-
公开(公告)号：CN101067871A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710123090.3
申请日：2007-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于计算机图形学领域，涉及一种用于视觉凸壳绘制的高光区域选取的方法及其装置。针对视觉凸壳绘制过程中图像高光区域选取方法的不足，本发明提出了一种高光区域识别提取方法。它能够自动判别图像中的高光亮斑并进行归类，最终得到一系列包围高光区域的矩形子图像。该方法主要分为以下三个步骤：识别图像中的高光种子点；对高光部位进行填充；提取高光亮斑子图像。本发明进一步提供了相应的硬件装置。本发明的优点在于对输入图像没有特殊的要求，对各种材质的物体均可适用；高光的识别、提取是全自动的；计算简便，可以快速地提取出包含高光亮斑的子图像，为视觉凸壳绘制中的高光消除计算提供条件。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.028 seconds)
