公开(公告)号：CN212770941U

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202021390534.7

申请日：2020-07-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  沈剑飞 ,  刘丹烁 ,  蔡子东 ,  杨志坚 ,  王新强

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本实用新型公开了一种金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，包括反应室、载气源、三族源、五族源、三族源总管路、五族源总管路和尾气处理单元，其特征在于，该MOCVD系统还包括外加碳源，载气源通过管路连接该外加碳源，该外加碳源再通过管路连接三族源总管路或者直接连接反应室，并在外加碳源连接三族源总管路或者反应室的管路上设有质量流量控制器。利用该MOCVD系统可以在最佳的GaN生长条件下进行GaN外延生长，在保持GaN材料高晶体质量的同时，通过控制外加碳源流量精确调控GaN材料中C杂质浓度，实现半绝缘高阻GaN材料的制备。