微纳复合结构的太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102117850B

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201010543460.0

    申请日:2010-11-12

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种微纳复合结构的太阳能电池及其制备方法。其中,该微纳复合结构的太阳能电池的一侧设置有:在硅基衬底上表面制作的掺杂扩散层、在所述掺杂扩散层上腐蚀获取的微米尺度吸光层;以及在所述微米尺度吸光层上刻蚀获得的纳米尺度黑硅减反射层。本发明充分利用了纳米尺度黑硅材料的超宽带低反射率特性,与微米尺度吸光层结构转化效率高、开路电压高等优点相结合,在200nm~3300nm波长范围内实现了<1%的极低反射率超宽带硅基太阳能电池,在拓展对太阳光谱的吸收范围的前提下,能保持高的转化效率。

    使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法

    公开(公告)号:CN102653390A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201210115141.9

    申请日:2012-04-18

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供一种使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法。将硅片放入等离子体刻蚀设备反应室后,抽取反应室内气体至本底真空,混合通入刻蚀气体与钝化气体,调节工作压强至预设范围;然后启动射频电源,产生稳定等离子体,使等离子体与硅发生反应,进行刻蚀,形成纳米森林结构。本发明在无需任何纳米掩膜的条件下即可在晶片范围内均匀地制备高密度、高深宽比的纳米森林结构,工艺简单,便于实现,且制备效率高、成本低廉。刻蚀气体和钝化气体在刻蚀过程中混合后连续通入,线圈射频电源和平板射频电源也是以恒定功率连续工作,不需要间歇,过程简单,因而对设备性能的要求和控制的精确度都有很大程度的降低,刻蚀速率也有提高。

    一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN102583233A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210066386.7

    申请日:2012-03-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法,包括如下步骤:步骤1:将聚二甲基硅氧烷聚合物本体与聚合物引发剂按照一定的质量比,混合均匀形成聚二甲基硅氧烷预聚体;步骤2:通过压印或铸造的方法,控制温度和时间,将模板表面的纳米森林结构图形转移至聚二甲基硅氧烷表面,形成具有密集纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜;步骤3:控制深反应离子刻蚀设备的工艺参数,利用不同气体组合,对具有纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜进行物理和化学处理。本发明优点效果:利用纳米森林结构表面作为模板,并结合等离子体刻蚀工艺进行表面改性,从而实现接触角小于5°的稳定超亲水聚二甲基硅氧烷膜。

    自驱动无噪音录音键盘乐器

    公开(公告)号:CN104021782B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201410189774.3

    申请日:2014-05-06

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种自驱动无噪音录音键盘乐器,包括键盘、液晶显示屏、r型复合式发电机、整流桥、测量设备、电脑软件。琴键的每一个白键下面对应一个r型复合式发电机,发电机的压电模块输出连接至整流桥,输出连接至液晶显示屏。发电机的摩擦模块输出连接至测量设备;其记录的电信号输出至电脑软件。当按下琴键时,压电模块产生形变,产生电能驱动相应的液晶显示屏,起到指示按键音的作用。当演奏乐曲时,摩擦模块产生形变,测量设备会记录摩擦模块产生的电信号,电脑软件将电信号转化为数字声音,将演奏的音乐转化为数字音乐信息,实现录音的效果。应用本键盘乐器进行录音时,仅录制琴键按下时产生的声音,其它外界声音一概不会被记录,从而实现无噪音录音。

    一种高性能纳米摩擦发电机的制备方法

    公开(公告)号:CN103391021B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201310319347.8

    申请日:2013-07-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种高性能纳米摩擦发电机的制备方法,所述方法包括步骤1:从已有纳米摩擦发电机中取出易得电子的摩擦材料层;步骤2:对等离子体设备进行初始化和等离子体稳定,以使等离子体辉光放电;步骤3:调控等离子体设备工艺参数,采用八氟环丁烷作为反应气体,对易得电子的摩擦材料层表面进行化学修饰;步骤4:将化学修饰后的易得电子的摩擦材料层装配回纳米摩擦发电机,即得高性能纳米摩擦发电机。本发明提出的一种高性能纳米摩擦发电机的制备方法工艺简单、成本低、产率高、可批量生产,且工艺兼容性优异,不受器件结构、材料等限制,可广泛应用于已有摩擦式纳米发电机,提高其输出性能。

    一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN102583233B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201210066386.7

    申请日:2012-03-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法,包括如下步骤:步骤1:将聚二甲基硅氧烷聚合物本体与聚合物引发剂按照一定的质量比,混合均匀形成聚二甲基硅氧烷预聚体;步骤2:通过压印或铸造的方法,控制温度和时间,将模板表面的纳米森林结构图形转移至聚二甲基硅氧烷表面,形成具有密集纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜;步骤3:控制深反应离子刻蚀设备的工艺参数,利用不同气体组合,对具有纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜进行物理和化学处理。本发明优点效果:利用纳米森林结构表面作为模板,并结合等离子体刻蚀工艺进行表面改性,从而实现接触角小于5°的稳定超亲水聚二甲基硅氧烷膜。

    一种高密度纳米电极阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN102923645A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210489470.X

    申请日:2012-11-27

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种高密度纳米电极阵列制备方法,在导电性好的金属或半导体基底上,将纳米金属颗粒均匀紧密单层排布,通过高温退火工艺使纳米金属颗粒与基底紧密结合,再利用等离子体处理工艺刻蚀基底,制备实现高密度高深宽比纳米电极阵列结构。本发明可利用常规微加工设备,实现纳米尺度电极阵列结构,无需特殊昂贵的纳米加工设备,降低成本,且工艺兼容性好,可实现大面积晶片级加工。且RIE与DRIE工艺均为产业成熟可靠生产工艺,通过参数调控,可控制基底刻蚀深度,即纳米阵列高度可控,可适用于不同需求下纳米电极阵列的制备。

    基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法

    公开(公告)号:CN102627255A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210111375.6

    申请日:2012-04-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法,利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺,直接在硅基微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米森林结构,然后利用铸模方法将硅基微米尺度沟槽及其表面的纳米森林结构转移到PDMS上,再利用DRIE后处理工艺对PDMS进行表面物理化学处理,降低表面能,从而实现具有超疏水特性的PDMS三维减阻微流道。本发明可以极大地提高其面积体积比,降低表面能,从而使得微流道表面具有超疏水特性,实现优异减阻的效果,并可进一步提高其稳定超疏水特性,从而极大地提高其减阻效果,且工艺简单,成本低廉,易于产业化。

    一种微纳集成发电机及其制备方法

    公开(公告)号:CN103023371B

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201210530458.9

    申请日:2012-12-10

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: H02N11/002 H02N1/04 Y10T29/49119

    Abstract: 本发明公开了微纳集成发电机及制备方法,结构包括导电层、PET层、PDMS层、微纳复合PDMS阵列和金属膜层,导电层制作于PET层表面;PET层为聚对苯二甲酸乙二醇酯;PDMS层为聚二甲基硅氧烷;微纳复合PDMS阵列制作于PDMS层表面。方法包括1)通过结合光刻和化学腐蚀或物理刻蚀,在基片上制作微米尺度结构;2)利用无掩膜优化深反应离子刻蚀工艺,在微米尺度结构表面上制作高密度高深宽比纳米尺度结构;3)利用PDMS铸膜转印工艺,调控工艺参数,以微纳复合阵列结构模具为模板;4)利用蒸发或溅射或化学气相沉积工艺,在PET层表面制作导电层;5)通过高温键合或常温物理施压,将PDMS层与PET层键合;6)将5)键合结构,金属膜层,5)键合结构,按依次顺序组装并封装。

    基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法

    公开(公告)号:CN102627255B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201210111375.6

    申请日:2012-04-16

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法,利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺,直接在硅基微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米森林结构,然后利用铸模方法将硅基微米尺度沟槽及其表面的纳米森林结构转移到PDMS上,再利用DRIE后处理工艺对PDMS进行表面物理化学处理,降低表面能,从而实现具有超疏水特性的PDMS三维减阻微流道。本发明可以极大地提高其面积体积比,降低表面能,从而使得微流道表面具有超疏水特性,实现优异减阻的效果,并可进一步提高其稳定超疏水特性,从而极大地提高其减阻效果,且工艺简单,成本低廉,易于产业化。

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