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公开(公告)号：CN102583233A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210066386.7
申请日：2012-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤1：将聚二甲基硅氧烷聚合物本体与聚合物引发剂按照一定的质量比，混合均匀形成聚二甲基硅氧烷预聚体；步骤2：通过压印或铸造的方法，控制温度和时间，将模板表面的纳米森林结构图形转移至聚二甲基硅氧烷表面，形成具有密集纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜；步骤3：控制深反应离子刻蚀设备的工艺参数，利用不同气体组合，对具有纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜进行物理和化学处理。本发明优点效果：利用纳米森林结构表面作为模板，并结合等离子体刻蚀工艺进行表面改性，从而实现接触角小于5°的稳定超亲水聚二甲基硅氧烷膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102627256B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210111788.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 基于微纳集成加工技术的三维减阻微流道结构及制备方法，涉及微加工技术领域。利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，增大其表面积和体积比；同时可在其表面淀积一层氟基聚合物，降低表面能，实现具有超疏水特性的表面结构，进而实现真正三维减阻微流道结构。本发明的有益效果：在不破坏原有微米尺度结构的基础上，生长高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，可实现纳米森林对微米尺度沟槽的100％覆盖，从而实现真正的三维减阻微流道。可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，使得微流道表面具有超疏水特性，从而实现优异减阻的效果。工艺简单，成本低廉，易于产业化。
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公开(公告)号：CN102583233B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210066386.7
申请日：2012-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米森林模板的超亲水聚二甲基硅氧烷薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤1：将聚二甲基硅氧烷聚合物本体与聚合物引发剂按照一定的质量比，混合均匀形成聚二甲基硅氧烷预聚体；步骤2：通过压印或铸造的方法，控制温度和时间，将模板表面的纳米森林结构图形转移至聚二甲基硅氧烷表面，形成具有密集纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜；步骤3：控制深反应离子刻蚀设备的工艺参数，利用不同气体组合，对具有纳米阵列结构表面的聚二甲基硅氧烷薄膜进行物理和化学处理。本发明优点效果：利用纳米森林结构表面作为模板，并结合等离子体刻蚀工艺进行表面改性，从而实现接触角小于5°的稳定超亲水聚二甲基硅氧烷膜。
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公开(公告)号：CN102627255A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210111375.6
申请日：2012-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法，利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在硅基微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米森林结构，然后利用铸模方法将硅基微米尺度沟槽及其表面的纳米森林结构转移到PDMS上，再利用DRIE后处理工艺对PDMS进行表面物理化学处理，降低表面能，从而实现具有超疏水特性的PDMS三维减阻微流道。本发明可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，从而使得微流道表面具有超疏水特性，实现优异减阻的效果，并可进一步提高其稳定超疏水特性，从而极大地提高其减阻效果，且工艺简单，成本低廉，易于产业化。
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公开(公告)号：CN102627255B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210111375.6
申请日：2012-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法，利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在硅基微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米森林结构，然后利用铸模方法将硅基微米尺度沟槽及其表面的纳米森林结构转移到PDMS上，再利用DRIE后处理工艺对PDMS进行表面物理化学处理，降低表面能，从而实现具有超疏水特性的PDMS三维减阻微流道。本发明可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，从而使得微流道表面具有超疏水特性，实现优异减阻的效果，并可进一步提高其稳定超疏水特性，从而极大地提高其减阻效果，且工艺简单，成本低廉，易于产业化。
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公开(公告)号：CN102627256A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210111788.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 基于微纳集成加工技术的三维减阻微流道结构及制备方法，涉及微加工技术领域。利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，增大其表面积和体积比；同时可在其表面淀积一层氟基聚合物，降低表面能，实现具有超疏水特性的表面结构，进而实现真正三维减阻微流道结构。本发明的有益效果：在不破坏原有微米尺度结构的基础上，生长高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，可实现纳米森林对微米尺度沟槽的100％覆盖，从而实现真正的三维减阻微流道。可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，使得微流道表面具有超疏水特性，从而实现优异减阻的效果。工艺简单，成本低廉，易于产业化。
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