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公开(公告)号：CN115274864A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872263.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/872 , H01L23/31 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触。通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。
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公开(公告)号：CN113205776B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110467001.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3291
Abstract: 本发明提供一种数据线驱动单元、显示系统及灰度相关远端辅助驱动方法，数据线驱动单元包括电压缓冲器、数据线、NMOS晶体管和PMOS晶体管，显示系统包括第一驱动单元、显示面板、第二驱动单元和显示控制器，第一驱动单元、显示面板和第二驱动单元之间形成M列驱动通道。本发明的数据线驱动单元、显示系统及灰度相关远端辅助驱动方法采用在数据线的近端和远端同时开始驱动的技术方案，近端由传统的电压缓冲器驱动，而远端则由完全导通的高压PMOS晶体管或NMOS晶体管驱动，持续周期由p_pulse或n_pulse控制，本发明结合了电压预加重、灰度相关和两端驱动方法的优点，系统具有更好的性能。
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公开(公告)号：CN111445872B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010115547.1
申请日：2020-02-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种驱动模块、驱动装置以及内嵌式触控设备。驱动模块包括：输入单元，配置为获取输入信号；输出单元，配置为在时序信号组的影响下，基于输入信号在输出节点提供输出信号；电位保持单元，其包括第一节点，第一节点电容耦合至时序信号组中的第一时序信号并且配置为通过第一节点来将输出节点和输出单元的驱动节点保持在低电位，其中，电位保持单元还配置为：(i)在时序信号组的作用下，在第一节点处存储输入信号，并且基于已存储的输入信号或第二节点处的信号向驱动节点执行充电操作；或者(ii)在时序信号组的影响下，在第二节点处存储输入信号，并且基于第一节点处的信号向驱动节点执行充电操作。
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公开(公告)号：CN109977458B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910109025.8
申请日：2019-02-03
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/38
Abstract: 本发明提供了一种混合模数转换器，所述混合模数转换器应用于第一读出电路中，所述第一读出电路具有M×N个像素阵列结构；所述混合模数转换器包括M×N个第一级ADC和N个第二级ADC；所述像素阵列结构的每个像素均布置有一个第一级ADC；所述像素阵列结构的每一列均布置有一个第二级ADC；每个所述第一级ADC与所在列的所述第二级ADC相连接；所述第一级ADC用于将生成高位信号传输给第二级ADC；所述第二级ADC用于生成低位信号，并将所述高位信号和低位信号进行拼接后读出。本发明实施例使用了两级量化结构，使得所述混合模数转换器与传统设计相比获得了更好的电荷处理能力和更高的线性度。
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公开(公告)号：CN112466916A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011298874.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109785800B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910163742.9
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3266 , G09G3/3291
Abstract: 一种实施例的微显示像素电路，采用“源极跟随”结构提取驱动晶体管的阈值电压，并且存储于耦合电容C1上，以补偿驱动晶体管阈值电压不均匀性。在阈值电压提取阶段，参考电位VREF加于驱动晶体管的控制极(例如栅极)，驱动晶体管第二极(例如源极)电位被抬高直至驱动晶体管关断，于是驱动晶体管的阈值电压被存储在耦合电容C1的两端。在发光阶段，耦合电容C1两端存储的编程电压中包含的驱动晶体管阈值电压信息能够被消除，从而能够补偿驱动晶体管的阈值电压不均匀性。
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公开(公告)号：CN111865227A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010824154.8
申请日：2020-08-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H03F1/08
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管集成的放大器，包括单端放大电路单元，其中输入放大电路用于输入放大电路用于对其信号输入端接收的信号进行放大；自举上拉电路用于对信号输出端所输出信号的电位进行上拉，并增大自举上拉电路的输出阻抗，以提升单端放大电路单元的放大增益；本发明还包括双端放大电路单元，其中正/负相输入电路用于对其正/负相信号输入端接收的正/负相位信号进行放大；正/负相位自举上拉电路用于对正/负相位输出信号的电位进行上拉，并增大正/负相位自举上拉电路的输出阻抗，以提升双端放大电路单元的放大增益；本发明通过提升单端放大电路单元、双端放大电路单元的放大增益，使得薄膜晶体管集成的放大器具有较优的性能。
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公开(公告)号：CN109119029B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810632259.6
申请日：2018-06-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3291 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种像素电路及其驱动方法、显示装置和电子设备，该像素电路在满足阈值电压补偿的基础上提出了一种迁移率补偿结构，该结构包含两个开关管和一个耦合电容。在数据输入阶段，通过对驱动管栅端进行放电来改变存储电容上的有效电压信息，从而有效补偿迁移率的变化，且在发光阶段耦合电容与电路完全隔离，可以减小寄生量的影响。该像素电路只需要两种控制时序，可以减小外围驱动IC的复杂程度，提高像素的开口率。此外，该像素电路在微显示领域也可以得到很好的应用，迁移率补偿结构由于对输入的数据电压进行了耦合放电，可以通过控制放电时间来有效增大微显示像素的数据输入范围，从而达到扩大数据电压范围的目的。
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公开(公告)号：CN110926508A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911209926.0
申请日：2019-11-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 昆山龙腾光电股份有限公司
IPC: G01D5/26
Abstract: 本申请提供一种主动驱动式光电传感器、前端电路及驱动方法，一种主动驱动式光电传感器，包括电源端、第一端子、第二端子及光感应输出部，所述电源端用于接收电源，所述第一端子用于接收外界光，所述第二端子用于接收周期性电激励信号，所述光感应输出部用于根据所述周期性电激励信号调整光照阈值，以根据所述光照阈值和接收到的外界光调制电信号的输出。通过该主动驱动式光电传感器可以实现对光照阈值的调整，进一步优化光电传感器的输出，实现稳定、可控的光电响应。
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公开(公告)号：CN107946195B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710287051.0
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。
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