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公开(公告)号：CN106095684A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610437023.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: G06F11/36
CPC classification number: G06F11/3684 , G06F11/3688 , G06F11/3692
Abstract: 本发明公布了一种预测性变异测试方法，分为训练阶段和预测阶段，通过预测方法来预测每一个变异体的执行结果；训练阶段包括：执行变异体；对已执行变异体进行特征收集，形成特征属性文件；应用分类算法创建分类模型；预测阶段包括：对未执行变异体进行特征收集；对未执行变异体利用分类模型将每一个未执行变异体分类，即获得分类结果。采用本发明技术方案进行变异测试，可对待测的变异体，直接使用建立的预测模型进行预测，不必执行变异体即可得到变异体的执行结果，可显著降低变异测试代价。
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公开(公告)号：CN117284635A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311025112.8
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯薄膜包覆式气体分子储存及可控释放装置，属于微纳元件应用领域。本装置包括压盖、石墨烯薄膜和柔性基底；柔性基底上开设若干凹槽；石墨烯薄膜铺设在柔性基底表面，并通过预拉伸柔性基底的生产方法得到弯曲态的石墨烯薄膜，在无外力作用下薄膜由于机械变形而保持为封闭的管状储存囊形态；两端使用压盖封闭，以防气体分子外逸。本发明以石墨烯薄膜的机械弯曲变形实现储存空间的开放和闭合，能够快速完成气体的收集，并通过控制储存空间的开口大小控制内部气体分子的释放速率；相较于现有的吸附式储气方法具有更高的储存速度，以及简易可控的气体释放功能；装置适用的气体范围广，可多次重复使用。
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公开(公告)号：CN109632855B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811358362.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN110871141A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811018745.5
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构纳米复合物。该复合物由两亲性聚合物与疏水性修饰的磁性纳米粒子通过共组装形成，其核芯为疏水性修饰的磁性纳米材料，壳层为两亲性聚合物，其中，两亲性聚合物中的亲水链段位于所述壳层的最外层。利用上述复合物可通过单次结晶同时获得两种光学纯对映体。其关键是利用所述复合物，在外消旋底物的过饱和溶液中，其在抑制某一构型分子结晶的同时，还对相同构型分子有富集作用，在单元操作中生成一种无磁性晶体和一种有磁性晶体(其互为对映异构体)。利用该方法，一次结晶就能获得ee％值均高于90％的两种对映体，产率可达40％。该方法使得外消旋化合物的分级结晶拆分过程变得更为简便和高效，具有工业应用价值。
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公开(公告)号：CN109103070A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810801132.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法，通过该方法获得的层状叠加AlN材料，从下向上依次为：纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层、高温AlN横向生长层和高温AlN纵向生长层，在纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层和高温AlN横向生长层中具有周期性排布的空气隙，所述空气隙在Si衬底中的深度为10nm～1μm，其横截面最大宽度为50nm～1μm，周期为100nm～2μm。与现有生长厚膜AlN的方法相比，本发明成本低廉，可被大规模产业化应用，大幅降低硅衬底上AlN的缺陷密度，提高后续器件结构材料的晶体质量，在垂直结构的UV-LED器件、微机电系统、发光二极管、射频滤波器以及声表面波器件制造和高频宽带通信等领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108172501A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711400432.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公布了一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法，在异质衬底上依次生长氮化铝成核层、铝镓氮层、氮化镓位错过滤层和氮化镓外延层，通过采用独特的氮化镓位错过滤层，有效克服了现有异质衬底上GaN厚膜材料外延技术上的复杂性，使外延工艺简单且快捷有效，稳定性高，同时能大幅降低缺陷密度，获得GaN连续厚膜，提高异质结构晶体质量，十分适合于低成本的垂直GaN电子器件的研制。
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公开(公告)号：CN104699595B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201310655851.5
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种面向软件升级的软件测试方法，所述方法基于等式描述的蜕变关系自动构造。在软件升级前，测试人员针对现有软件，构造每个程序的蜕变关系；所述程序指的是实现特定函数计算功能的程序代码；在软件升级后，针对修改后的程序，测试人员产生n个一定范围内的随机数作为测试用例，然后将每个测试用例和其在修改后程序中相应的输出代入修改之前程序构造出的蜕变关系式中，查看蜕变关系式是否成立，若修改后的程序不符合之前所构造出来的蜕变关系，则说明软件在升级过程中存在错误。通过本发明，测试人员可以将构造出的蜕变关系应用到蜕变测试中，从而验证软件版本升级过程中程序的正确性。
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公开(公告)号：CN104558603A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310502927.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京大学
IPC: C08G73/10
Abstract: 本发明公开了一种合成芳香酰亚胺的方法。该方法包括如下步骤：将由式II所示重复结构单元构成的聚合物在含氧气氛中进行氧化酰亚胺化反应，反应完毕得到所述由式I所示重复结构单元构成的聚合物。该方法将含邻甲基或取代的邻甲基的芳香酰胺结构在含氧气氛中在加热的条件下转化为芳香酰亚胺结构。此法可以用来将含邻甲基结构的芳香族聚酰胺材料直接在空气或含氧气氛中直接转化为芳香族聚酰亚胺材料，以提高材料的耐热性等性质。
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公开(公告)号：CN117727417B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202311545351.6
申请日：2023-11-20
Applicant: 北京肿瘤医院(北京大学肿瘤医院)
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于患者复查的自助开单方法、装置、计算机设备及介质，涉及智慧医疗技术领域，方法包括：获取待复查患者的病历信息，判断待复查患者是否符合自助开单要求；若是，对其生成自助开单标识；根据该标识生成适合待复查患者的检验检查申请单套餐；接收待复查患者输入的自助申请检验检查项目的相关信息，根据相关信息生成待审核检验检查项目，并发送给第一医生端进行在线审核，在预设时间段内收到第一医生端反馈的审核通过信息后，生成待检验检查项目；将待检验检查项目反馈给待复查患者，显示缴费及检查的提示信息。该方案优化了患者的就医流程，提高了患者就诊效率，提高了医生工作效率。
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