公开(公告)号：CN106952959B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201710156420.2

申请日：2017-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  胡向阳 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公布了一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法。该锗硅沟道鳍式场效应晶体管通过热氧化形成体在绝缘层上(BOI)结构，切断了源漏间的泄漏电流通道，能够有效抑制器件的泄漏电流，并且比SGOI FinFET具有更小的埋氧层面积，可以改善散热效果。另外，在氧化过程中利用锗聚集技术有利于提高沟道中锗组分，提高载流子迁移率，从而提高开态电流。

公开(公告)号：CN105336694B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510657587.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  林猛 ,  黄如 ,  安霞 ,  张冰馨 ,  赵阳 ,  郝培霖 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0

公开(公告)号：CN103887241B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN105551941A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02365

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。

公开(公告)号：CN105336694A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510657587.8

申请日：2015-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  林猛 ,  黄如 ,  安霞 ,  张冰馨 ,  赵阳 ,  郝培霖 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0