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公开(公告)号：CN117030071A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311048895.1
申请日：2023-08-18
Applicant: 北京印刷学院
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种柔性力学传感器及其制备方法和应用。本发明提供了一种基于导电离子水凝胶的柔性力学传感器，包括依次层叠设置的第一铜集流体层、第一导电金属‑有机框架层、导电离子水凝胶层、第二导电金属‑有机框架层和第二铜集流体层；还包括位于所述第一铜集流体层表面的第一丝印微纳米铜电极层和位于所述第二铜集流体层表面的第二丝印微纳米铜电极层。所述柔性力学传感器具有导电离子扩散性、应变敏感性和环境稳定性以及成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN116744776A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310729176.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明涉及柔性电子器件技术领域，尤其涉及离子型忆阻器及其制备方法和应用。本发明提供了一种离子型忆阻器，包括第一丝印银电极层、金属离子复合聚合物层和第二丝印银电极层；所述金属离子复合聚合物层位于第一丝印银电极层和第二丝印银电极层之间，且所述第一丝印银电极层、金属离子复合聚合物层和第二丝印银电极层之间形成桥连结构。所述离子型忆阻器具有稳定的阻态转变、超低的开关电压、极高的开关比和良好的数据保持性。
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公开(公告)号：CN109273598A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811451369.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。
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公开(公告)号：CN119901393A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510010993.9
申请日：2025-01-03
IPC: G01K13/00 , C08F220/18 , C08F2/48 , C08F220/24
Abstract: 本发明涉及一种基于PVA的柔性温度传感器及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1.水溶性聚合物导电微球分散液制备；S2.疏水改性乳液制备；S3.成膜液制备：将PVA溶解得PVA水溶液，加入分散液，搅拌得成膜液；S4.传感器成型：将成膜液倒入成膜模具中形成液膜，干燥至含水量低于30％得半干膜，再向模具中倒入乳液，充分浸泡后，倒出多余乳液，光照引发原位聚合，充分聚合后，干燥得传感器薄膜，两端固定导电电极，即得。本发明以水溶性聚合物导电微球为导电介质，能够更好的分散且成膜后起导电作用的纳米金属能够稳定结合于聚合物内核表面，不易团聚，性能稳定；疏水改性乳液能够使PVA膜层改性，保证该柔性温度传感器在不同湿度环境中均保持稳定的温敏特性。
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公开(公告)号：CN117906797A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410071094.5
申请日：2024-01-17
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明涉及柔性传感器技术领域，尤其涉及一种柔性变色压力传感器及其制备方法和应用。本发明提供了一种柔性变色压力传感器，包括依次层叠设置的第一电极层、压电功能层、电致变色层和第二电极层；所述第一电极层和第二电极层均包括透明聚酰亚胺薄膜和覆盖在所述透明聚酰亚胺薄膜一侧表面的银纳米线网络层；所述第一电极层中的银纳米线网络层与所述压电功能层接触；所述第二电极层中的银纳米线网络层与所述电致变色层接触；所述电致变色层为过渡金属氧化物薄膜层。所述柔性变色压力传感器在外力作用下产生应变，受力越大应变越大，在一定应变范围内，发生稳定、可逆的颜色变化，体现为高灵敏度变色响应，具有快速着色和褪色的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117042585A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311062462.1
申请日：2023-08-22
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明属于光信息存储器件技术领域，具体涉及一种光信息存储忆阻器及其制备方法和应用。本发明提供的光信息存储忆阻器包括复合功能层和包覆于所述复合功能层外表面的封装层；所述复合功能层包括依次层叠设置的第一电极层、金属卤化物钙钛矿薄膜层和第二电极层；所述金属卤化物钙钛矿薄膜层中的金属卤化物钙钛矿化学式为A2MX4；所述第一电极层和第二电极层独立地为单侧镀有氧化铟锡层的氧化铟锡玻璃；所述氧化铟锡层位于所述第一电极层和第二电极层的靠近金属卤化物钙钛矿薄膜层一侧。本发明提供的光信息存储忆阻器可用作智能包装的存储器件，在光照下具有快速响应、非易失性、良好的光选择性、模拟记忆特性和耐受性，具有产业化价值。
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公开(公告)号：CN112844384A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011559963.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京印刷学院
IPC: B01J23/72 , B01J37/03 , B01J37/08 , B01J37/02 , C23C16/40 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C18/02 , C23C28/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种基于二氧化钛/铜复合薄膜的光催化器件及其制备方法和应用，属于光催化器件技术领域。本发明提供了一种基于二氧化钛/铜复合薄膜的光催化器件，包括石英玻璃基底、TiO2微腔多孔层和TiO2/Cu复合薄膜，其中，所述TiO2微腔多孔层设置于所述石英玻璃基底的表面，所述TiO2微腔多孔层由TiO2微腔阵列形成，单个TiO2微腔为顶部和底部开口的球腔，且TiO2微腔顶部的开口尺寸大于底部的开口尺寸；所述TiO2微腔的底部开口处裸露的石英玻璃基底表面以及TiO2微腔表面均设置有TiO2/Cu复合薄膜。本发明提供的光催化器件比表面积大，光催化效率高，且使用后整个光催化器件便于分离回收。
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公开(公告)号：CN116995115A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310959990.0
申请日：2023-08-01
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种柔性光敏传感器及其制备方法和应用。本发明提供的柔性光敏传感器包括光敏复合层和包覆于所述光敏复合层侧面的封装层；所述光敏复合层包括依次层叠设置的第一透明电极层、铋系光电功能层和第二透明电极层；所述铋系光电功能层为Bi2MoO6掺杂复合薄膜；所述第一透明电极层和第二透明电极层独立地包括柔性薄膜基底和纳米银层；所述纳米银层独立地位于所述第一透明电极层或第二透明电极层近铋系光电功能层的一侧表面。本发明提供的柔性光敏传感器具有柔性透明等优点，所述光电功能层在可见光范围内，光生电子和空穴对容易分离，在波长大于420nm的可见光作用下产生光电流，灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN112844384B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202011559963.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京印刷学院
IPC: B01J23/72 , B01J37/03 , B01J37/08 , B01J37/02 , C23C16/40 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C18/02 , C23C28/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种基于二氧化钛/铜复合薄膜的光催化器件及其制备方法和应用，属于光催化器件技术领域。本发明提供了一种基于二氧化钛/铜复合薄膜的光催化器件，包括石英玻璃基底、TiO2微腔多孔层和TiO2/Cu复合薄膜，其中，所述TiO2微腔多孔层设置于所述石英玻璃基底的表面，所述TiO2微腔多孔层由TiO2微腔阵列形成，单个TiO2微腔为顶部和底部开口的球腔，且TiO2微腔顶部的开口尺寸大于底部的开口尺寸；所述TiO2微腔的底部开口处裸露的石英玻璃基底表面以及TiO2微腔表面均设置有TiO2/Cu复合薄膜。本发明提供的光催化器件比表面积大，光催化效率高，且使用后整个光催化器件便于分离回收。
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公开(公告)号：CN109273598B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811451369.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。
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