真空容器内局部位置的真空度测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN102455236B

    公开(公告)日:2013-11-13

    申请号:CN201010517822.9

    申请日:2010-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种真空容器内局部位置的真空度测量系统及测量方法,该系统包括一端设置在真空容器上的波纹管,波纹管与真空容器之间通过密封法兰进行真空密封,真空规设置在波纹管的另一端,并根据真空规的具体接口进行密封,真空规的引线穿过波纹管引出到真空容器外,通过移动设置真空规的波纹管一端,至待测量真空度的位置,并通过真空规进行该位置真空度的测量。本发明由于通过将真空规放入真空容器内进行测量,能够完成局部位置的真空度测量,此外,测量系统结构简单、规模小,对现有的真空规不要求改动,易于实现。

    介质材料二次电子发射系数测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN102706914A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210219891.0

    申请日:2012-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种介质材料二次电子发射系数的测量系统及测量方法。该测量系统包括法拉第杯、脉冲电子枪,法拉第杯外的脉冲电子枪产生的入射电子束穿过筒上的电子入射口入射到样品上,样品背电极和地线之间电连接有自动调压电路,使得样品表面电位相对于电子枪之间的电位差保持恒定,该调压电路的调压幅度由反馈控制电路实时控制,从而保证样品的充电电位得到实时补偿,样品与调压电路的调压电源之间以及法拉第杯分别连有电流探头测量净收集电流和二次电子电流。本发明的测量系统和方法简单,不需要离子源等额外消电设备和相关实验环节且测量效率高,可连续测量,无需在每个辐照脉冲后都停止以实施消电处理和表面电位测量等工作,且测量误差较小。

    提高NV色心系综磁强计系综灵敏度的荧光收集结构

    公开(公告)号:CN113064107A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110290739.0

    申请日:2021-03-18

    Abstract: 本申请提供一种提高NV色心系综磁强计系综灵敏度的荧光收集结构,包括在金刚石侧面设的侧面荧光反射部或侧面荧光探测部,对应金刚石下方设的第一底面荧光探测部及第二底面荧光探测部;金刚石的激光非入射区表面设有荧光全反射层;侧面荧光探测部用于检测金刚石侧面射出的荧光光子;第一底面荧光探测部用于检测金刚石底面射出的荧光光子;侧面荧光反射部用于将水平方向的荧光光子反射向金刚石的底面方向;第二底面荧光探测部用于检测金刚石底面及侧面荧光反射部底面射出的荧光光子。本申请的有益效果是:在金刚石的上表面、侧面及底面设置荧光反射或者荧光探测装置,从而提高荧光光子的收集效率,提高NV色心系综磁强计的灵敏度。

    真空容器内局部位置的真空度测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN102455236A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201010517822.9

    申请日:2010-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种真空容器内局部位置的真空度测量系统及测量方法,该系统包括一端设置在真空容器上的波纹管,波纹管与真空容器之间通过密封法兰进行真空密封,真空规设置在波纹管的另一端,并根据真空规的具体接口进行密封,真空规的引线穿过波纹管引出到真空容器外,通过移动设置真空规的波纹管一端,至待测量真空度的位置,并通过真空规进行该位置真空度的测量。本发明由于通过将真空规放入真空容器内进行测量,能够完成局部位置的真空度测量,此外,测量系统结构简单、规模小,对现有的真空规不要求改动,易于实现。

    介质内部充电电荷的测量探头结构

    公开(公告)号:CN102539943B

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201110428648.5

    申请日:2011-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种介质内部电荷测量装置的探头结构,包括:利用印刷电路板工艺在三层FR4基板上设置6层印刷电路板中栅网,三个基板外周部分上依次设置有第一过孔,第二过孔、第三过孔和第四过孔,四个过孔的上下端面还设置有6条栅网以分别形成三个法拉第筒,从而对介质内部的电荷进行测量。本发明的介质内部电荷测量装置的探头结构,可用于航天器内带电效应在轨监测载荷的研制,为航天器内带电效应在轨监测技术的提供了一种很好的技术手段。

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