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公开(公告)号：CN110739875A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911079755.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开了一种消除MMC(modularmultilevelconverter，模块化多电平换流器)共模电压的六段式最近电平逼近调制方法，包括：将一个工频周期等分为满足预设条件的第一至第六控制区域；在任一相的控制区域内，获取其他两相上桥臂和下桥臂投入的目标子模块数；根据其他两相上桥臂投入的目标子模块数得到任一相上桥臂投入的目标子模块数，并根据其他两相下桥臂投入的目标子模块数得到任一相下桥臂投入的目标子模块数，以抑制MMC共模电压。该方法能消除共模电压，有效降低系统漏电流和共模噪声，有效解决了现有MMC中存在着高频共模电压能通过杂散电容产生漏电流、共模干扰，危害电机轴承、通信系统等的技术问题。
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公开(公告)号：CN107994766B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201711378521.0
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明公开了一种基于阶梯波序列的周期扩频PWM控制方法及装置，其中，方法包括：根据阶梯波函数生成阶梯波信号；对阶梯波信号进行采样，得到呈阶梯波分布的阶梯波序列；根据阶梯波序列和最大频率波动得到扰动频率值；根据基准开关频率和扰动频率值得到频率变化的载波信号；根据载波信号和调制波信号比较生成扩频PWM控制信号。该方法能够更为有效的抑制电力电子变换器电磁干扰，在抑制效果上，不仅能够更大幅度的降低开关频率及其倍数次谐波幅值，更重要的是只在开关频率及其倍数次附近小范围内有谐波幅值的增加，频谱频率扩展范围窄，避免了低频噪声及次谐波噪声的产生，能够进一步提高电力电子变换器的电磁兼容性。
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公开(公告)号：CN106301303B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610737306.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 北京交通大学
IPC: H03K7/08
Abstract: 本发明提出一种新型高效混合式混沌扩频脉宽调制方法及系统，该方法包括以下步骤：根据周期函数生成离散周期序列，并根据混沌映射生成离散混沌序列；将离散周期序列和离散混沌序列按照预设比重系数进行叠加，以生成混合式混沌序列；根据混合式混沌序列对电力电子装置进行混沌扩频脉宽调制，得到频率混沌变化的混沌载波信号；根据混沌脉宽调制信号和混沌载波信号生成混合式混沌扩频脉宽调制控制信号，并根据混沌扩频脉宽调制控制信号对电力电子装置进行控制。本发明能够更为有效的抑制电力电子装置的电磁干扰，减轻传统周期控制和混沌控制方法中低频噪声及次谐波的生成，提高电力电子装置的电磁兼容性。
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公开(公告)号：CN104899350A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510203136.7
申请日：2015-04-27
Applicant: 北京交通大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅SiC？MOSFET仿真模型的建模方法，包括以下步骤：采用等效电路建模的方法对SiC？MOSFET进行建模以获得第一模型；根据SiC？MOSFET的Datasheet提供的转移特性曲线和输出特性曲线以及第一模型对SiC？MOSFET的静态特性进行建模以获得SiC？MOSFET的静态仿真模型；以及根据Datasheet提供的C-VDS曲线以及第一模型对SiC？MOSFET的动态特性进行建模以获得SiC？MOSFET的动态仿真模型。通过该建模方法能够建立更为精确的SiC？MOSFET仿真模型，并且建模方法具有通用性。
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公开(公告)号：CN109861679B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910005807.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京交通大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，检测电路，用于检测驱动推挽电路的驱动电压，以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进入栅极电流下降阶段；脉冲产生电路，用于根据驱动电压产生预设宽度的脉冲；放大输出电路，用于放大脉冲，并向SiC MOSFET的栅极注入电流。本发明实施例的有源驱动电路能够有效的抑制SiC MOSFET关断时漏源极电压的尖峰和振荡，在不牺牲SiC器件优势的前提下，改善因SiC MOSFET漏源电压尖峰和振荡带来成的可靠性问题和电磁干扰问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109818599B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910005806.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京交通大学
IPC: H03K17/081
Abstract: 本发明公开了一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路，其中，采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容，脉冲产生电路包括第一比较器、第二比较器，第一逻辑与门，驱动电压补偿电路包括第五电阻、第六电阻，第一开关管，第二开关管，第一二极管。本发明实施例的有源驱动电路通过采样电路检测驱动脉冲使得脉冲产生电路在SiC MOSFET关断过程的漏极电流下降阶段产生补偿信号，经过驱动电压补偿电路，对门极电压进行补偿，以抬升门极电压，抑制电流的变化率，从而抑制SiC MOSFET两端的电压尖峰和振荡。
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公开(公告)号：CN110719021A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911054800.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M1/44 , H02M1/12 , H02M7/5395 , H02J3/38
Abstract: 本发明公开了一种并网三相逆变器共模EMI滤波器优化设计方法，包括：在并网三相逆变器中使用混沌SPWM调制，并且通过线性稳定阻抗网络得到变换器所需衰减的共模EMI频谱；分析并网三相逆变器的共模EMI通路以得到戴维南或者诺顿等效电路，根据等效电路求得共模EMI滤波器的插入损耗曲线；根据插入损耗曲线与共模EMI频谱的切点的参数及共模EMI滤波器转的折频率表达式得到所需电感值和所需电容值。该方法相较于使用定频SPWM调制的并网三相逆变器，可以提高所需共模EMI滤波器的转折频率，从而降低所需电感和电容值，降低共模EMI滤波器的体积、重量和成本，提高并网三相逆变器的功率密度。
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公开(公告)号：CN109861679A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910005807.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京交通大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，检测电路，用于检测驱动推挽电路的驱动电压，以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进入栅极电流下降阶段；脉冲产生电路，用于根据驱动电压产生预设宽度的脉冲；放大输出电路，用于放大脉冲，并向SiC MOSFET的栅极注入电流。本发明实施例的有源驱动电路能够有效的抑制SiC MOSFET关断时漏源极电压的尖峰和振荡，在不牺牲SiC器件优势的前提下，改善因SiC MOSFET漏源电压尖峰和振荡带来成的可靠性问题和电磁干扰问题。
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公开(公告)号：CN105930918A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610219387.9
申请日：2016-04-11
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E40/76 , Y04S10/545 , G06Q10/04 , G06Q50/06
Abstract: 本发明公开了一种应用于多峰MPPT的整体分布‑粒子群优化算法，在PSO算法上，添加了OD算法的步骤，通过OD进一步缩小最大功率点所在的范围，再通过PSO算法进行进一步迭代，最终收敛到最大功率点。本发明具有如下优点：通过整体分布(OD)算法将粒子分布在最大功率点附近，再利用PSO算法进行精确跟踪，使得该算法不依赖于初始粒子的位置，从而不需要依赖于光伏阵列过多的信息，就可以达到较好的跟踪效果和较快的跟踪速度。
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公开(公告)号：CN105471300A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510998769.1
申请日：2015-12-25
Applicant: 北京交通大学
IPC: H02M7/487 , H02M7/5395 , H02M1/12 , H02J3/38
CPC classification number: Y02E10/563 , H02M7/487 , H02J3/383 , H02M1/12 , H02M7/5395 , H02M2001/123
Abstract: 本发明公开了一种H5-D型非隔离光伏并网逆变器及其调制方法，逆变器包括光伏电池，光伏电池的两端并联有输入滤波电容，光伏电池的两端与H5型逆变环节连接，输入滤波电容与H5型逆变环节之间还连接有中点钳位开关，H5型逆变环节通过滤波器与电网连接。本发明具有如下优点：由五个开关管和一个二极管构成，能够保证共模电压恒定，具有较好的共模电流抑制效果，在单极SPWM调制下其中两个开关管工作在工频状态，较大地降低了成本和损耗，且工作在高频的开关管不需要设置死区，有利于降低并网电流谐波含量。
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