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公开(公告)号：CN113437144A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110561315.3
申请日：2021-05-22
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法，包括衬底，所述衬底包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化层，所述氧化层上刻蚀有二硫化铼沟道，所述场效应管还包括生长在源漏接触区的漏源电极、覆盖所述二硫化铼沟道的栅氧化层以及位于硅衬底底部的金属引线，所述栅氧化层上生长有栅电极，所述漏源电极包括依次位于所述氧化层之上的Cr电极和Au电极。本发明的场效应管具有较高的开关电流比，且有效降低了器件尺寸缩小带来短沟道效应，同时顶栅和背栅的结构也有助于源漏电流的调控。
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