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公开(公告)号：CN204857725U
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201520474613.9
申请日：2015-07-05
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L51/05
Abstract: 本实用新型公开了一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单元；形成于浮栅表面的隧穿绝缘介质层；在隧穿绝缘介质层表面上生长有机半导体材料，形成器件的有源层；在有源层表面形成器件的源极、漏极。本实用新型的有益效果是降低基于有机场效应晶体管浮栅存储器的工作电压，实现器件的高密度存储，提高器件保持特性，降低器件制造成本。
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