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公开(公告)号：CN118376718A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410797547.2
申请日：2024-06-20
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四甲基硅烷除氯用取样装置及工艺，涉及硅基前驱体提纯工艺技术领域，包括：壳体，壳体的上部设置有出液管，壳体的一侧连接有导气管，导气管用于输送惰性气体；轨道架，其设置于壳体内，轨道架上设置有升降板，升降板上转动连接有旋盖爪；驱动组件，其用于驱动旋盖爪旋转并向上位移，以使得化工桶的桶盖脱落；本发明通过驱动组件带动旋盖爪的上移，自动对桶盖进行旋拧拆卸，在旋盖爪上移后，引流管移动并插入化工桶内，在注入惰性气体，利用惰性气体压出四甲基硅烷，这样在取样时以及取样后，可以在化工桶内形成由惰性气体所组成的保护气氛，增加四甲基硅烷的储存稳定性、安全性。
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公开(公告)号：CN117208913B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311129648.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/107 , B01J31/10
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公开(公告)号：CN117510533A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311851870.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，包括以下步骤：原料称取（以重量为单位）包括以下成分：二氯甲烷500份、金属钠24.2~27.6份、二异丙胺116.9~151.8份、一氯硅烷66.6份；在反应釜内通入惰性气体，并加入二氯甲烷、金属钠，降温至‑20~0℃，搅拌5~30分钟；滴加二异丙胺，自然升温至10~30℃搅拌1小时；降温至‑60~‑40℃，并通过MFC控制通入一氯硅烷搅拌12小时。本发明提供的二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，通过二氯甲烷、金属钠代替乙醚进行二异丙胺硅烷的制备，能避免在制备过程中因为乙醚氧化后易爆，且整体制备过程简单、原料易得，整体制备后二异丙胺硅烷反应转换率较高。
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公开(公告)号：CN116987110A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310962538.X
申请日：2023-08-02
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Inventor： 王伟
Abstract: 本发明公开了一种高性能有机硅化合物的精制工艺及系统，包括以下步骤：在惰性气体保护下向反应装置中加入四氢呋喃溶剂和还原剂，开启搅拌；然后将反应装置温度控制到20～‑30℃继续搅拌，三甲基氯硅烷经还原剂还原得到三甲基硅烷汽化后经冷凝进入收集装置，得到粗品三甲基硅烷；处于搅拌装置中的母液通过过滤机构过滤杂质，进行二次合成准备；粗品三甲基硅烷经过提纯即可得到高纯的三甲基硅烷；本发明提供的一种高性能有机硅化合物的精制工艺及系统，能够使得在进行生产合成的时候，操作简单、且合成性质的稳定，且能够快速的进入搅拌装置进行再次搅拌，使得四氢呋喃溶剂和还原剂快速进入二次搅拌准备，大大提高三甲基硅烷的生产效率。
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公开(公告)号：CN116143808A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211699494.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明公开了高纯三乙基铟的制备方法，涉及金属有机源合技术领域，现如今高纯铟源是MOCVD技术的关键原材料，目前常用的铟源主要为三甲基铟，但是由于三甲基铟常温下为固态，容易造成固态铟源残留偏多和固体分子溢散速率低且易出现板结、沟流等痛点问题，从而使固态铟源在蒸汽饱和度以及源含量稳定性上差于液体源，本发明通过惰性气体保护下采用铟的卤化物和三乙基铝反应生成三乙基铟，在减压蒸馏的方式下，提纯到三乙基铟的粗品，后对其进行再次的提纯的得到成品的三乙基铟，整个过程的操作上更加的简单，另外也能在惰性气体的保护下提高了产品的纯度，使得三乙基铟的制备不受其他溶剂对其纯度的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115181131A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210960640.1
申请日：2022-08-11
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F9/72
Abstract: 本发明提供一种连续化合成叔丁基砷的方法，通过选用砷烷和异丁烯作为反应原料，选用聚苯胺、活性炭、硅藻土、MCM‑41介孔分子筛等负载对甲苯磺酸作为催化剂，选择固定床反应柱进行连续化反应，反应温度70‑110℃下进行加成反应得到叔丁基砷。该方法相比传统方法相比，实现了叔丁基砷的连续化生产，提高了生产效率，提高了合成产物叔丁基砷的收率及选择性，减弱了副反应的发生，降低了间歇式反应过程中反应液化后高压风险，降低反应持料量，安全性大大提高，同时相比间歇式反应，反应物料由液相转变为气相反应，反应效率更高，同时降低了催化剂对甲苯磺酸用量，减少反应后的固废产生，具有较高的经济及环境价值。
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公开(公告)号：CN117534697B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410027054.0
申请日：2024-01-09
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三叔丁氧基硅烷醇制备工艺及制备系统，涉及三叔丁氧基硅烷醇制备技术领域，包括：S1:向罐体中加入正己烷溶剂和叔丁醇钠，搭常压回流装置，通过罐体内设置有搅拌轴进行搅拌；S2:对罐体加热温度控制在T1值，将三氯硅烷加入罐体中分隔板分隔出的腔体中，并向罐体中第一储料腔加入N‑溴代丁二酰亚胺原料，分隔板上具有漏料孔，此时搅拌轴搅拌时带动封堵结构对漏料孔交替式封堵，使得三氯硅烷液体原料定量通过漏料孔下落滴加，在上述制备方法中，工艺简单、反应步骤少、原料配比合理、产生废弃物少，使得制备原料成本降低，在产业化推进中，可以有效的降低设备投入成本以及后续的制备成本，符合节能环保的生产理念。
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公开(公告)号：CN117208913A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311129648.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/107 , B01J31/10
Abstract: 本发明公开了一种催化合成制备多氯硅烷的方法及合成设备，按照配比提供硅烷和一氯甲烷气体在预设的压力、温度及停留时间条件下通过装填有多孔结构磺酸树脂负载AlCl3路易斯酸催化剂及分散金属填料生成所述最终氯代硅烷产物。本发明提供的一种催化合成制备多氯硅烷的方法及合成设备通过选择负载催化剂和分散填料混合后装填，提高了反应热传导，反应受热更为均匀，同时，固定床反应器在放大过程中，传热效率降低，反应放热集聚，催化剂与填料混合装填，分散反应热，提高传热效率，降低反应热集聚，通过使用一氯甲烷相比与选择氯化氢作为氯原料，降低了对设备的腐蚀，提高了设备使用的安全性和经济性，同时，一氯甲烷具有更低的原材料成本。
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公开(公告)号：CN116693576A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310689292.3
申请日：2023-06-12
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F9/90
Abstract: 本发明涉及三乙基锑加工技术领域，尤其涉及一种制备三乙基锑的方法，包括以下步骤：在惰性气体的保护下向反应瓶中加入原料三氯化锑和乙醚溶剂，搭常压回流装置，开启搅拌；将乙基锂的乙醚溶液滴加到反应瓶中，滴加完毕后，保持70~80℃搅拌反应3~6h；搅拌回流结束后先常压蒸馏将溶剂乙醚蒸出，得到三乙基锑初产品；改搭减压蒸馏装置，通过减压蒸馏得到三乙基锑粗品；所得三乙基锑粗品经过两次减压精馏，得到高纯三乙基锑，经核磁、ICP检测纯度达到6N。用乙基锂和三氯化锑在惰性气体保护下反应生成三乙基锑，该制备方法安全高效，操作简单，原料易得，无副产物，产率高且得到的产品纯度较高。
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公开(公告)号：CN116586016A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310582620.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明适用于金属源有机合成技术领域，提供了一种三甲基铝提纯装置及工艺，包括反应装置、回流装置和减压精馏装置，减压精馏装置上通过管路连接件连接有分流装置，分流装置包括旋转筒，旋转筒的侧壁上连接有旋转组件，旋转筒内安装有主流管，主流管的一端通过转向管和减压精馏装置相连接，主流管的另一端通过定位组件定位对接有分流组件；通过向含有氯化二甲基铝的三甲基铝粗品中加入高纯度三乙基铝，反应后再通过精馏可得到纯净的三甲基铝，实现对三甲基铝粗品的提纯；在对反应后的三甲基铝进行精馏的过程中，通过分流装置可对上升温度过程中得到的液体与温度稳定状态下的液体进行分开，可进一步保证三甲基铝的纯净度。
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