公开(公告)号：CN102124546A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980132351.5

申请日：2009-07-23

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤一弥 ,  上野淳一 ,  小林修一 ,  工藤秀雄

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/28

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具，其特征在于，至少具备：载具母体，其配设在粘贴有研磨布的上下方磨盘之间，并形成有用于在研磨时对夹持于上述上下方磨盘之间的上述芯片进行保持的保持孔；环状树脂环，其沿此载具母体的保持孔内周而配置，与上述所保持的芯片的倒角部相接，以保护此倒角部；上述树脂环的内周具有凹状的槽，形成在该凹槽内的上下斜面与上述芯片的倒角部以剖面点接触的方式相接而保持上述芯片。这样，可提供双面研磨装置用载具、使用此载具的双面研磨装置及双面研磨方法，既可抑制因研磨布蠕动变形而造成的芯片外周塌边的产生，又可通过在研磨中使芯片自转来降低研磨面斜度的产生，从而提高平坦度。

公开(公告)号：CN100481341C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200680005678.2

申请日：2006-02-20

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 上野淳一

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/28

Abstract: 一种双面研磨装置用载具，其在双面研磨装置中被配设在贴有研磨布的上下磨盘之间，并形成有保持孔，该保持孔在研磨时用以保持夹在所述上下磨盘之间的晶片，其中所述载具的材质是钛。由此，可提供一种双面研磨装置用载具，该载具本身强度高，且例如可抑制对于硅晶片等晶片的不纯物污染，并能够抑制研磨后的晶片的外周部发生塌边。

公开(公告)号：CN106457508A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025755.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 富士纺控股株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤三千登 ,  上野淳一 ,  石井薰 ,  川村佳秀 ,  吉田泰司 ,  高木正孝

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  H01L21/30625

Abstract: 提供一种研磨垫，对于研磨后的被研磨物，能够充分减少在测定26nm以下的颗粒尺寸时所检出的微小的缺陷，并且该被研磨物表面的平坦性也优异。该研磨垫具备：具有用于研磨被研磨物的研磨面的研磨层(110)，和在所述研磨层的与所述研磨面相对的一侧上自靠近所述研磨层的一方起依次层叠的中间层(120)、硬质层(130)和缓冲层(140)，其中对于厚度方向上被压缩时的变形量C而言，该中间层(120)大于所述研磨层，所述硬质层(130)小于所述研磨层，缓冲层(140)大于所述中间层。

公开(公告)号：CN102124546B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980132351.5

申请日：2009-07-23

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤一弥 ,  上野淳一 ,  小林修一 ,  工藤秀雄

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/28

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具，其特征在于，至少具备：载具母体，其配设在粘贴有研磨布的上下方磨盘之间，并形成有用于在研磨时对夹持于上述上下方磨盘之间的上述芯片进行保持的保持孔；环状树脂环，其沿此载具母体的保持孔内周而配置，与上述所保持的芯片的倒角部相接，以保护此倒角部；上述树脂环的内周具有凹状的槽，形成在该凹槽内的上下斜面与上述芯片的倒角部以剖面点接触的方式相接而保持上述芯片。这样，可提供双面研磨装置用载具、使用此载具的双面研磨装置及双面研磨方法，既可抑制因研磨布蠕动变形而造成的芯片外周塌边的产生，又可通过在研磨中使芯片自转来降低研磨面斜度的产生，从而提高平坦度。

公开(公告)号：CN101223006A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200680026129.3

申请日：2006-06-28

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 上野淳一 ,  小林修一

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B57/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  H01L21/02024

Abstract: 一种晶片的双面研磨方法，是以贴付研磨布的上方磨盘与下方磨盘包夹保持于载具的晶片，一边从设在该上方磨盘的多个研磨剂供给孔将研磨剂供给至该上方磨盘与该下方磨盘之间，一边同时研磨该晶片的双面的形式的晶片的双面研磨方法。在双面研磨该晶片时，相对于该上方磨盘的旋转中心，通过使从设在外侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，大于从设在内侧的研磨剂供给孔供给的研磨剂量，来调整该晶片外周部的研磨量，抑制该晶片的外周塌边。由此，可以提供一种双面研磨方法，当进行晶片的双面研磨加工时，能抑制晶片的外周塌边的发生。