公开(公告)号：CN109661716B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201780054111.2

申请日：2017-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的气相生长装置1，包括：反应炉2、多条流路16a、盖14、及附接件15。反应炉2包括供导入气相生长气体的入口8a，通过气相生长气体而于基板W上生长外延层。多条流路16a自入口8a延伸至入口8a的外侧，将气相生长气体引导至反应炉2。盖14包括朝向多条流路16a引导原料气体的导入路14a。附接件15包括可连接于导入路14a的分支路15a，并安装于盖14。分支路15a在附接件15被安装于盖14的状态下连接于导入路14a，且自导入路14a侧朝向原料气体的下游侧呈竞赛状与多条流路16a对应地分支并连接于多条流路16a。由此，提供一种气相生长装置，其能够以优秀的成本效益使生长于基板上的外延层的膜厚的均匀性良好。

公开(公告)号：CN111095487A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880060125.X

申请日：2018-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 岩本亮辅 ,  大西理

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种外延晶片的制造方法，准备背面经研磨的硅半导体基板，将所准备的基板洗净后，将多片基板作为1批次放入到基板保管部2。使基板保管部2的气氛中的NO2和NO3的合计浓度为140 ng/m3以下的方式进行管理。将保管于基板保管部2中的基板逐片搬送到反应炉5而使硅外延层气相生长。因此，能够抑制依存于自基板洗净后经过时间的背面晕圈的产生，制造高品质的外延晶片。

公开(公告)号：CN117529654A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280044051.7

申请日：2022-06-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理

IPC: G01N21/956

Abstract: 本发明是一种碎屑判定方法，根据通过外观检查装置得到的图像判定在晶圆背面的HLM周边产生的碎屑，该方法将图像的亮度数据置换为矩阵数据，提取HLM的印字区域，求出亮度的最小平方面，从印字区域减去最小平方面而求出标准化矩阵数据，将0代入该小于0的矩阵值而求出凸侧矩阵数据，将标准化矩阵数据的符号翻转，并将0代入表示点与噪声的矩阵值而求出凹侧矩阵数据，根据凸侧·凹侧矩阵数据求出合成矩阵数据，对合成矩阵数据进行处理而求出低通矩阵数据，使用规定的阈值从低通矩阵数据判定碎屑，求出碎屑的面积比例，并判定印字区域中有无碎屑。由此，提供一种碎屑判定方法，其能够可靠地检测出无法通过形状测量机检测出的碎屑，而判定碎屑的有无。

公开(公告)号：CN109661715A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780054077.9

申请日：2017-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理 ,  桝村寿

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 气相生长装置1包括反应炉2、导入通路8、多条流路15a、分支路14a、及分割通路16b。反应炉2通过原料气体使外延层气相生长于基板W。导入通路8包括：入口8a，其通往反应炉2内；出口8b，其位于入口8a的上方且较入口8a靠反应炉2侧并且到达反应炉2内；及阶部8c，其位于导入通路8内。多条流路15a为32条以上，且自入口8a延伸至入口8a的外侧。分支路14a使多条流路15a自入口8a侧朝向原料气体的上游侧呈竞赛状合流。分割通路16b为将导入通路8与多条流路15a对应地分割而成的通路，且分别与多条流路15a连接并相通。由此，提供一种气相生长装置，其能够使生长于基板上的外延层的膜厚的均匀性良好。