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公开(公告)号：CN117736362A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311228979.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物、抗蚀剂图案形成方法、及空白掩膜。本发明提供能形成可形成有极高的孤立间距分辨性，LER小，矩形性优异，显影负载及残渣缺陷的影响受抑制且蚀刻耐性优良、制成的抗蚀剂图案的图案崩塌受抑制的图案的抗蚀剂膜的聚合物、使用了此聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物、使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法、及使用前述化学增幅正型抗蚀剂组成物的空白掩膜。一种聚合物，其特征为：含有键结于主链的芳香族性羟基的结构单元中的前述芳香族性羟基被下式(ALU‑1)表示的酸不稳定基团保护，因酸作用而脱保护并成为碱可溶性。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117590697A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310985044.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，能形成可形成极高孤立间距分辨性且LER小、矩形性优异、显影负载及残渣缺陷的影响受抑制的图案的抗蚀剂膜，并提供抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，是包含(A)基础聚合物、(B)光酸产生剂及(C)淬灭剂的电子束光刻用化学增幅正型抗蚀剂组成物，(A)基础聚合物包含含有预定的含苯酚性羟基的单元、预定的含芳香环的单元及预定的含苯酚性羟基的单元的聚合物，该基础聚合物中含有的聚合物的重复单元皆为具有芳香环骨架的重复单元，(B)酸产生剂相对于(C)淬灭剂的含有比率((B)/(C))按质量比计未达3。
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公开(公告)号：CN117031878A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310522141.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，可形成具有极高分辨性，LER小、矩形性优异、抑制了显影负载的影响的图案的抗蚀剂膜，并提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含由酸不稳定基团保护且因酸的作用变成碱可溶性的基础聚合物，该基础聚合物包含含有下式(A1)表示的含苯酚性羟基的单元及下式(A2)表示的羧基被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物，该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117031872A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310522173.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及空白掩膜、抗蚀剂图案形成方法及化学增幅正型抗蚀剂组成物。本发明提供一种空白掩膜，具备能形成具有极高分辨性且LER小、矩形性优异、图案忠实性优异的图案的抗蚀剂膜，并提供抗蚀剂图案形成方法、及化学增幅正型抗蚀剂组成物。一种空白掩膜，具备涂布化学增幅正型抗蚀剂组成物而获得的抗蚀剂膜，该化学增幅正型抗蚀剂组成物包含：基础聚合物，含有含下式(A1)表示的含苯酚性羟基的单元及下式(A2)表示的羧基被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物；及有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN1607461A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410098151.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08F220/18 , C08F220/26 , G03F7/0397 , Y10S430/111
Abstract: 一种包含式(1)、(2)、(3)和(4)的重复单元的聚合物，其在碱性显影剂中，在酸的作用提高了溶解速率，R1、R2、R3和R6是H或CH3，R4和R5是H或OH，X是具有双环[2.2.1]庚烷框架的叔外－烷基基团，由式(X－1)－(X－4)的任一个表示，其中R7是C1－C10烷基，Y是具有金刚烷结构的叔烷基。一种包括该创造性聚合物的抗蚀剂组合物具有对高能辐射的灵敏度，提高的分辨率和最小化的近似偏差并且采用电子束或深UV向其本身提供微图案而用于VLSI制造。
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