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公开(公告)号：CN1036813C
公开(公告)日：1997-12-24
申请号：CN94113486.5
申请日：1994-12-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/76259
Abstract: 提供一种粘合衬底及其制造工艺，以解决包含在易于使粘合衬底引起诸如破裂、分离和翘曲等麻烦的热处理中出现的问题。使在多孔半导体衬底上外延生长的单晶半导体粘合到一绝缘基片上，通过腐蚀、研磨、或二者之结合去掉该半导体衬底，不进行热处理，即使有，也只进行一次。
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公开(公告)号：CN1109636A
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：CN94113486.5
申请日：1994-12-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/76259
Abstract: 提供一种粘合衬底及其制造工艺，以解决包含在易于使粘合衬底引起诸如破裂、分离和翘曲等麻烦的热处理中出现的问题。使在多孔半导体衬底上外延生长的单晶半导体粘合到一绝缘基片上，通过腐蚀、研磨、或二者之结合去掉该半导体衬底，不进行热处理，即使有，也只进行一次。
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公开(公告)号：CN104662677B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201380050559.9
申请日：2013-09-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L33/0045 , G01B9/02044 , G01B9/02091 , G01N21/4795 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/06 , H05B33/0842
Abstract: 一种光源包括上电极层、下电极层和介于其间的有源层。上电极层和下电极层中的至少一个被分成沿有源层的面内方向相互分开的多个电极。分开的电极独立地将电流注入到有源层中的多个不同的区域中。光源通过将来自上电极层和下电极层的电流注入到有源层中发光、沿面内方向引导光并且输出光。有源层中的多个不同的区域包含不包含光出射端的第一区域和包含光出射端的第二区域，并且，第二区域被配置为至少发射一阶级位的光。有源层具有非对称的多量子阱结构。
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公开(公告)号：CN104662677A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380050559.9
申请日：2013-09-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L33/0045 , G01B9/02044 , G01B9/02091 , G01N21/4795 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/06 , H05B33/0842
Abstract: 一种光源包括上电极层、下电极层和介于其间的有源层。上电极层和下电极层中的至少一个被分成沿有源层的面内方向相互分开的多个电极。分开的电极独立地将电流注入到有源层中的多个不同的区域中。光源通过将来自上电极层和下电极层的电流注入到有源层中发光、沿面内方向引导光并且输出光。有源层中的多个不同的区域包含不包含光出射端的第一区域和包含光出射端的第二区域，并且，第二区域被配置为至少发射一阶级位的光。有源层具有非对称的多量子阱结构。
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公开(公告)号：CN101123264A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140892.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , B41J2/45
Abstract: 发光元件阵列和成像装置。该发光元件阵列可以被制造而无需金属反射层的分离。该发光元件阵列包括提供在衬底上的多个发光元件部分，相邻发光元件部分之间的空间中至少一个空间彼此电分离，其中金属反射层提供在衬底上并且在多个发光元件部分下，并且用于发光元件部分之间的电分离的电阻层提供在多个发光元件部分与金属反射层之间。多个发光元件部分被划分成多个分块。每个分块包括多个发光部分。发光部分之间的电分离可以制造成作为相邻的不同分块中的相邻发光元件部分之间的电分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1127122C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN98126345.3
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0203 , C25D11/32 , H01L21/2007 , H01L21/76259 , Y10S438/96 , Y10S438/977
Abstract: 衬底处理方法，能够在除去多孔硅时得到满意的腐蚀。包括在电解溶液中阳极氧化单晶硅衬底在单晶硅衬底的主表面上形成多孔硅层，在多孔硅层上生长单晶硅膜，将氧化单晶硅膜表面得到的第一衬底粘接到第二衬底上作为支撑衬底，从第一衬底的下表面侧除去单晶硅部分露出多孔硅层，除去多孔硅层，在氧化步骤之后进行清洗，从电解溶液中除去第一衬底并暴露到空气直到进行清洗的时间限制在防止在腐蚀步骤中多孔硅层留在单晶硅膜上的范围内。
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公开(公告)号：CN1058354C
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN96111711.7
申请日：1996-07-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/0203 , H01L21/76243
Abstract: 半导体部件的制造方法，包括以下步骤，提供硅制成的第1衬底，对衬底硅多孔化，使第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，将第1衬底层叠在第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一层叠面有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层各自的腐蚀速率不大于10A/分钟的腐蚀液腐蚀多孔硅层。
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公开(公告)号：CN1221207A
公开(公告)日：1999-06-30
申请号：CN98126345.3
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0203 , C25D11/32 , H01L21/2007 , H01L21/76259 , Y10S438/96 , Y10S438/977
Abstract: 补底处理方法,能够在除去多孔硅时得到满意的腐蚀。包括在电解溶液中阳极氧化单晶硅衬底在单晶硅衬底的主表面上形成多孔硅层,在多孔硅层上生长单晶硅膜,将氧化单晶硅膜表面得到的第一衬底粘接到第二衬底上作为支撑衬底,从第一衬底的下表面侧除去单晶硅部分露出多孔硅层,除去多孔硅层,在氧化步骤之后进行清洗,从电解溶液中除去第一衬底并暴露到空气直到进行清洗的时间限制在防止在腐蚀步骤中多孔硅层留在单晶硅膜上的范围内。
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公开(公告)号：CN1166049A
公开(公告)日：1997-11-26
申请号：CN97111685.7
申请日：1997-04-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76251 , Y10S438/977
Abstract: 本发明解决了粘贴SOI基片在其周边部分产生空洞和由此导致的器件数量减少的问题。本发明涉及一种制造SOI基片的方法，所述SOI基片通过粘贴具有SiO2表面的第一Si基片和具有Si表面的第二Si基片而获得，粘贴在SiO2表面和Si表面上进行，该方法包括：在把第一Si基片和第二Si基片粘贴在一起前，清洗第二Si基片的Si表面，使之具有疏水性的步骤。
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公开(公告)号：CN101529605B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780039902.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , B41J2/45 , H01L21/7806 , H01L21/784 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供新型的半导体物品制造方法等。具有在半导体衬底上形成的化合物半导体多层膜的半导体物品的制造方法包括：制备构件，该构件包含化合物半导体衬底(1000)上的蚀刻牺牲层(1010)、化合物半导体多层膜(1020)、绝缘膜(2010)和半导体衬底(2000)，并具有穿过半导体衬底和绝缘膜的第一沟槽(2005)和作为被设置在化合物半导体多层膜中以与第一沟槽连接的第二沟槽的半导体衬底沟槽(1025)；通过第一沟槽和第二沟槽使蚀刻剂与蚀刻牺牲层接触；以及蚀刻所述蚀刻牺牲层以使化合物半导体衬底与所述构件分开。
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