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公开(公告)号:CN1056955A
公开(公告)日:1991-12-11
申请号:CN91103576.1
申请日:1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/10829 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种含静电电容元件的半导体装置及其制造方法,该装置含有由半导体基体上形成的Al区域和在该Al区域表面上形成的Al氧化膜,及将该Al氧化膜夹在中间而与上述Al区域相对的电极构成的电容器;其方法包括两个工序,即通过利用烷基铝氢化物的气体和氢的CVD法,堆积Al、或以Al为主要成分的金属,形成构成上述电容器的电极一侧的工序,以及在上述电极一侧表面上形成氧化铝膜的工序。
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公开(公告)号:CN1471311A
公开(公告)日:2004-01-28
申请号:CN03148475.1
申请日:2003-06-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14656
Abstract: 本发明提供在光二极管下方产生的信号电荷难以被光二极管以外的区域吸收的固体摄象装置。该固体摄象装置是排列多个象素而成,所述象素备有由第1导电型半导体区域和与上述第1导电型半导体区域的导电型相反的第2导电型半导体区域构成的光二极管、具有在上述第2导电型半导体区域内形成的第1导电型漏极区域,将在上述光二极管中产生的信号电荷传送到上述漏极区域的第1晶体管、和具有在上述第2导电型半导体区域内形成的第1导电型源极·漏极区域的第2晶体管,在上述第1晶体管的上述漏极区域的下部和上述第2晶体管的上述源极区域和/或上述漏极区域的下部设置第2导电型的势垒。
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公开(公告)号:CN1124511C
公开(公告)日:2003-10-15
申请号:CN98108600.4
申请日:1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1334 , G02F2001/13345
Abstract: 一种液晶显示装置,包含:一形成包含显示区的第一区的第一含聚合物的液晶区,以及包含不同于第一区的第二区的第二含聚合物的液晶区,其特征在于,第一含聚合物的液晶区中的聚合物和第二含聚合物的液晶区中的聚合物分别具有彼此不同的网格结构。
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公开(公告)号:CN1204064A
公开(公告)日:1999-01-06
申请号:CN98107715.3
申请日:1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1334 , G02F2001/13345
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器,它包括具有一显示区域的第一区域,以及第一区域之外的第二区域,其中,第一和第二区域都含有聚合物网络液晶,并且第二区域聚合物网络的一部分在结构上不同于第一区域的聚合物网络;本发明同时提供一种液晶显示器的制作方法,它包括在至少其中之一是透明的一对衬底之间的间隔内,提供一种液晶材料及一种预聚合物材料,用一光束扫描第一区域和第二区域,使预聚合物材料进行聚合作用。
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公开(公告)号:CN1201158A
公开(公告)日:1998-12-09
申请号:CN98108600.4
申请日:1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1334 , G02F2001/13345
Abstract: 一种液晶显示装置,包含:一形成包含显示区的第一区的第一含聚合物的液晶区,以及包含不同于第一区的第二区的第二含聚合物的液晶区,其特征在于,第一含聚合物的液晶区中的聚合物和第二含聚合物的液晶区中的聚合物分别具有彼此不同的网格结构。
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公开(公告)号:CN1040265C
公开(公告)日:1998-10-14
申请号:CN91103576.1
申请日:1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/10829 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法,其包括以下步骤,在栅极绝缘膜中形成一个矩形的宽W长L的开口,其中W≤L,通过使用包括烷基铝氢化物和氢的蒸气的选择性化学淀积在所述开口中淀积铝或以铝为主要成分的金属,以便制出具有长方体形状且高为H,H>W的下层电极;通过氧化下层电极的表面,在所述电容器下层电极的露出的表面上形成绝缘膜;在所述绝缘膜上形成一个电容器上部电极。
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