公开(公告)号：CN102339737A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110199347.X

申请日：2011-07-15

Applicant: 住友重机械工业株式会社 ,  斯伊恩股份有限公司

Inventor： 田中胜 ,  栗山仁 ,  室冈博树

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供的等离子体掺杂装置及等离子体掺杂方法，有助于基于等离子体掺杂的杂质注入的实用化。用于向半导体基板(W)添加杂质的等离子体掺杂装置(10)具备：腔室(12)；气体供给部(14)，用于向腔室(12)供给气体；及等离子体源(16)，用于在腔室(12)产生所供给的气体的等离子体。包括含有应添加到基板(W)的杂质元素的原料气体、氢气及用于稀释原料气体的稀释气体的混合气体供给至腔室(12)。

公开(公告)号：CN1165635C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN95121151.X

申请日：1995-12-28

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 酒见俊之 ,  田中胜

IPC: C23C14/24

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3266

Abstract: 在包括真空容器和设置在该真空容器内的等离子束发生器以及配置在真空容器内的主蒸发台，并使从等离子发生器发生的等离子束入射至主蒸发台上的等离子处理装置中，在主蒸发台附近相对主蒸发台的中心轴线同轴地配置永久磁铁和蒸发台线圈。通过使供给该蒸发台线圈的电流变化调整物质熔化的能力并且调整蒸镀物质蒸发粒子的飞行分布。

公开(公告)号：CN1151313C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN97121761.0

申请日：1997-12-17

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 酒见俊之 ,  田中胜

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/32 ,  H05H1/54

Abstract: 当在基片上形成薄膜期间，等离子束是指向坩埚，等离子束的电流流经坩埚的。而当在基片上完全形成薄膜之后，到在后续的基片上开始形成薄膜之前的一段时期内，使等离子束指向辅助阳极，以使等离子束电流通过辅助阳极而流动。

公开(公告)号：CN1192483A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN98100026.6

申请日：1998-01-14

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 酒见俊之 ,  田中胜

IPC: C23C14/32

CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/081 ,  C23C14/325 ,  H01J37/3266

Abstract: 将具有环形永磁铁31的辅助阳极30放置在真空室11中,使辅助阳极和炉20的中心轴同轴且使其围绕着炉的上面的区域放置。将由使用弧光放电的等离子束发生器13产生的等离子束引入炉中。在炉中将镁用作汽化材料。向真空室中提供和氧混合的气体,因此,由炉中升华的氧化镁粒子和由等离子体产生的氧等离子体起反应以在基片40上形成氧化镁(MgO)膜。

公开(公告)号：CN1111897A

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：CN94120714.5

申请日：1994-12-21

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 田中胜

IPC: H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32688 ,  H05H1/54

Abstract: 在等离子体束产生装置中，包括一个等离子体源和一个用于接受等离子体束的阳极部分。一个磁场产生装置沿着等离子体束的轨迹设置在等离子体源和阳极部分之用，用于产生具有磁场梯度的磁场，从而产生空间电荷。磁场产生装置加速等离子体束中的电子流并向阳极部分输送加速的电子流。