公开(公告)号：CN1302519C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03127864.7

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN101651288B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200910163685.0

申请日：2009-08-10

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  学校法人上智学院 ,  索尼株式会社

Inventor： 岸野克巳 ,  野村一郎 ,  玉村好司 ,  田才邦彦 ,  朝妻庸纪 ,  中岛博 ,  中村均 ,  藤崎寿美子 ,  纪川健

IPC: H01S5/327 ,  H01S5/347 ,  H01S5/028 ,  H01L33/00 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01S5/327 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3216

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×1017cm-3≤N1≤1×1020cm-3...(1)N1＞N2 ...(2)D1＞D2 ...(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 ...(4)1×1017cm-3≤N4≤1020cm-3...(5)N3＜N4 ...(6)D3＜D4 ...(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 ...(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。

公开(公告)号：CN101651288A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910163685.0

申请日：2009-08-10

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  学校法人上智学院 ,  索尼株式会社

Inventor： 岸野克巳 ,  野村一郎 ,  玉村好司 ,  田才邦彦 ,  朝妻庸纪 ,  中岛博 ,  中村均 ,  藤崎寿美子 ,  纪川健

IPC: H01S5/327 ,  H01S5/347 ,  H01S5/028 ,  H01L33/00 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01S5/327 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3216

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×10 17 cm -3 ≤N1≤1×10 20 cm -3 …(1)N1＞N2 …(2)D1＞D2 …(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 …(4)1×10 17 cm -3 ≤N4≤10 20 cm -3 …(5)N3＜N4 …(6)D3＜D4 …(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 …(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。

公开(公告)号：CN1258094A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99124388.9

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0332 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/32341

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物;金属和其上的氮化物;氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物;或第一金属,其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物;氧化物可以是SiO2,氮化物可以是TiN或SiN,由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO,金属可以是Ti或Pt。