公开(公告)号：CN104080561A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007258.8

申请日：2013-01-31

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 石谷诚治 ,  山本洋介 ,  岩崎敬介 ,  大杉峰子 ,  森井弘子 ,  林一之

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: B22F1/0018 ,  B22F1/0062 ,  B22F9/24 ,  B22F2301/255 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明涉及热收缩性和低温烧结性优异、并且在基板上形成的电极、电路图案中的填充性优异的平均粒径30～100nm的银微粒及其制造方法以及含有该银微粒的导电性膏、导电性膜和电子设备。银微粒的制造方法为，使用硝酸银和高分子保护剂制备水溶液(A液)，与上述A液分别地制备溶解还原剂和低分子保护剂得到的水溶液(B液)，在上述A液中滴加上述B液，使其还原析出，得到银微粒，对该银微粒进行分离、清洗、干燥，在该银微粒的制造方法中，将在上述A液中滴加上述B液时的混合溶液的温度控制在40℃以下，并且通过真空冻结干燥进行干燥工序，由此得到银微粒，尽管得到的银微粒为平均粒径30～100nm的微粒，但具有3.0g/cm3以上的高的振实密度，因此，在基板上形成的电极、电路图案中的填充性优异。

公开(公告)号：CN103702786A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280036601.7

申请日：2012-07-26

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 山本洋介 ,  石谷诚治 ,  岩崎敬介 ,  大杉峰子 ,  森井弘子 ,  林一之 ,  柿原康男 ,  饭田哲二

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/02

CPC classification number: H01B1/22 ,  B22F1/0018 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供适合作为能够低温烧制的导电性膏等的原料的银微颗粒以及含有该银微颗粒的导电性膏、导电性膜和电子器件。本发明的银微颗粒的特征在于，通过X射线衍射得到的米勒指数（111）和（200）的微晶直径之比[微晶直径DX（111）/微晶直径DX（200）]为1.40以上。