公开(公告)号：CN117222308A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310082619.0

申请日：2023-02-08

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 野濑幸则 ,  中岛刚志

IPC: H10N97/00

Abstract: 本公开提供一种能提高下部电极与上部电极之间的耐压的稳定性的半导体装置。半导体装置具有：基板，具有第一上表面；半导体层，设于所述基板之上；第一绝缘体层，设于所述半导体层之上，具有第二上表面；下部电极，设于所述第一绝缘体层之上；电介质层，设于所述下部电极之上；以及上部电极，设于所述电介质层之上，所述第一上表面与所述第二上表面之间的距离的最大值与最小值之差小于所述半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN115881806A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211101974.X

申请日：2022-09-09

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 野濑幸则

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；绝缘层，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；栅电极，设于所述绝缘层之上，经由所述第一开口与所述半导体层接触；以及源电极和漏电极，与所述半导体层欧姆接触，所述栅电极具有：结晶性控制膜，设于所述绝缘层之上，并具备第二开口，该第二开口被形成为其内壁在从与所述基板的上表面垂直的方向的俯视观察下朝向所述基板与所述第一开口的内壁相连；第一金属膜，设于所述结晶性控制膜之上，经由所述第二开口和所述第一开口各自的相连的内壁与所述半导体层肖特基接触；以及第二金属膜，设于所述第一金属膜之上，所述第二金属膜的电阻比所述第一金属膜的电阻低。