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公开(公告)号：CN117222308A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310082619.0
申请日：2023-02-08
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
IPC: H10N97/00
Abstract: 本公开提供一种能提高下部电极与上部电极之间的耐压的稳定性的半导体装置。半导体装置具有：基板，具有第一上表面；半导体层，设于所述基板之上；第一绝缘体层，设于所述半导体层之上，具有第二上表面；下部电极，设于所述第一绝缘体层之上；电介质层，设于所述下部电极之上；以及上部电极，设于所述电介质层之上，所述第一上表面与所述第二上表面之间的距离的最大值与最小值之差小于所述半导体层的厚度。
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