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发明公开
半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶有权

公开(公告)号：CN110621813A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201780090780.5

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥尾克司 , 鸿池一晓 , 柳泽拓弥

IPC: C30B29/40 , C30B29/42

Abstract: 一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值和沿从所述主面的中心起的方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均值各自为0.1以下。

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